本发明专利技术提供加工装置和加工方法，与以往相比能够减少切割加工后的异物附着。加工装置包含：加工机构，其具有对被加工物进行保持的保持单元和对保持单元所保持的被加工物进行加工的加工单元；第1清洗机构，其具有对通过加工单元进行了加工的被加工物进行保持的旋转工作台和对旋转工作台所保持的被加工物提供包含水的清洗流体而对被加工物进行清洗的清洗流体喷嘴；以及第2清洗机构，其具有对通过第1清洗机构进行了清洗的被加工物进行保持的清洗用保持单元、对清洗用保持单元所保持的被加工物提供研磨清洗液的研磨清洗液提供单元以及与被提供了研磨清洗液的被加工物抵接而对被加工物进行研磨从而进行清洗的研磨垫。被加工物进行研磨从而进行清洗的研磨垫。被加工物进行研磨从而进行清洗的研磨垫。
【技术实现步骤摘要】
加工装置和加工方法
[0001]本专利技术涉及加工装置和加工方法。
技术介绍
[0002]在半导体器件的制造工序中使用的切削装置、激光加工装置等切割装置具有旋转清洗机构，利用旋转清洗机构对切削加工或激光加工后的被加工物进行清洗(例如，参照专利文献1)。
[0003]专利文献1：日本特开2022
‑
35059号公报
[0004]近年来，随着器件的高集成化，开始采用将器件晶片正面的平坦的电极彼此对齐而连接的混合接合(hybrid bonding)。在混合接合的情况下，由于将晶片的正面彼此贴合，因此当在晶片正面上附着有异物时可能引起接合不良。因此，在混合接合中，期望与以往的借助凸块的接合相比进一步减少切割后的异物附着。
技术实现思路
[0005]因此，本专利技术的目的在于提供加工装置和加工方法，与以往相比能够减少切割加工后的异物附着。
[0006]根据本专利技术的一个方面，提供加工装置，其对被加工物进行加工，其中，该加工装置包含：加工机构，其具有对被加工物进行保持的保持单元以及对该保持单元所保持的被加工物进行加工的加工单元；第1清洗机构，其具有对通过该加工单元进行了加工的被加工物进行保持的旋转工作台以及对该旋转工作台所保持的被加工物提供包含水的清洗流体而对被加工物进行清洗的清洗流体喷嘴；以及第2清洗机构，其具有对通过该第1清洗机构进行了清洗的被加工物进行保持的清洗用保持单元、对该清洗用保持单元所保持的被加工物提供研磨清洗液的研磨清洗液提供单元以及与被提供了该研磨清洗液的被加工物抵接而对被加工物进行研磨从而进行清洗的研磨垫。
[0007]在所述加工装置中，也可以是，该加工机构具有切削单元和激光加工单元中的任意一方作为该加工单元，其中，该切削单元具有供切削刀具安装的主轴，该激光加工单元具有产生激光束的振荡器以及使该振荡器所产生的激光束对被加工物会聚的聚光器。
[0008]在所述加工装置中，也可以是，该第2清洗机构的该研磨清洗液提供单元具有：第1清洗液提供路，其向该清洗用保持单元所保持的被加工物提供第1研磨清洗液；以及第2研磨清洗液提供路，其向该清洗用保持单元所保持的被加工物提供与第1研磨清洗液不同的第2研磨清洗液。
[0009]根据本专利技术的另一个方面，提供被加工物的加工方法，其中，该加工方法包含如下的步骤：加工步骤，利用保持单元对被加工物进行保持，对该保持单元所保持的被加工物进行加工；第1清洗步骤，在实施了该加工步骤之后，利用旋转工作台对被加工物进行保持并且提供包含水的清洗流体而进行清洗；以及第2清洗步骤，在实施了该第1清洗步骤之后，一边对被加工物提供研磨清洗液一边使研磨垫与被加工物抵接并且利用该研磨垫对被加工
物进行研磨并进行清洗。
[0010]优选所述加工方法还包含如下的第3清洗步骤：在实施了该第2清洗步骤之后，一边对被加工物提供与该研磨清洗液不同的第2研磨清洗液一边利用该研磨垫对被加工物进行研磨而对被加工物进行清洗。
[0011]根据本专利技术的一个方面和另一个方面，与以往相比能够减少切割加工后的异物附着。
附图说明
[0012]图1是示出第1实施方式的加工装置的结构例的立体图。
[0013]图2是图1所示的加工装置的另一立体图。
[0014]图3是图1所示的加工装置的第1清洗机构的立体图。
[0015]图4是图1所示的加工装置的第2清洗机构的立体图。
[0016]图5是示出第1实施方式的加工方法的流程的流程图。
[0017]图6是以局部剖面示意性示出图5所示的加工方法的加工步骤的侧视图。
[0018]图7是以局部剖面示意性示出图5所示的加工方法的第1清洗步骤的侧视图。
[0019]图8是以局部剖面示意性示出图5所示的加工方法的第2清洗步骤的侧视图。
[0020]图9是以局部剖面示意性示出图5所示的加工方法的第3清洗步骤的侧视图。
