温度补偿方法、计算机设备、存储介质和计算机程序产品技术

本发明专利技术涉及一种温度补偿方法，所述方法包括：获取历史批次的在前生长量子阱的盘温与片温间的第一温差；获取当前批次的在前生长量子阱的盘温与片温间的第二温差；根据所述第二温差与所述第一温差的差值，补偿当前批次的目标生长量子阱的加热温度。本发明专利技术可以在石墨盘白盘或者衬底异常时，及时对生长量子阱的加热温度进行调整，从而可以使当前批次产品的波长与历史批次产品的波长均匀一致。因此，根据本发明专利技术方法进行温度补偿之后，可以使得不同批次产品的波长均匀一致。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体工艺加工领域，尤其涉及一种温度补偿方法、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。

技术介绍

1、随着半导体工艺加工技术的发展，出现了金属有机化合物化学气相外延沉积(mocvd)工艺，在这个工艺中生长量子阱的温度决定了led的波长，因此需要对于生长量子阱的温度进行调整。

2、传统技术中，是通过相同的石墨盘的上一个批次产品的波长与设定温度的关系来调整下一批次产品的生长量子阱加热温度。

3、然而，根据目前的温度补偿方法获取的产品的波长均匀性仍有待提高。

技术实现思路

1、鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供温度补偿方法、计算机设备、存储介质和计算机程序产品，旨在解决目前的温度补偿方法获取的产品的波长均匀性的问题。

2、一种温度补偿方法，包括：

3、获取历史批次的在前生长量子阱的盘温与片温间的第一温差；

4、获取当前批次的在前生长量子阱的盘温与片温间的第二温差；

5、根据所述第二温差与所述第一温差的差值，补偿当前批次的目本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种温度补偿方法，其特征在于，在前生长量子阱为目标生长量子阱之前的生长量子阱，包括：

2.如权利要求1所述的温度补偿方法，其特征在于，

3.如权利要求2所述的温度补偿方法，其特征在于，根据所述第二温差与所述第一温差的差值，补偿当前批次的目标生长量子阱的加热温度，包括：

4.如权利要求2所述的温度补偿方法，其特征在于，根据所述第二温差与所述第一温差的差值，补偿当前批次的目标生长量子阱的加热温度，包括：

5.如权利要求1所述的温度补偿方法，其特征在于，所述获取历史批次的在前生长量子阱的盘温与片温间的第一温差之前，包括：</p>

6.如权...

【技术特征摘要】

1.一种温度补偿方法，其特征在于，在前生长量子阱为目标生长量子阱之前的生长量子阱，包括：

2.如权利要求1所述的温度补偿方法，其特征在于，

3.如权利要求2所述的温度补偿方法，其特征在于，根据所述第二温差与所述第一温差的差值，补偿当前批次的目标生长量子阱的加热温度，包括：

4.如权利要求2所述的温度补偿方法，其特征在于，根据所述第二温差与所述第一温差的差值，补偿当前批次的目标生长量子阱的加热温度，包括：

5.如权利要求1所述的温度补偿方法，其特征在于，所述获取历史批次的在前生长量子阱的盘温与片温间的第一温差之前，包括：

6.如权利要求5所述的温度...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈付松，林浩翔，萧俊龙，
申请(专利权)人：重庆康佳光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：