一种LED芯片及显示装置制造方法及图纸

技术编号:41301451 阅读:2 留言:0更新日期:2024-05-13 14:48
本技术涉及一种LED芯片,包括:依次层叠设置的第一半导体层、有源层和第二半导体层,其中,所述第二半导体层远离所述有源层的一面上设置有多个欧姆接触垫,所述多个欧姆接触垫形成阵列;第一电极,所述第一电极包括第一连接金属和第二连接金属,所述第一连接金属包括多个金属柱,所述金属柱设置在所述欧姆接触垫上,所述第二连接金属的一部分嵌合在所述金属柱之间,且所述第二连接金属在所述第二半导体层上的高度高于所述第一连接金属在所述第二半导体层上的高度高;第二电极,所述第二电极与所述第一半导体层连接。可以有效提升LED的出光效率。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及led芯片,尤其涉及一种led芯片及显示装置。


技术介绍

1、当前发光二极管作为新一代绿色光源,已经广泛用于交通指示信号、室内外照明、建筑装饰照明、显示屏背光模组等。led相对于传统光源有许多优点,例如环保无污染、响应时间短、更长的使用寿命、更高的可靠性、更小的体积和更高的亮度等,更重要的是led的节能和更高的效率。发光二极管取代传统光源成为未来照明和显示领域的新一代光源成为必然趋势。目前,由于氮化镓基的红光led的发光效率仍不尽人意,因此主流红光led仍为algainp基系。在algainp基红光led中,通常采用gaas作为欧姆接触层来连接电极,但是gaas材料对于红光波段具有吸收作用,因此,会影响algainp基红光led的出光效率。


技术实现思路

1、鉴于上述现有技术的不足,本申请的目的在于提供一种led芯片和显示装置,旨在提升led出光效率。

2、第一方面本申请实施例提供了一种led芯片,包括:

3、依次层叠设置的第一半导体层、有源层和第二半导体层,其中,所述第二半导体层远离所述有源层的一面上设置有多个欧姆接触垫,所述多个欧姆接触垫形成阵列;

4、第一电极,所述第一电极包括第一连接金属和第二连接金属,所述第一连接金属包括多个金属柱,所述金属柱设置在所述欧姆接触垫上,所述第二连接金属的一部分嵌合在所述金属柱之间,且所述第二连接金属在所述第二半导体层上的高度高于所述第一连接金属在所述第二半导体层上的高度高;

5、第二电极,所述第二电极与所述第一半导体层连接。

6、在本申请实施例中,将与led芯片的第二半导体与第一电极之间的欧姆接触层设置为多个欧姆接触垫阵列,使得欧姆接触层由原来的一整面变为多个小面积的欧姆接触垫,有效的减少欧姆接触层的面积,即减少吸光面积,从而进一步提升了led芯片的出光效率。另外第一电极包括第一接金属和第二连接金属,第一连接金属以柱状的形式设置在对应的欧姆接触垫上,第二连接金属的一部分嵌合在柱状的第一连接金属第一连接金属之间,实际上两种连接金属以相互嵌合的形式连接形成在第二半导体层上,这样可以使得第一电极更加稳固,提升led芯片的可靠性。

7、可选的,所述第一电极还包括加固层,所述加固层覆盖在所述多个金属柱、所述第二半导体层以及所述多个欧姆接触垫的表面;所述第二连接金属与所述加固层连接。

8、在本申请实施例中,将欧姆接触层由原来的一整面变为多个小面积的欧姆接触垫,并在接触点上设置金属柱,在完成金属柱的工艺之后,进行第二连接金属之前,中间还需要经过多次其他清洗光刻等工艺。然而,由于欧姆接触垫的面积小,在进行第二连接金属的工艺之前,其他的一些工艺制程,可能会对金属柱形成损坏,因此本申请实施例中,为了保护金属柱,设置了一层加固层来保护金属柱。