[0021]图10是以局部剖面示意性示出图5所示的加工方法的第4清洗步骤的侧视图。
[0022]图11是示意性示出激光加工单元的结构的图，该激光加工单元是第1实施方式的变形例的加工装置的加工单元。
[0023]标号说明
[0024]1：加工装置；2：加工机构；3：第1清洗机构；4：第2清洗机构；10：保持单元；20：切削单元(加工单元)；20
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1：激光加工单元(加工单元)21：切削刀具；23：主轴；24：激光束；25：激光振荡器；26：聚光透镜(聚光器)；50：旋转工作台；51：清洗流体喷嘴；54：第1清洗流体(清洗流体)；55：第2清洗流体(清洗流体)；61：清洗用保持单元；62：研磨清洗液提供单元；63：研磨垫；64：第1研磨清洗液(研磨清洗液)；65：第2研磨清洗液(研磨清洗液)；200：被加工物；641：第1清洗液提供路；651：第2清洗液提供路；1001：加工步骤；1002：第1清洗步骤；1003：第2清洗步骤；1004：第3清洗步骤。
具体实施方式
[0025]以下，一边参照附图一边详细地说明本专利技术的实施方式。本专利技术不受以下的实施方式所记载的内容限定。另外，在以下记载的结构要素中包含本领域技术人员容易想到的内容以及实质上相同的内容。而且，以下记载的结构能够适当组合。而且，在不脱离本专利技术的主旨的范围内，可以进行结构的各种省略、置换或变更。
[0026]【第1实施方式】
[0027]根据附图对本专利技术的第1实施方式的加工装置1进行说明。图1是示出第1实施方式的加工装置1的结构例的立体图。图2是图1所示的加工装置1的另一立体图。图3是图1所示的加工装置1的第1清洗机构3的立体图。图4是图1所示的加工装置1的第2清洗机构4的立体图。
[0028](加工装置)
[0029]第1实施方式的加工装置1是对图1所示的被加工物200进行切削加工的切削装置。在第1实施方式中，作为加工装置1的加工对象的被加工物200是以硅、蓝宝石、砷化镓或SiC(碳化硅)等为基板的圆板状的半导体晶片等晶片。在被加工物200中，在正面201上由呈格子状形成的多条分割预定线202呈格子状划分的区域中形成有器件203。
[0030]器件203例如是IC(Integrated Circuit：集成电路)或LSI(Large Scale Integration：大规模集成)等集成电路、CCD(Charge Coupled Device：电荷耦合元件)或存储器(半导体存储装置)。另外，器件203在正面上具有未图示的电极。电极是平坦的，在第1实施方式中，优选电极与器件203的正面位于同一平面上。电极由铜合金等具有导电性的金属构成，与作为其他被加工物的被加工物的器件或器件芯片的器件连接。即，在第1实施方式中，被加工物200是能够在器件203上重叠其他被加工物的器件或器件芯片的器件且器件203的电极与其他被加工物的器件或器件芯片的器件的电极能够接合的被加工物。这样，在第1实施方式中，被加工物200本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种加工装置，其对被加工物进行加工，其中，该加工装置包含：加工机构，其具有对被加工物进行保持的保持单元以及对该保持单元所保持的被加工物进行加工的加工单元；第1清洗机构，其具有对通过该加工单元进行了加工的被加工物进行保持的旋转工作台以及对该旋转工作台所保持的被加工物提供包含水的清洗流体而对被加工物进行清洗的清洗流体喷嘴；以及第2清洗机构，其具有对通过该第1清洗机构进行了清洗的被加工物进行保持的清洗用保持单元、对该清洗用保持单元所保持的被加工物提供研磨清洗液的研磨清洗液提供单元以及与被提供了该研磨清洗液的被加工物抵接而对被加工物进行研磨从而进行清洗的研磨垫。2.根据权利要求1所述的加工装置，其中，该加工机构具有切削单元和激光加工单元中的任意一方作为该加工单元，其中，该切削单元具有供切削刀具安装的主轴，该激光加工单元具有产生激光束的振荡器以及使该振荡器所产生的激光束对被加工物会聚的聚光器。3.根据权利要求1所述的加工装置，其中，...
【专利技术属性】
技术研发人员：山本直子，井上雄贵，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：
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