层叠体制造技术

本发明专利技术涉及一种层叠体，其具有：半导体基板

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】层叠体、剥离剂组合物以及经加工的半导体基板的制造方法


[0001]本专利技术涉及一种层叠体
、
剥离剂组合物以及经加工的半导体基板的制造方法
。

技术介绍

[0002]就以往在二维的平面方向上集成而得到的半导体晶片而言，以更进一步的集成化为目的，追求将平面进一步向三维方向集成
(
层叠
)
的半导体集成技术
。
该三维层叠是通过硅贯通电极
(TSV
：
through silicon via)
一边接线一边集成为多层的技术
。
在集成为多层时，通过研磨使待集成的各个晶片的与所形成的电路面相反一侧
(
即背面
)
薄化，层叠经薄化的半导体晶片
。
[0003]薄化前的半导体晶片
(
在此也简称为晶片
)
为了利用研磨装置进行研磨而粘接于支承体
。
此时的粘接必须在研磨后容易剥离，因此称为临时粘接
。
该临时粘接必须容易从支承体拆卸，当对拆卸施加较大的力时，有时经薄化的半导体晶片被切断或发生变形，为了不产生这样的情况，容易拆卸
。
但是，在半导体晶片的背面研磨时，因研磨应力而脱离或偏移，这是不优选的
。
因此，临时粘接所追求的性能是：耐受研磨时的应力，研磨后容易拆卸
。
[0004]例如，追求如下性能：相对于研磨时的平面方向具有高应力
(
强粘接力
)
，相对于拆卸时的纵向具有低应力
(
弱粘接力
)。
[0005]为了这样的粘接和分离工艺，公开了利用激光照射的方法
(
例如参照专利文献
1、2)
，但随着近年来的半导体领域中的进一步的进展，始终谋求与利用激光等光的照射实现的剥离相关的新技术
。
[0006]现有技术文献
[0007]专利文献
[0008]专利文献1：日本特开
2004
－
64040
号公报
[0009]专利文献2：日本特开
2012
－
106486
号公报