9、可选的,所述多个欧姆接触垫均匀分布在所述第二半导体层上。

10、可选的,所述加固层中包括电阻率小于所述第一连接金属的电阻率的子层。

11、可选的,所述第二连接金属的一部分嵌合在所述多个金属柱中的至少部分金属柱之间。

12、在本申请实施例中,为了使得led芯片在工作时避免电流拥挤的现象,使电流可以均匀的在半导体层中流通,可以将多个欧姆接触垫均匀分布在所述第二半导体层上,从而可以通过多个欧姆接触垫均匀的将电流分散至第二半导体中。另外在一些实施方式中,由于工艺或其他需求,第二连接金属可能只是嵌合在部分的金属柱之间;例如只是嵌合在中间区域的部分金属柱之间,或远离第二电极区域的部分金属柱之间。在这种情况下,为了使得电流能能够均匀分散至各个金属柱,从而均匀的分散至第二半导体层。基于此,在本申请实施例中,在加固层中设置电阻率小于金属柱的电阻率的子层。这样电流在经过加固层时,会优先在加固层中进行扩散,然后再经过金属柱流向第二半导体层。

13、可选的,所述加固层包括ito、izo、au、ag、al、cr、pt、ti、ni、au、sn中的一种或多种。

14、可选的,所述led芯片还包括保护层,所述保护层包覆所述第一电极和所述第二电极所在的一面,且所述保护层上开设有电极孔,所述电极孔开设在所述第一电极和所述第二电极所在的位置,以暴露所述第一电极和所述第二电极。

15、可选的,所述欧姆接触垫的横截面形状包括圆形、正方形、长方形、三角形或梯形;所述金属柱的横截面形状和所述欧姆接触垫的横截面形状相同。

16、可选的,所述欧姆接触垫的横截面或所述金属柱的横截面直径为0.5-3um。

17、可选的,所述第一连接金属、第二连接金属或者所述第二电极包括cr、pt、ti、ni、au、sn、ag、al、ge中的一种或多种的组合物。

18、第二方面,本申请还提供一种显示装置,包括:

19、包括如第一方面所述的任一led芯片;

20、cmos背板,其上设置有与所述第一电极对应的第三电极,以及与所述第二电极对应的第四电极;

21、所述第一电极和所述第三电极键合形成电性连接,且所述第二电极和所述第四电极键合形成电性连接。

22、在本申请实施例中,采用了如第一方面所述的任一led芯片,通过该led芯片可以有效提升显示装置中led的出光效率,从而可以进一步降低显示装置的功能损耗。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种LED芯片,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的LED芯片,其特征在于,所述第一电极还包括加固层,所述加固层覆盖在所述多个金属柱、所述第二半导体层以及所述多个欧姆接触垫表面;所述第二连接金属与所述加固层连接。

3.如权利要求2所述的LED芯片,其特征在于,所述多个欧姆接触垫均匀分布在所述第二半导体层上。

4.如权利要求2所述的LED芯片,其特征在于,所述加固层中包括电阻率小于所述第一连接金属的电阻率的子层。

5.如权利要求1所述的LED芯片,其特征在于,所述第二连接金属的一部分嵌合在所述多个金属柱中的至少部分金属柱之间。

6.如权利要求1-5任一项所述的LED芯片,其特征在于,所述LED芯片还包括保护层,所述保护层包覆所述第一电极和所述第二电极所在的一面,且所述保护层上开设有电极孔,所述电极孔开设在所述第一电极和所述第二电极所在的位置,以暴露所述第一电极和所述第二电极。

7.如权利要求1-5任一项所述的LED芯片,其特征在于,所述欧姆接触垫的横截面形状包括圆形、正方形、长方形、三角形或梯形;所述金属柱的横截面形状和所述欧姆接触垫的横截面形状相同。

8.如权利要求1-5任一项所述的LED芯片,其特征在于,所述欧姆接触垫的横截面或所述金属柱的横截面直径为0.5-3um。

9.一种显示装置,其特征在于,包括:

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【技术特征摘要】

1.一种led芯片,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的led芯片,其特征在于,所述第一电极还包括加固层,所述加固层覆盖在所述多个金属柱、所述第二半导体层以及所述多个欧姆接触垫表面;所述第二连接金属与所述加固层连接。

3.如权利要求2所述的led芯片,其特征在于,所述多个欧姆接触垫均匀分布在所述第二半导体层上。

4.如权利要求2所述的led芯片,其特征在于,所述加固层中包括电阻率小于所述第一连接金属的电阻率的子层。

5.如权利要求1所述的led芯片,其特征在于,所述第二连接金属的一部分嵌合在所述多个金属柱中的至少部分金属柱之间。

6.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员:卓俊铖王涛成飞
申请(专利权)人:重庆康佳光电科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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