晶片的加工方法和晶片的加工系统技术方案

本发明专利技术提供晶片的加工方法和晶片的加工系统，能够去除附着于晶片的正面的加工屑。晶片的加工方法包含：外缘部去除步骤，将正面上形成有第1布线层的第1晶片的外缘部从正面去除；以及研磨步骤，在实施了外缘部去除步骤之后，对第1晶片的正面侧的第1布线层进行研磨。对第1晶片的正面侧的第1布线层进行研磨。对第1晶片的正面侧的第1布线层进行研磨。

【技术实现步骤摘要】
晶片的加工方法和晶片的加工系统


[0001]本专利技术涉及晶片的加工方法和晶片的加工系统。

技术介绍

[0002]公知使第1晶片的正面与第2晶片的正面接合而形成贴合晶片的方法(例如，参照专利文献1)。
[0003]专利文献1：日本特开2021
‑
068744号公报
[0004]在将正面上形成有布线层的晶片的背面侧保持于保持工作台并实施将晶片的外缘部从正面侧去除的边缘修剪的工序中，存在加工屑残留于晶片的正面的可能性。特别是，在布线层露出于晶片的正面而在边缘修剪后将晶片的布线层与其他的晶片接合的情况下，当边缘修剪时的加工屑附着于布线层时可能会发生接合不良。

