【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及芯片的制造方法。
技术介绍
1、将在蓝宝石(al2o3)基板、碳化硅(sic)基板、氮化镓(gan)基板的正面上层叠有光器件层的光器件晶片或在钽酸锂(litao3)基板、铌酸锂(linbo3)基板、碳化硅(sic)基板、金刚石基板、石英基板的正面上形成有saw(表面弹性波)器件的saw晶片等沿着交叉的多条分割预定线切断，从而分割成各个器件而制造芯片。
2、作为对上述的晶片进行分割的方法，公知有如下的激光加工方法：使用对于晶片具有透过性的波长的脉冲激光束，将聚光点定位于要分割的区域的内部而照射脉冲激光束从而形成作为分割起点的改质层，并赋予外力从而进行分割(例如，参照专利文献1)。
3、上述的专利文献1所示的方法对于在晶片的背面上层叠有金属膜或dbr(distributed bragg reflector：分布式布拉格反射器)膜的晶片也能够应用，在对晶片进行了加工时，通过从改质层产生的龟裂，也将层叠的膜分割。
4、然而，近年来，为了提高亮度等目的，存在膜厚度变厚的倾向，与之相伴产生如下的问题：龟裂难以伸展而发生分割不良或崩边。
5、因此，提出了在利用切削刀具或蚀刻将层叠的膜去除之后进行激光加工的方法(例如，参照专利文献2)。
6、专利文献1：日本特许第3408805号公报
7、专利文献2：日本特开2016-164924号公报
8、如果使用专利文献2所示的加工方法，能够解决上述课题，但要求进一步提高生产率。
技
1、因此，本专利技术的目的在于提供芯片的制造方法，将带有膜的晶片可靠地分割并且能够提高生产率。
2、根据本专利技术，提供芯片的制造方法，将在正面或背面上形成有膜的晶片沿着交叉的多条分割预定线进行分割而制造芯片，其中，该芯片的制造方法具有如下的步骤：激光束照射步骤，沿着设定于该晶片的该分割预定线照射激光束，对形成于该正面或该背面的该膜形成烧蚀痕，并且在该晶片的内部形成改质区域；以及分割步骤，在实施了该激光束照射步骤之后，对该晶片赋予外力，沿着通过该激光束照射步骤而形成的烧蚀痕将晶片分割。
3、优选在该激光束照射步骤中，将对于该晶片具有透过性并且对于该膜具有吸收性的波长的激光束的聚光区域定位于从该晶片的内部至该膜的正面或比该正面靠外侧的位置，沿着设定于该晶片的分割预定线照射该激光束，从而与在该晶片的内部形成改质区域同时地对该膜形成烧蚀痕。
4、优选该激光束照射步骤包含如下的步骤：改质区域形成步骤，将对于该晶片具有透过性的波长的激光束的聚光区域定位于该晶片的内部而形成改质区域；以及烧蚀痕形成步骤，在实施了该改质区域形成步骤之后，将对于该膜具有吸收性的波长的激光束的聚光区域定位于该膜的附近而形成烧蚀痕。
5、优选在该激光束照射步骤中，形成于该晶片的内部的改质区域包含细孔和围绕该细孔的非晶质。
6、本专利技术能够起到如下的效果：能够将带有膜的晶片可靠地分割并且能够提高生产率。
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1.一种芯片的制造方法，将在正面或背面上形成有膜的晶片沿着交叉的多条分割预定线进行分割而制造芯片，其中，
2.根据权利要求1所述的芯片的制造方法，其中，
3.根据权利要求1所述的芯片的制造方法，其中，
4.根据权利要求1～3中的任意一项所述的芯片的制造方法，其中，
【技术特征摘要】
1.一种芯片的制造方法，将在正面或背面上形成有膜的晶片沿着交叉的多条分割预定线进行分割而制造芯片，其中，
2.根据权利要求1所述的芯片的制...
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