【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】层叠体、剥离剂组合物以及经加工的半导体基板的制造方法
[0001]本专利技术涉及一种层叠体
、
剥离剂组合物以及经加工的半导体基板的制造方法
。
技术介绍
[0002]就以往在二维的平面方向上集成而得到的半导体晶片而言,以更进一步的集成化为目的,追求将平面进一步向三维方向集成
(
层叠
)
的半导体集成技术
。
该三维层叠是通过硅贯通电极
(TSV
:
through silicon via)
一边接线一边集成为多层的技术
。
在集成为多层时,通过研磨使待集成的各个晶片的与所形成的电路面相反一侧
(
即背面
)
薄化,层叠经薄化的半导体晶片
。
[0003]薄化前的半导体晶片
(
在此也简称为晶片
)
为了利用研磨装置进行研磨而粘接于支承体
。
此时的粘接必须在研磨后容易剥离,因此称为临时粘接
。
该临时粘接必须容易从支承体拆卸,当对拆卸施加较大的力时,有时经薄化的半导体晶片被切断或发生变形,为了不产生这样的情况,容易拆卸
。
但是,在半导体晶片的背面研磨时,因研磨应力而脱离或偏移,这是不优选的
。
因此,临时粘接所追求的性能是:耐受研磨时的应力,研磨后容易拆卸
。
[0004]例如,追求如下性能:相对于研磨时的平面方向具有高应力
( ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种层叠体,其具有:半导体基板
、
透光性的支承基板
、
以及设于所述半导体基板与所述支承基板之间的粘接层和剥离层,所述层叠体用于:在所述剥离层吸收了从所述支承基板侧照射的光后所述半导体基板与所述支承基板剥离,所述剥离层是由剥离剂组合物形成的层,所述剥离剂组合物含有具有第一结构和作为第二结构的硅氧烷结构的化合物,所述第一结构是吸收所述光的结构,通过吸收所述光而有助于所述半导体基板与所述支承基板变得容易剥离,并且具有构成
π
电子共轭体系的两个以上芳香族环
。2.
根据权利要求1所述的层叠体,其中,所述第一结构具有选自由二苯甲酮结构
、
二苯胺结构
、
二苯基亚砜结构
、
二苯砜结构
、
偶氮苯结构
、
二苯并呋喃结构
、
芴酮结构
、
咔唑结构
、
蒽醌结构
、9
,9-二苯基-
9H
-芴结构
、
萘结构
、
蒽结构
、
菲结构
、
吖啶结构
、
芘结构以及苯基苯并三唑结构构成的组中的结构
。3.
根据权利要求1或2所述的层叠体,其中,所述第一结构为下述式
(1)
~
(7)
中的任意式所示的结构,
式
(1)
~
(7)
中,
R1~
R
13
各自独立地表示卤素原子或一价基团,
X
表示单键
、
-
O
-
、
-
CO
-
、
-
NR
31
-
、
-
SO
-
、
-
SO2-或-
N
=
N
-,其中,
R
31
表示氢原子
、
任选地被取代的烷基或任选地被取代的芳基,
Y1表示单键或-
CO
-;当
Y1为单键时,
Y2表示-
O
-
、
-
CO
-或-
NR
32
-,其中,
R
32
表示氢原子
、
任选地被取代的烷基或任选地被取代的芳基;当
Y1为-
CO
-时,
Y2表示-
CO
-,
n1
为0~4的整数;
n2
为0~5的整数;
n3
为0~3的整数;
n4
为0~4的整数;
n5
为0~4的整数;
n6
为0~5的整数;
n7
为0~4的整数;
n8
为0~4的整数;
n9
为0~7的整数;
n10
为0~9的整数;
n11
为0~9的整数;
n12
为0~4的整数;
n13
为0~4的整数,
*
表示键合键,在
R1~
R
13
各自为多个的情况下,多个
R1~
R
13
任选地相同或不同
。4.
根据权利要求1~3中任一项所述的层叠体,其中,所述第一结构具有至少一个羟基
。5.
根据权利要求1~4中任一项所述的层叠体,其中,所述第二结构包含选自由
SiO2所示的硅氧烷单元即
Q
单元
、R
101
R
102
R
103
SiO
1/2
所示的硅氧烷单元即
M
单元
、R
104
R
105
SiO
2/2
所示的硅氧烷单元即
D
单元以及
R
106
SiO
3/2
所示的硅氧烷单元即
T
单元构成的组中的至少一种,其中,
R
101
~
R
106
各自独立地表示与
Si
键合的氢原子或一价基团,或表示使
Si
与所述第一结构键合的单键或连接基团
。6.
根据权利要求5所述的层叠体,其中,所述第一结构与所述
M
单元
、
所述
D
单元以及所述
T
单元中的任意者的
Si
经由单键或连接基团键合
。7.
根据权利要求6所述的层叠体,其中,所述第一结构与所述
M
单元
、
所述
D
单元以及所述
T
单元中的任意者的
Si
经由连接基团键合,所述连接基团选自由碳原子数1~
10
的亚烷基
、
酯键
、
醚键
、
酰胺键
、
氨基甲酸酯键
、
脲键
、
以及它们中的两者以上的组合构成的组中
。8.
根据权利要求1~7中任一项所述的层叠体,其中,所述粘接层是由粘接剂组合物形成的层,所述粘接剂组合物含有具有硅氧烷结构的化合物
。9.
根据权利要求8所述的层叠体,其中,所述粘接剂组合物含有固化的成分
(A)。10.
根据权利要求9所述的层叠体,其中,所述成分
(A)
是通过氢化硅烷化反应而固化的成分
。11.
根据权利要求9或
10
所述的层叠体,其中,所述成分
(A)
含有:具有与硅原子键合的碳原子数2~
40
的烯基的聚有机硅氧烷
(a1)、
具有
Si
-
H
基的聚有机硅氧烷
(a2)、
以及铂族金属系催化剂
(A2)。12.
一种剥离剂组合物,其用于形成层叠体的下述剥离层,所述层叠体具有:半导体基板
、
支承基板
、
以及设于所述半导体基板与所述支承基板之间的粘接层和剥离层,并且所述层叠体用于:在所述剥离层吸收了从所述支承基板侧照射的光后所述半导体基板与所述支
承基板剥离,所述剥离剂组合物含有具有第一结构和作为第二结构的硅氧烷结构的化合物,所述第一结构是吸收所述光的结构,通过吸收所述光而有助于所述半导体基板与所述支承基板变得容易剥离,并且具有构成
π
电子共轭体系的两个以上芳香族环
。13.
根据权利要求
12
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