【技术实现步骤摘要】
本专利技术主要涉及热电材料，更具体而言，涉及包括一种多种过渡金属掺杂的I型 包合物(clathrate)晶体结构的热电材料。
技术介绍
包括I型包合物结构的热电材料可以至少用于发电应用。这样的结构可适合于这 样的应用，至少部分归因于它们低的晶格热导率值。然而，这样的结构可能不适用于中温应 用(例如，约500K至约1000K)，至少因为最大热电优值，ZT，在约1000K下通常小于1。
技术实现思路
—种热电材料，其包括分子式为^MilTMj2…TMAMJmtz的多种过渡金 属掺杂的I型笼状晶体结构。在式中，A选自钡、锶和铕；X选自硅、锗和锡；M选自铝、镓和 铟；TM1, TM2和TMn各自选自3d，4d和5d过渡金属；y” y2、yn和Z分别是TM1, TM2, TMn和M 的实际组成。实际组成基于由下面方程得到的名义组成ζ = 8 · qA- I Δ Q11 yr | Δ q21 y2_. · · - | Δ qn|yn其中，qA是A的电荷态，Δ qi、Δ q2、Δ q3分别是第一、第二和第η个TM的名义电荷 态。具体地说，本专利技术涉及以下方面1、一种热电材料，其...
【技术保护点】
一种热电材料，其包含具有如下通式的多种过渡金属掺杂的Ｉ型包合物晶体结构：Ａ↓［８］ＴＭ↓［ｙ↓［１］］↑［１］ＴＭ↓［ｙ↓［２］］↑［２］．．．ＴＭ↓［ｙ↓［ｎ］］↑［ｎ］Ｍ↓［ｚ］Ｘ↓［４６－ｙ↓［１］－ｙ↓［２］－．．．－ｙ↓［ｎ］－ｚ］其中：Ａ选自钡，锶，和铕；Ｘ选自硅，锗，和锡；Ｍ选自铝，镓，和铟；ＴＭ↑［１］、ＴＭ↑［２］和ＴＭ↑［ｎ］各自选自３ｄ，４ｄ，和５ｄ过渡金属；及ｙ↓［１］，ｙ↓［２］，ｙ↓［ｎ］和Ｚ分别是ＴＭ↑［１］，ＴＭ↑［２］，ＴＭ↑［ｎ］，和Ｍ的实际组成，其中所述实际组成基于由下面的方程得到的名义组成：ｚ＝８.ｑ↓［Ａ］－｜Δｑ↓［１］｜ｙ↓［１...
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：J杨，X施，S白，W张，L陈，J杨，
申请(专利权)人：通用汽车环球科技运作公司，中国科学院上海陶瓷研究所，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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