【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体工艺加工领域，尤其涉及一种温度补偿方法、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。
技术介绍
1、随着半导体工艺加工技术的发展，出现了金属有机化合物化学气相外延沉积(mocvd)工艺，在这个工艺中生长量子阱的温度决定了led的波长，因此需要对于生长量子阱的温度进行调整。
2、传统技术中，是通过相同的石墨盘的上一个批次产品的波长与设定温度的关系来调整下一批次产品的生长量子阱加热温度。
3、然而，根据目前的温度补偿方法获取的产品的波长均匀性仍有待提高。
技术实现思路
1、鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供温度补偿方法、计算机设备、存储介质和计算机程序产品，旨在解决目前的温度补偿方法获取的产品的波长均匀性的问题。
2、一种温度补偿方法，包括：
3、获取历史批次的在前生长量子阱的盘温与片温间的第一温差；
4、获取当前批次的在前生长量子阱的盘温与片温间的第二温差；
5、根据所述第二温差与所述第一温差的差值，补偿当前批次的目标生长量子阱的加热温度。
6、上述可以在石墨盘白盘或者衬底异常时，及时对生长量子阱的加热温度进行调整，从而可以使当前批次产品的波长与历史批次产品的波长均匀一致。因此，根据本方法进行温度补偿之后，可以使得不同批次产品的波长均匀一致。
7、可选地，所述获取历史批次的在前生长量子阱的盘温与片温间的第一温差，包括：
8、获取历史批次的第n个生长量子阱
9、所述获取当前批次的在前生长量子阱的盘温与片温间的第二温差，包括：
10、获取当前批次的第n个生长量子阱的盘温与片温间的第二温差。
11、可选地，根据所述第二温差与所述第一温差的差值，补偿当前批次的目标生长量子阱的加热温度，包括：
12、根据所述第二温差与所述第一温差的差值，补偿当前批次的在前生长量子阱之后的所有生长量子阱的加热温度。
13、可选地，根据所述第二温差与所述第一温差的差值，补偿当前批次的目标生长量子阱的加热温度，包括：
14、根据所述第二温差与所述第一温差的差值，补偿当前批次的第n+1个生长量子阱的加热温度。
15、可选地，所述获取历史批次的在前生长量子阱的盘温与片温间的第一温差之前，包括：
16、获取历史批次的n型半导体层的盘温与片温间的第三温差；
17、获取当前批次的n型半导体层的盘温与片温间的第四温差；
18、根据所述第四温差与所述第三温差的差值，补偿当前批次的在前生长量子阱的加热温度。
19、可选地，所述n型半导体层包括第一n型层、第二n型层，所述第二n型层位于所述第一n型层与生长量子阱之间，
20、所述获取历史批次的n型半导体层的盘温与片温间的第三温差，包括：
21、获取所述历史批次的第一n型层的盘温与片温间的第三温差；
22、所述获取当前批次的n型半导体层的盘温与片温间的第四温差，包括：
23、获取所述当前批次的第一n型层的盘温与片温间的第四温差。
24、可选地，所述获取n型氮化镓的盘温与片温间的第三温差之前，包括：
25、获取历史批次的产品波长；
26、当历史批次的产品波长命中目标波长时，维持生长量子阱的加热温度；
27、当历史批次的产品波长偏移目标波长时，根据波长与温度的关系，补偿生长量子阱的加热温度。
28、基于同样的专利技术构思，本申请还提供一种温度补偿装置，所述装置包括：
29、第一获取模块，用于获取历史批次的在前生长量子阱的盘温与片温间的第一温差；
30、第二获取模块，用于获取当前批次的在前生长量子阱的盘温与片温间的第二温差；
31、补偿模块，用于根据所述第二温差与所述第一温差的差值，补偿当前批次的目标生长量子阱的加热温度。
32、基于同样的专利技术构思，本申请还提供一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1至8中任一项所述的方法的步骤。
33、基于同样的专利技术构思，本申请还提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至8任一项所述的方法的步骤。
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1.一种温度补偿方法，其特征在于，在前生长量子阱为目标生长量子阱之前的生长量子阱，包括：
2.如权利要求1所述的温度补偿方法，其特征在于，
3.如权利要求2所述的温度补偿方法，其特征在于，根据所述第二温差与所述第一温差的差值，补偿当前批次的目标生长量子阱的加热温度，包括：
4.如权利要求2所述的温度补偿方法，其特征在于，根据所述第二温差与所述第一温差的差值，补偿当前批次的目标生长量子阱的加热温度，包括：
5.如权利要求1所述的温度补偿方法，其特征在于，所述获取历史批次的在前生长量子阱的盘温与片温间的第一温差之前，包括：
6.如权利要求5所述的温度补偿方法，其特征在于，所述N型半导体层包括第一N型层、第二N型层，所述第二N型层位于所述第一N型层与生长量子阱之间，
7.如权利要求5所述的温度补偿方法，其特征在于，所述获取N型氮化镓的盘温与片温间的第三温差之前，包括：
8.一种温度补偿装置，其特征在于，所述装置包括：
9.一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，其特征
10.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至8任一项所述的方法的步骤。
...【技术特征摘要】
1.一种温度补偿方法，其特征在于，在前生长量子阱为目标生长量子阱之前的生长量子阱，包括：
2.如权利要求1所述的温度补偿方法，其特征在于，
3.如权利要求2所述的温度补偿方法，其特征在于，根据所述第二温差与所述第一温差的差值，补偿当前批次的目标生长量子阱的加热温度，包括：
4.如权利要求2所述的温度补偿方法，其特征在于，根据所述第二温差与所述第一温差的差值，补偿当前批次的目标生长量子阱的加热温度，包括：
5.如权利要求1所述的温度补偿方法，其特征在于，所述获取历史批次的在前生长量子阱的盘温与片温间的第一温差之前，包括：
6.如权利要求5所述的温度...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈付松，林浩翔，萧俊龙，
申请(专利权)人：重庆康佳光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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