半导体装置的制造方法制造方法及图纸

半导体装置的制造方法，具备以下工序：对于具有多个元件区域的半导体基板的第1表面，沿着上述元件区域的边界推抵推压部件，从而在上述半导体基板的第1表面侧，形成沿着上述边界并且在上述半导体基板的厚度方向上延伸的裂纹的工序；在形成上述裂纹的上述工序之后，在上述第1表面形成跨上述多个元件区域的金属膜的工序；以及在形成上述金属膜的上述工序之后，从位于上述第1表面的背侧的第2表面侧沿着上述边界将分割部件推抵于上述半导体基板，从而沿着上述边界将上述半导体基板和上述金属膜分割的工序。膜分割的工序。膜分割的工序。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法


[0001]本说明书公开的技术涉及半导体装置的制造方法。

技术介绍

[0002]在专利文献1中，关于半导体装置的制造方法，公开了将在背面形成有金属膜的半导体基板进行分割的技术。根据该制造方法，首先，对于在背面形成有金属膜的半导体基板的表面，通过等离子蚀刻沿着分割预定线形成分割槽。分割槽从表面以使不达到金属膜的规定的残留量残留的方式形成。然后，沿着分割预定线从半导体基板的表面施加外力，从而将在分割槽与金属膜之间存在的上述残留量进行分割。专利文献1中，通过将残留量分割时的冲击将金属膜分割。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2017－41525号公报

