【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及单晶硅制造，特别是涉及一种底加热器拉弧打火的规避方法。
技术介绍
1、单晶硅棒拉制行业所使用的单晶炉是一种利于热辐射工艺将原料融化的设备，热源主要来源于主加热器与底加热器。而加热器的拉弧、打火现象本质为大电场强度下电压压击穿绝缘介质导致加热器受损，进而造成电阻骤降的现象，总结可归类为3种主要原因，①绝缘介质（氩气）中混入杂质；②与其他炉内部件距离过近；③电压达到击穿电压。加热器电阻会随着正常使用炉数的增加而上升，而随着电阻的上升，在各阶段融化原料时因电压接近额定电压而无法达到指定功率或达到击穿电压导致打火。
2、目前底加热器厂家在出厂前会对加热器的冷态电阻进行测量，根据转换系数测算热态电阻是否能处于额定区间而判断加热器是否合格，而冷态电阻与热态电阻间的转换系数无法精确，进而导致一批不合格的底加热器投入使用。
技术实现思路
1、本专利技术所要解决的技术问题是，克服现有技术的缺点，提供一种底加热器拉弧打火的规避方法。
2、为了解决以上技术问题，本专利技术的技术方案如下：
3、一种底加热器拉弧打火的规避方法，包括：
4、获取不同底加热器的电阻衰减数据，并绘制底加热器电阻衰减正态分布图，得到电阻衰减值期望；
5、获取不同底加热器打火前一刻的电阻阻值，并绘制底加热器电阻峰值正态分布图，得到电阻阻值寿命期望；
6、预估底加热器下炉化料完成时的电阻阻值，预估的所述底加热器下炉化料完成时的电阻阻值等于底加热器上炉
7、根据电阻阻值寿命期望与预估的底加热器下炉化料完成时的电阻阻值的差值，确定相应底加热器的后续使用方案。
8、作为本专利技术所述底加热器拉弧打火的规避方法的一种优选方案，其中：所述获取不同底加热器的电阻衰减数据，并绘制底加热器电阻衰减正态分布图，得到电阻衰减值期望包括：
9、查询后台数据，收集未出现拉弧打火现场的底加热器每使用一炉后的电阻增量，并绘制出不同底加热器的电阻衰减正态分布图，得到电阻衰减值期望。
10、作为本专利技术所述底加热器拉弧打火的规避方法的一种优选方案，其中：所述获取不同底加热器打火前一刻的电阻阻值，并绘制底加热器电阻峰值正态分布图，得到电阻阻值寿命期望包括：
11、查询后台数据，收集打火前最后一次化料时的电阻阻值，并绘制出不同底加热器的电阻峰值正态分布图，得到电阻阻值寿命期望。
12、作为本专利技术所述底加热器拉弧打火的规避方法的一种优选方案，其中：在所述获取底加热器的电阻衰减数据，并绘制底加热器电阻衰减正态分布图，得到电阻衰减值期望之前，还包括：
13、排除底加热器电阻未达到拉弧打火阻值而产生拉弧打火的底加热器。
14、作为本专利技术所述底加热器拉弧打火的规避方法的一种优选方案，其中：所述底加热器的后续使用方案包括：正常使用、降功率使用和停止使用。
15、本专利技术的有益效果是：
16、（1）本专利技术通过预测下炉底加热器的阻值来指定底加热器的使用方案，解决了因底加热器拉弧、打火而造成的炉内功率无法升至指定功率而被迫中止工步或打火的问题，有效提高了原料转化率，进而提高了效益。
17、（2）本专利技术不仅能防止部分电阻因电阻高而导致电压达到击穿电压，进而导致的拉弧打火问题，而且能够根据电阻阻值寿命期望与预测出的底加热器下炉化料完成时的电阻阻值的差值来使底加热器降功率使用，避免达到击穿电压，一定程度上延长了底加热器的使用寿命。
18、（3）本专利技术通过正态分布曲线来得出期望阻值，此举能解决数据初期收集困难造成的偏差问题。
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1.一种底加热器拉弧打火的规避方法，其特征在于：包括：
2.根据权利要求1所述的底加热器拉弧打火的规避方法，其特征在于：所述获取不同底加热器的电阻衰减数据，并绘制底加热器电阻衰减正态分布图，得到电阻衰减值期望包括：
3.根据权利要求1所述的底加热器拉弧打火的规避方法，其特征在于：所述获取不同底加热器打火前一刻的电阻阻值，并绘制底加热器电阻峰值正态分布图，得到电阻阻值寿命期望包括：
4.根据权利要求3所述的底加热器拉弧打火的规避方法，其特征在于：在所述获取底加热器的电阻衰减数据，并绘制底加热器电阻衰减正态分布图，得到电阻衰减值期望之前，还包括：
5.根据权利要求1所述的底加热器拉弧打火的规避方法，其特征在于：所述底加热器的后续使用方案包括：正常使用、降功率使用和停止使用。
【技术特征摘要】
1.一种底加热器拉弧打火的规避方法，其特征在于：包括：
2.根据权利要求1所述的底加热器拉弧打火的规避方法，其特征在于：所述获取不同底加热器的电阻衰减数据，并绘制底加热器电阻衰减正态分布图，得到电阻衰减值期望包括：
3.根据权利要求1所述的底加热器拉弧打火的规避方法，其特征在于：所述获取不同底加热器打火前一刻的电阻阻值，并绘制底加热器电阻...
【专利技术属性】
技术研发人员：王鑫，王军磊，王艺澄，
申请(专利权)人：包头美科硅能源有限公司，
类型：发明
国别省市：
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