双振膜制造技术

本申请实施例公开了一种双振膜

【技术实现步骤摘要】
双振膜MEMS声音感测芯片


[0001]本申请属于微机电
，具体地，本申请涉及一种双振膜
MEMS 声音感测芯片
。

技术介绍

[0002]随着电子技术的快速发展，
MEMS(
微电子机械系统
)
麦克风以其体积小
、
便于
SMT(
表面贴装技术
)
安装
、
耐高温
、
稳定性好
、
自动化程度高和适合大批量生产等优点得到了越来越广泛的应用
。
[0003]其中，
MEMS
麦克风产品中包含基于电容检测的
MEMS
芯片，
MEMS
芯片的电容会随着输入声音信号的不同产生相应的变化，从而产生一个变化的电信号，实现声
‑
电转换功能
。MEMS
芯片包括单一背板芯片
、
双层背板芯片以及双层振膜芯片等
。
[0004]双层振膜芯片的灵敏度高，同时电容变化的准确性高
。
但是，随着振膜数量的增加，现有的双振膜
MEMS
芯片在使用过程中会产生较大的寄生电容，导致麦克风的灵敏度下降，声学性能降低
。

技术实现思路

[0005]本申请实施例的一个目的是提供一种双振膜
MEMS
声音感测芯片的新技术方案
。
[0006]根据本申请实施例的第一方面，提供了一种双振膜
MEMS
声音感测芯片，包括基底
、
背极板
、
第一振膜以及第二振膜：
[0007]所述基底上设置有作为声腔的通口，所述声腔周围设置有支撑结构，所述支撑结构对应的区域为支撑区，所述支撑结构的内侧对应的区域为振动区，所述振动区与所述声腔对应；
[0008]所述第一振膜
、
所述背极板以及所述第二振膜通过所述支撑结构设置于所述基底上并且延伸至所述振动区，所述第一振膜与所述第二振膜间隔设置于所述背极板的两侧；
[0009]所述第一振膜或所述第二振膜具有振膜导电层以及振膜支撑层，所述振膜支撑层固定在所述支撑区并延伸至所述振动区，所述振膜导电层设置于所述振膜支撑层上并且位于所述振动区内
。
[0010]可选地，所述振膜导电层设置于所述振膜支撑层内部
。
[0011]可选地，所述振膜导电层设置于所述振膜支撑层的靠近所述背极板的一侧
。
[0012]可选地，所述振膜导电层设置于所述振膜支撑层的背离所述背极板的一侧
。
[0013]可选地，所述振膜导电层的面积小于所述支撑结构围成的振动区朝向所述背极板的投影面积，所述振膜导电层上连接有振膜引线，所述振膜引线从所述振膜导电层上延伸至所述支撑区
。
[0014]可选地，所述振膜导电层的面积为所述振动区朝向所述第一振膜或所述第二振膜的投影区域面积的
30
％
‑
95
％
。
[0015]可选地，所述第一振膜与所述第二振膜之间设置有间隔排布的支撑柱，所述支撑
柱穿过所述背极板与所述第一振膜和
/
或所述第二振膜连接
。
[0016]可选地，所述第一振膜与所述第二振膜之间形成密封空间，所述密封空间内部气压小于外界环境气压
。
[0017]可选地，所述第一振膜和所述第二振膜上开设有泄气孔，所述泄气孔被配置为平衡基底声腔与环境气压
。
[0018]可选地，所述背极板包括背极绝缘层和背极导电层，所述背极绝缘层设置于所述背极导电层的两侧
。
[0019]可选地，所述基底与所述第一振膜之间通过所述支撑结构隔开
。
[0020]本申请实施例的一个技术效果在于：本申请通过设置仅位于振动区内的振膜导电层，从而在第一振膜及第二振膜的振动过程中，尽可能减少第一振膜与背极板
、
第二振膜与背极板在支撑区部分产生的寄生电容，提高 MEMS
芯片产生的有效电容，进而提高麦克风的声学性能
。
[0021]通过以下参照附图对本申请的示例性实施例的详细描述，本申请的其它特征及其优点将会变得清楚
。
附图说明
[0022]被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本申请的实施例，并且连同其说明一起用于解释本申请的原理
。
[0023]图1为本申请实施例提供的双振膜