技术实现思路

[0010]专利技术所要解决的问题
[0011]此外，在专利文献2所记载的技术中，在清洗半导体基板时利用清洗剂组合物溶解光照射后的分离层是不容易的
。
[0012]本专利技术是鉴于所述情形而完成的，其目的在于，提供一种层叠体
、
剥离剂组合物以及使用了这样的层叠体的经加工的半导体基板的制造方法，所述层叠体能在分离支承基板与半导体基板时容易地分离，并且能在清洗半导体基板时利用清洗剂组合物溶解光照射后的剥离层，所述剥离剂组合物提供适合作为这样的剥离层的膜
。
[0013]用于解决问题的方案
[0014]本专利技术人等为了解决所述的技术问题而进行了深入研究，结果发现能解决所述的技术问题，从而完成了具有以下主旨的本专利技术
。
[0015]即，本专利技术包含以下内容
。
[0016][1]一种层叠体，其具有：半导体基板
、
透光性的支承基板
、
以及设于所述半导体基板与所述支承基板之间的粘接层和剥离层，所述层叠体用于：在所述剥离层吸收了从所述支承基板侧照射的光后所述半导体基板与所述支承基板剥离，所述剥离层是由剥离剂组合物形成的层，所述剥离剂组合物含有如下化合物和有机硅氧烷聚合物，所述化合物是吸收所述光的结构，通过吸收所述光而有助于所述半导体基板与所述支承基板变得容易剥离，并且具有至少一个羟基
。
[0017][2]根据
[1]所述的层叠体，其中，所述化合物具有如下结构，该结构具有构成电子共轭体系的两个以上芳香族环
。
[0018][3]根据
[2]所述的层叠体，其中，所述结构为选自由二苯甲酮结构
、
二苯胺结构
、
二苯基亚砜结构
、
二苯砜结构
、
偶氮苯结构
、
二苯并呋喃结构
、
芴酮结构
、
咔唑结构
、
蒽醌结构
、9
，9－二苯基－
9H
－芴结构
、
萘结构
、
蒽结构
、
菲结构
、
吖啶结构
、
芘结构以及苯基苯并三唑结构构成的组中的结构
。
[0019][4]根据
[1]～
[3]中任一项所述的层叠体，其中，所述化合物为下述式
(1)
～
(7)
中的任意式所示的化合物
。
[0020][0021](
式
(1)
～
(7)
中，
R1～
R
13
各自独立地表示卤素原子或一价基团
。X
表示单键
、
－
O
－
、
－
CO
－
、
－
NR
31
－
(R
31
表示氢原子
、
任选地被取代的烷基或任选地被取代的芳基
)、
－
SO
－
、
－
SO2－或－
N
＝
N
－
。
[0022]Y1表示单键或－
CO
－
。
当
Y1为单键时，
Y2表示－
O
－
、
－
CO
－或－
NR
32
－
(R
32
表示氢原子
、
任选地被取代的烷基或任选地被取代的芳基
)。
当
Y1为－
CO
－时，
Y2表示－
CO
－
。
[0023]n1
为0～5的整数
。
[0024]n2
为0～5的整数
。
[0025]n3
为0～4的整数
。
[0026]n4
为0～4的整数
。
[0027]n5
为0～5的整数
。
[0028]n6
为0～5的整数
。
[0029]n7
为0～4的整数
。
[0030]n8
为0～4的整数
。
[0031]n9
为0～8的整数
。
[0032]n10
为0～
10
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种层叠体，其具有：半导体基板
、
透光性的支承基板
、
以及设于所述半导体基板与所述支承基板之间的粘接层和剥离层，所述层叠体用于：在所述剥离层吸收了从所述支承基板侧照射的光后所述半导体基板与所述支承基板剥离，所述剥离层是由剥离剂组合物形成的层，所述剥离剂组合物含有如下化合物和有机硅氧烷聚合物，所述化合物是吸收所述光的结构，通过吸收所述光而有助于所述半导体基板与所述支承基板变得容易剥离，并且具有至少一个羟基
。2.
根据权利要求1所述的层叠体，其中，所述化合物具有如下结构，该结构具有构成电子共轭体系的两个以上芳香族环
。3.
根据权利要求2所述的层叠体，其中，所述结构为选自由二苯甲酮结构
、
二苯胺结构
、
二苯基亚砜结构
、
二苯砜结构
、
偶氮苯结构
、
二苯并呋喃结构
、
芴酮结构
、
咔唑结构
、
蒽醌结构
、9
，9－二苯基－
9H
－芴结构
、
萘结构
、
蒽结构
、
菲结构
、
吖啶结构
、
芘结构以及苯基苯并三唑结构构成的组中的结构
。4.
根据权利要求1～3中任一项所述的层叠体，其中，所述化合物为下述式
(1)
～
(7)
中的任意式所示的化合物，
式
(1)
～
(7)
中，
R1～
R
13
各自独立地表示卤素原子或一价基团，
X
表示单键
、
－
O
－
、
－
CO
－
、
－
NR
31
－
、
－
SO
－
、
－
SO2－或－
N
＝
N
－，其中，
R
31
表示氢原
子
、
任选地被取代的烷基或任选地被取代的芳基，
Y1表示单键或－
CO
－；当
Y1为单键时，
Y2表示－
O
－
、
－
CO
－或－
NR
32
－，其中，
R
32
表示氢原子
、
任选地被取代的烷基或任选地被取代的芳基；当
Y1为－
CO
－时，
Y2表示－
CO
－，
n1
为0～5的整数；
n2
为0～5的整数；
n3
为0～4的整数；
n4
为0～4的整数；
n5
为0～5的整数；
n6
为0～5的整数；
n7
为0～4的整数；
n8
为0～4的整数；
n9
为0～8的整数；
n10
为0～
10
的整数；
n11
为0～
10
的整数；
n12
为0～4的整数；
n13
为0～5的整数，其中，式
(1)
～
(7)
各自具有至少一个羟基，
*
表示键合键，在
R1～
R
13
各自为多个的情况下，多个
R1～
R
13
任选地相同或不同
。5.
根据权利要求1～4中任一项所述的层叠体，其中，所述有机硅氧烷聚合物包含选自由
SiO2所示的硅氧烷单元即
Q
单元
、R
101
R
102
R
103
SiO
1/2
所示的硅氧烷单元即
M
单元
、R
104
R
105
SiO
2/2
所示的硅氧烷单元即
D
单元以及
R
106
SiO
3/2
所示的硅氧烷单元即
T
单元构成的组中的至少一种，其中，
R
101
～
R
106
各自独立地表示与
Si
键合的氢原子或一价基团
。6.
根据权利要求1～5中任一项所述的层叠体，其中，所述粘接层是由粘接剂组合物形成的层，所述粘接剂组合物含有具有硅氧烷结构的化合物
。7.
根据权利要求6所述的层叠体，其中，所述粘接剂组合物含有固化的成分
(A)。8.
根据权利要求7所述的层叠体，其中，所述成分
(A)
是通过氢化硅烷化反应而固化的成分
。9.
根据权利要求7或8所述的层叠体，其中，所述成分
(A)
含有：具有与硅原子键合的碳原子数2～
40
的烯基的聚有机硅氧烷
(a1)、
具有
Si
－
H
基的聚有机硅氧烷
(a2)、
以及铂族金属系催化剂
(A2)。10.
一种剥离剂组合物，其用于形成层叠体的下述剥离层，所述层叠体具有：半导体基板
、
支承基板
、
以及设于所述半导体基板与所述支承基板之间的粘接层和剥离层，并且所述层叠体用于：在所述剥离层吸收了从所述支承基板侧照射的光后所述半导体基板与所述支
承基板剥离，所述剥离剂组合物含有如下化合物和有机硅氧烷聚合物，所述化合物是吸收所述光的结构，通过吸收所述光而有助于所述半导体基板与所述支承基板变得容易剥离，并且具有至少一个羟基
。11.
根据权利要求
10
所述的剥...

【专利技术属性】
技术研发人员：森谷俊介，奥野贵久，
申请(专利权)人：日产化学株式会社，
类型：发明
国别省市：