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本发明涉及包括多种过渡金属掺杂的Ｉ型包合物晶体结构的热电材料。一种热电材料，其包括具有如下通式的多种过渡金属掺杂的Ｉ型包合物晶体结构：在公式中，Ａ选自钡，锶，和铕；Ｘ选自硅，锗，和锡；Ｍ选自铝，镓，和铟；ＴＭ１，ＴＭ２和ＴＭｎ各自选自３ｄ、...该专利属于通用汽车环球科技运作公司;中国科学院上海陶瓷研究所所有，仅供学习研究参考，未经过通用汽车环球科技运作公司;中国科学院上海陶瓷研究所授权不得商用。