技术实现思路

[0006]专利文献1中，由于以残留规定的残留量的方式形成分割槽，所以需要正确地控制分割槽的深度。此外，专利文献1中，由于在形成分割槽时利用等离子蚀刻等，所以制造成本高。本说明书中，提出用于将在表面形成有金属膜的半导体基板进行分割的新技术。
[0007]本公开的一形态的半导体装置的制造方法，具备以下工序：对于具有多个元件区域的半导体基板的第1表面，沿着上述元件区域的边界将推压部件推抵，从而在上述半导体基板中形成沿着上述边界并且在上述半导体基板的厚度方向上延伸的裂纹的工序；在形成上述裂纹的上述工序之后，在上述第1表面形成跨上述多个元件区域的金属膜的工序；以及在形成上述金属膜的上述工序之后，从位于上述第1表面的背侧的第2表面侧，沿着上述边界将分割部件推抵于上述半导体基板，从而沿着上述边界将上述半导体基板和上述金属膜分割的工序。
[0008]根据该制造方法，首先，将推压部件推抵于半导体基板的第1表面，在半导体基板中形成裂纹。裂纹从第1表面侧形成。然后，在第1表面形成金属膜，从第2表面侧将分割部件推抵。裂纹由于形成在半导体基板的第1表面侧，所以距分割部件的前端部分的距离较远。因此，在从第2表面侧将分割部件推抵于半导体基板的情况下，使裂纹扩大且在将隔着裂纹而相邻的区域拉开的方向上施加力。结果，裂纹在半导体基板的厚度方向上伸展。由此，沿着元件区域的边界将半导体基板分割。此外，与半导体基板的隔着裂纹而相邻的区域同样地，对于金属膜的跨裂纹而相邻的区域，也在拉开方向上施加力，金属膜的跨裂纹而相邻的区域彼此也被拉开从而金属膜也被分割。这样，根据上述的制造方法，通过将推压部件和分割部件对半导体基板进行推抵这样的简单工序，能够将金属膜与半导体基板一起分割。此外，在对第1表面形成金属膜之前，在半导体基板的第1表面侧预先形成裂纹，所以能够通过从第2表面侧将分割部件推抵的一个工序，将半导体基板与金属膜一起分割。
附图说明
[0009]图1是半导体基板的平面图。
[0010]图2是用于说明支承板粘贴工序的图。
[0011]图3是用于说明磨削工序的图。
[0012]图4是用于说明裂纹形成工序的图。
[0013]图5是用于说明形成有裂纹的形态的图。
[0014]图6A是从斜上方观察形成有裂纹的半导体基板的剖面的扫描电子显微镜图像。
[0015]图6B是形成有裂纹的半导体基板的剖面的扫描电子显微镜图像。
[0016]图7是用于说明金属膜形成工序的图。
[0017]图8是用于说明切割带粘贴工序的图。
[0018]图9是用于说明支承板剥离工序的图。
[0019]图10是用于说明保护部件覆盖工序的图。
[0020]图11是用于说明分割工序的图。
[0021]图12是用于说明拾取工序的图。
具体实施方式
[0022]根据本说明书公开的一例的制造方法，可以还具备在形成上述裂纹的上述工序之前对上述第2表面粘贴支承板的工序、以及在形成上述金属膜的上述工序之后且进行上述分割的上述工序之前将上述支承板从上述第2表面剥离的工序。
[0023]根据这样的结构，在将支承板粘贴于半导体基板的状态下，在半导体基板形成裂纹。通过由硬材料构成支承板，当将推压部件推抵于半导体基板时，能够以比较低的荷重在半导体基板形成裂纹。
[0024]根据本说明书公开的一例的制造方法，上述推压部件可以是划线轮(scribing wheel)，将上述推压部件推抵可以是使划线轮转动，在形成上述裂纹的上述工序中，可以在上述第1表面沿着上述边界形成伴随着在上述半导体基板的上述厚度方向上延伸的上述裂纹的划线。
[0025]根据这样的结构，使划线轮为圆板状(圆环状)而可旋转地进行轴支承，从而通过使划线轮转动，能够沿着元件区域的边界容易地形成裂纹。
[0026]根据本说明书公开的一例的制造方法，在形成上述金属膜的上述工序之后且进行上述剥离的上述工序之前，可以还具备对上述金属膜的表面粘贴切割带的工序。
[0027]根据这样的结构，在粘贴了切割带的状态下，将半导体基板和金属膜进行分割。由于半导体基板(金属膜)被切割带固定，所以在将分割部件推抵于半导体基板时，能够抑制半导体基板的位置偏差，能够防止所得到的半导体装置(分割后的半导体基板)彼此散乱。
[0028]根据本说明书公开的一例的制造方法，在进行上述分割的上述工序之前，可以还具备通过保护部件将上述第2表面覆盖的工序。在进行上述分割的上述工序中，可以隔着上述保护部件从上述第2表面侧沿着上述边界推抵上述分割部件。
[0029]根据这样的结构，在将第2表面用保护部件覆盖的状态下将分割部件推抵于半导体基板。由于第2表面被保护部件保护，所以能够防止分割部件将第2表面损伤。
[0030](实施方式)
[0031]参照附图说明实施方式的制造方法。图1是以矩阵状形成有多个元件区域3的半导体基板2的平面图。图1中，用实线示意地表示各元件区域3。为了方便说明，将相邻的元件区域3之间的边界且在之后成为将半导体基板2分割为各个元件区域3时通过分割得到的各个元件区域(半导体装置)的端边的线称作分割预定线4。分割预定线4不是实际在半导体基板2之上标记的线，是假想线。分割预定线4也可以是以能够目视的方式实际在半导体基板2之上描绘的线或槽。在各元件区域3，形成了具有晶体管、二极管等的功能的半导体元件。
[0032]半导体基板2由SiC(碳化硅)构成。另外，半导体基板2也可以由Si(硅)、GaN(氮化镓)等其他半导体材料构成。如图2等所示，半导体基板2具有第1表面2a和位于第1表面2a的背侧的第2表面2b。在半导体基板2的第2表面2b，形成有栅极、沟道等半导体元件的主要构造6。
[0033]实施方式的制造方法包括支承板粘贴工序、裂纹形成工序、金属膜形成工序、切割带粘贴工序、支承板剥离工序、保护部件覆盖工序、分割工序。
[0034](支承板粘贴工序)
[0035]在支承板粘贴工序中，如图2所示，对半导体基板2的第2表面2b粘贴支承板12。支承板12经由粘接剂11粘贴于第2表面2b。支承板12例如由玻璃构成。粘接剂11例如是硅类粘接本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备以下工序：对于具有多个元件区域的半导体基板的第1表面，沿着上述元件区域的边界将推压部件推抵，从而在上述半导体基板中形成沿着上述边界并且在上述半导体基板的厚度方向上延伸的裂纹的工序；在形成上述裂纹的上述工序之后，在上述第1表面形成跨上述多个元件区域的金属膜的工序；以及在形成上述金属膜的上述工序之后，从位于上述第1表面的背侧的第2表面侧，沿着上述边界将分割部件推抵于上述半导体基板，从而沿着上述边界将上述半导体基板和上述金属膜分割的工序。2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，上述推压部件是划线轮，推抵上述推压部件是指使划线轮转动，在形成上述裂纹的上述工序中，在上述第1表面，沿着上述边界，形成伴随在上述半导体基板的上述厚度方向上延伸的上述裂纹的划线。3.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：植茶雅史，南云裕司，奥田胜，长屋正武，北市充，森亮，木山直哉，武田真和，
申请(专利权)人：丰田自动车株式会社未来瞻科技株式会社三星钻石工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：