MEMS
声音感测芯片实施例一的示意图；
[0024]图2为本申请实施例提供的双振膜
MEMS
声音感测芯片实施例二的示意图；
[0025]图3为本申请实施例提供的双振膜
MEMS
声音感测芯片实施例三的示意图；
[0026]图4为本申请实施例提供的双振膜
MEMS
声音感测芯片实施例四的示意图
。
[0027]图5为本申请实施例提供的双振膜
MEMS
声音感测芯片实施例五的示意图
。
[0028]图6为本申请实施例提供的双振膜
MEMS
声音感测芯片实施例六的示意图；
[0029]图7是本申请实施例提供的双振膜
MEMS
声音感测芯片中振膜导电层
、
振膜引线及振动区的结构示意图
。
[0030]其中：
1、
基底；
11、
通口；
2、
背极板；
21、
背极绝缘层；
22、
背极导电层；
3、
第一振膜；
4、
第二振膜；
5、
支撑结构；
51、
第一支撑结构； 52、
第二支撑结构；
53、
第三支撑结构；
S1、
支撑区；
S2、
振动区；
6、
振膜导电层；
7、
振膜支撑层；
8、
振膜引线；
9、
支撑柱；
10、
泄气孔
。
具体实施方式
[0031]现在将参照附图来详细描述本申请的各种示例性实施例
。
应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置
、
数字表达式和数值不限制本申请的范围
。
[0032]以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本申请及其应用或使用的任何限制
。
[0033]对于相关领域普通技术人员已知的技术
、
方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术
、
方法和设备应当被视为本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种双振膜
MEMS
声音感测芯片，其特征在于，包括基底
(1)、
背极板
(2)、
第一振膜
(3)
以及第二振膜
(4)
：所述基底
(1)
上设置有作为声腔的通口
(11)
，所述声腔周围设置有支撑结构
(5)
，所述支撑结构
(5)
对应的区域为支撑区，所述支撑结构
(5)
的内侧对应的区域为振动区，所述振动区与所述声腔对应；所述第一振膜
(3)、
所述背极板
(2)
以及所述第二振膜
(4)
通过所述支撑结构
(5)
设置于所述基底
(1)
上并且延伸至所述振动区，所述第一振膜
(3)
与所述第二振膜
(4)
间隔设置于所述背极板
(2)
的两侧；所述第一振膜
(3)
或所述第二振膜
(4)
具有振膜导电层
(6)
以及振膜支撑层
(7)
，所述振膜支撑层
(7)
固定在所述支撑区并延伸至所述振动区，所述振膜导电层
(6)
设置于所述振膜支撑层
(7)
上并且位于所述振动区内
。2.
根据权利要求1所述的双振膜
MEMS
声音感测芯片，其特征在于，所述振膜导电层
(6)
设置于所述振膜支撑层
(7)
内部
。3.
根据权利要求1所述的双振膜
MEMS
声音感测芯片，其特征在于，所述振膜导电层
(6)
设置于所述振膜支撑层
(7)
的靠近所述背极板
(2)
的一侧
。4.
根据权利要求1所述的双振膜
MEMS
声音感测芯片，其特征在于，所述振膜导电层
(6)
设置于所述振膜支撑层
(7)
的背离所述背极板
(2)
的一侧
。5.
根据权利要求1所述的双振膜
MEMS
声音感测芯片，其特征在于，所述振膜导电层
(6)
的面积小于所述支撑结构
(5)
围成的振动区朝向所述背极板
...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱冠勋，邹泉波，王喆，
申请(专利权)人：歌尔微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：