【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及发光二极管芯片制造，尤其涉及一种不良追溯分析方法及系统、存储介质及计算机设备。
技术介绍
1、目前，发光二极管芯片生产工艺的检测一般涉及外观、电性、膜厚、刻蚀深度等多个维度。在生产工艺的异常站点分析过程中，往往需要将这多个维度的数据进行联合分析。通常的做法是：将各个数据进行信息比对，以确认是否有相关性。
2、然而，在涉及到多个生产工艺站点时，前述信息比对的方式会存在耗时久且数据量过大的问题。并且，在前述信息比对的过程中，由于个人主观意识的不同，相关人员对比对信息是否存在相关性的判断也会因人而异，从而造成生产工艺异常站点分析的精确度较低。
3、因此，如何高效且精确地实现发光二极管芯片生产工艺中的不良追溯分析是亟需解决的问题。
技术实现思路
1、鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种不良追溯分析方法及系统、存储介质及计算机设备，旨在解决如何高效且精确地实现不良追溯分析，从而利于实现发光二极管芯片生产工艺的风险管控，以提升生产良率。
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【技术保护点】
1.一种不良追溯分析方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的不良追溯分析方法，其特征在于，所述芯粒量测数据还包括生产批号和晶圆片号；所述分类存储所述芯粒量测数据，包括：
3.如权利要求1所述的不良追溯分析方法，其特征在于，所述芯粒量测数据还包括工艺时间；所述从各所述芯粒量测数据中获取目标坐标值对应的异常芯粒量测数据，包括：
4.如权利要求3所述的不良追溯分析方法，其特征在于，所述根据所述工艺站点编号，确定所述异常芯粒量测数据在各所述工艺站点中的匹配比例，包括：
5.如权利要求1所述的不良追溯分析方法，其特征在于，...
【技术特征摘要】
1.一种不良追溯分析方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的不良追溯分析方法，其特征在于，所述芯粒量测数据还包括生产批号和晶圆片号；所述分类存储所述芯粒量测数据，包括：
3.如权利要求1所述的不良追溯分析方法，其特征在于，所述芯粒量测数据还包括工艺时间；所述从各所述芯粒量测数据中获取目标坐标值对应的异常芯粒量测数据，包括：
4.如权利要求3所述的不良追溯分析方法，其特征在于，所述根据所述工艺站点编号，确定所述异常芯粒量测数据在各所述工艺站点中的匹配比例，包括：
5.如权利要求1所述的不良追溯分析方法，其特征在于，所述根据所述匹配比例，从各所述工艺站点中确定所述目标坐标值对应的风险站点，包括：
6.如权利要求1所述的不良追溯分析方法，其特征在于，所述芯粒量测数据还包括：自动光学量测数据、光致发...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄雪梅，梁永隆，
申请(专利权)人：重庆康佳光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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