技术实现思路

[0005]因此，本专利技术的目的在于提供晶片的加工方法和晶片的加工系统，能够去除附着于晶片的正面的加工屑。
[0006]根据本专利技术的一个方面，提供晶片的加工方法，该晶片的加工方法具有如下的步骤：外缘部去除步骤，将正面上形成有第1布线层的第1晶片的外缘部从正面去除；以及研磨步骤，在实施了该外缘部去除步骤之后，对该第1晶片的该正面进行研磨。
[0007]优选晶片的加工方法还具有如下的贴合步骤：使该第1晶片与正面上形成有第2布线层的第2晶片贴合，在该贴合步骤中，将该第1布线层与该第2布线层接合。
[0008]优选晶片的加工方法还具有如下的背面磨削步骤：在实施了该贴合步骤之后，将该第1晶片的背面磨削至完工厚度，在该外缘部去除步骤中从正面去除的厚度比该第1晶片的完工厚度深。
[0009]优选该研磨步骤是使用研磨液的湿式研磨。
[0010]优选该研磨步骤是在通过该外缘部去除步骤而提供的加工液残留在该第1晶片的正面上的状态下开始的。
[0011]根据本专利技术的另一方面，提供晶片的加工系统，该晶片的加工系统具有：保持工作台，其对正面上形成有布线层的第1晶片的背面侧进行保持；外缘部去除单元，其从该保持工作台所保持的该第1晶片的正面侧将外缘部去除；研磨单元，其对通过该外缘部去除单元去除了该外缘部的该第1晶片的正面进行研磨；清洗单元，其对通过该研磨单元进行了研磨的该第1晶片进行清洗；以及搬送单元，其在该外缘部去除单元、该研磨单元以及该清洗单元之间搬送该第1晶片。
[0012]优选该研磨单元包含：研磨垫，其与该第1晶片接触；以及研磨液提供单元，其向加工点提供研磨液。
[0013]优选该研磨单元在通过该外缘部去除单元提供的加工液残留在该第1晶片的正面上的状态下开始研磨。
[0014]本专利技术的晶片的加工方法在实施了外缘部去除步骤之后具有研磨步骤，从而能够将通过外缘部去除步骤而附着于第1布线层上的加工屑在第1布线层上干燥固定之前适当地去除加工屑。另外，在研磨步骤中去除附着于第1布线层的加工屑，并且去除异常氧化层和腐蚀层，使未发生异常氧化或腐蚀的面露出而贴合，因此能够降低产生第1布线层的由异常氧化层或腐蚀层引起的接合不良的可能性。
[0015]另外，在实施背面磨削步骤之前，在外缘部去除步骤中去除第1晶片的外缘部而形成比完工厚度深的修剪槽，因此能够防止实施背面磨削步骤时第1晶片形成尖锐边缘而缺损的可能性。进而，在研磨步骤中由研磨单元实施的研磨加工处理是使用了通过研磨液提供单元对加工点提供的研磨液的湿式研磨，因此能够通过研磨液去除形成于第1布线层的露出面的异常氧化层和腐蚀层，使未发生异常氧化或腐蚀的面露出，能够降低在第1布线层与第2晶片的第2布线层之间产生由第1布线层的异常氧化层或腐蚀层引起的接合不良的可能性。
[0016]本专利技术的晶片的加工系统具有：外缘部去除单元，其去除第1晶片的外缘部；研磨单元，其对第1布线层进行研磨；以及搬送单元，其在外缘部去除单元与研磨单元之间搬送第1晶片，因此，能够实施上述的本专利技术的晶片的加工方法，在利用外缘部去除单元去除外缘部时提供的加工液残留在第1晶片的第1布线层上的状态下，能够利用研磨单元对第1布线层进行研磨。因此，在去除外缘部时附着于第1布线层上的加工屑在第1布线层上干燥固定之前，能够适当地去除附着于第1布线层上的加工屑。由此，能够降低在第1布线层与第2晶片的第2布线层之间产生由加工屑引起的接合不良的可能性。
附图说明
[0017]图1是示出实施方式的晶片的加工方法的处理顺序的流程图。
[0018]图2是示出实施方式的晶片的加工系统的结构例的俯视图。
[0019]图3是示出图2的保持工作台和外缘部去除单元的剖视图。
[0020]图4是示出图2的研磨单元的剖视图。
[0021]图5是示出图2的清洗单元的剖视图。
[0022]图6是示出图1的贴合步骤的剖视图。
[0023]图7是示出图1的背面磨削步骤的剖视图。
[0024]标号说明
[0025]1：晶片的加工系统；10：保持工作台；20：外缘部去除单元；40：研磨单元；44：研磨垫；45：研磨液提供单元；49：研磨液；50：清洗单元；60：搬送单元；100：第1晶片；101、111、201、211：正面；102、112、202、212：背面；110：第1基板；120：第1布线层；140：修剪槽；150：精加工厚度；200：第2晶片；210：第2基板；220：第2布线层；300：贴合晶片。
具体实施方式
[0026]以下，参照附图对本专利技术的实施方式进行详细说明。本专利技术不受以下的实施方式所记载的内容限定。另外，在以下记载的结构要素中包含本领域技术人员容易想到的内容以及实质上相同的内容。而且，以下记载的结构能够适当组合。而且，在不脱离本专利技术的主旨的范围内可以进行结构的各种省略、置换或变更。
[0027]根据附图对本专利技术的实施方式的晶片的加工方法和晶片的加工系统1进行说明。图1是示出实施方式的晶片的加工方法的处理顺序的流程图。如图1所示，实施方式的晶片的加工方法具有外缘部去除步骤1001、研磨步骤1002、清洗步骤1003、贴合步骤1004和背面磨削步骤1005。
[0028]图2是示出实施方式的晶片的加工系统1的结构例的俯视图。实施方式的晶片的加工方法的外缘部去除步骤1001、研磨步骤1002以及清洗步骤1003例如通过图2所示的晶片的加工系统1来实施。如图2所示，晶片的加工系统1具有保持工作台10、外缘部去除单元20、背面清洗单元30、研磨单元40、清洗单元50、搬送单元60、盒载置台70、暂放台75以及控制器80。
[0029]作为实施方式的晶片的加工方法和晶片的加工系统1的加工对象的第1晶片100在第1基板110上层叠有第1布线层120。第1基板110例如是以硅、蓝宝石、碳化硅(SiC)、砷化镓、玻璃等为母材的圆板状的半导体晶片或光器件晶片、玻璃、陶瓷、树脂、金属等圆板状的基板等。第1晶片100例如在第1基板110的正面111上形成的格子状的多条分割预定线划分的区域内形成有由芯片尺寸的第1布线层120构成的器件。第1布线层120例如由铜(Cu)等金属形成。这样，第1晶片100的正面101成为第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶片的加工方法，其中，该晶片的加工方法具有如下的步骤：外缘部去除步骤，将正面上形成有第1布线层的第1晶片的外缘部从正面去除；以及研磨步骤，在实施了该外缘部去除步骤之后，对该第1晶片的该正面进行研磨。2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，该晶片的加工方法还具有如下的贴合步骤：使该第1晶片与正面上形成有第2布线层的第2晶片贴合，在该贴合步骤中，将该第1布线层与该第2布线层接合。3.根据权利要求2所述的晶片的加工方法，其中，该晶片的加工方法还具有如下的背面磨削步骤：在实施了该贴合步骤之后，将该第1晶片的背面磨削至完工厚度，在该外缘部去除步骤中从正面去除的厚度比该第1晶片的完工厚度深。4.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，该研磨步骤是使用了研磨液的湿式研磨。5.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，该研磨步骤是在通过该...

【专利技术属性】
技术研发人员：井上雄贵，山本直子，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：