本发明专利技术公开了曝光机台、图案化薄膜的形成方法、图案化光刻胶层的形成方法、主动元件阵列基板以及图案化薄膜，该曝光机台适于对一薄膜上的一光刻胶层进行曝光，以于光刻胶层上形成多个条状曝光图案，而曝光机台包括一光源、一透镜组以及一光掩模。透镜组配置于光刻胶层与光源之间，透镜组包括多个彼此平行排列的条状透镜，其中任二相邻条状透镜的重迭区域定义为一透镜接合区域，而透镜接合区域以外的区域则定义为多个透镜区域。光掩模配置于光刻胶层与透镜组之间，其中光掩模具有多个遮光图案，遮光图案的外轮廓对应于条状曝光图案，而各遮光图案分别具有一条状开口，且条状开口的延伸方向实质上平行于遮光图案的延伸方向。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种曝光机台、阵列基板、图案化薄膜、图案化光刻胶层，且涉及一种 能曝出较小间距的曝光机台。
技术介绍
随着液晶显示器的显示规格不断地朝向大尺寸发展，市场对于液晶显示器的性能 要求是朝向高对比(High Contrast Ratio)、快速反应与广视角等特性，为了克服大尺寸液 晶显示面板的视角问题，液晶显示面板的广视角技术也必须不停地进步与突破。其中，以多 域垂直配向式(Multi-domain VerticalAlignment mode, MVA mode)的液晶显示面板为目 前较为常见的广视角技术，如多域垂直配向式(Multi-domain Vertical Alignment, MVA) 液晶显示面板、聚合物稳定配向(Polymer Stabilized Alignment, PSA)液晶显示面板等。以聚合物稳定配向液晶显示面板为例，其像素电极包括多组条状图案，且各组条 状图案之间以条状狭缝(slit)彼此分隔，这些条状图案例如是将像素电极划分为四个配 向区域，使得液晶层内的液晶分子呈现多方向的倾倒，而达到广视角的需求。然而，以现有 技术来看，条状图案的宽度(line width)与间隔(即狭缝的宽度)通常为5微米及3微米 的组合，然而，在宽度/间隔为5微米/3微米的设计条件下，聚合物稳定配向液晶显示面板 的液晶效率(liquidcrystal efficiency)仍有改善的空间。因此，为了进一步提升聚合物 稳定配向液晶显示面板的液晶效率，必须从缩小条状图案以及狭缝的宽度着手。一般来说，条状图案的间距(pitch)主要是由作为其掩模层的图案化光刻胶层决 定，而图案化光刻胶层的间距则取决于光掩模的遮光图案的宽度及图案设计。此外，由于曝 光机台的透镜组是由多个彼此平行排列的条状透镜所组成，因此，任二相邻条状透镜的衔 接处会具有一重迭区域，这些重迭区域的光学特性会较差，而导致通过这些重迭区域的光 线较弱。换言之，在相同的曝光条件下，会因为重迭区域的存在，导致对应到重迭区域的光 刻胶材料层的曝光剂量不足，而曝出具有较大宽度及较小间隔的光刻胶图案。如此一来，以 光刻胶图案为掩模所形成的条状图案虽具有相同的间距(即宽度与间隔的总和相同)，但 会具有不同的宽度/间隔比例，导致聚合物稳定配向液晶显示面板的显示画面出现亮暗线 的问题，即所谓的透镜色不均(Lens mura)。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种曝光机台，能曝出较小间距。本专利技术另提供一种图案化薄膜的形成方法和图案化光刻胶层的形成方法，其采用 上述曝光机台来进行曝光，以形成具有较小间距的图案。本专利技术又提供一种主动元件阵列基板，其中分布于不同区域的图案具有不同的临 界尺寸。本专利技术再提供一种图案化薄膜，其中分布于不同区域的图案具有不同的宽度/间 隔比例。为实现上述目的，本专利技术提出一种曝光机台，适于对一薄膜上的一光刻胶层进行 曝光，以于光刻胶层上形成多个条状曝光图案，而曝光机台包括一光源、一透镜组以及一光 掩模。透镜组配置于光刻胶层与光源之间，透镜组包括多个彼此平行排列的条状透镜，其中 任二相邻条状透镜的重迭区域定义为一透镜接合区域，而透镜接合区域以外的区域则定义 为多个透镜区域。光掩模配置于光刻胶层与透镜组之间，其中光掩模具有多个遮光图案，遮 光图案的外轮廓对应于条状曝光图案，而各遮光图案分别具有一条状开口，且条状开口的 延伸方向实质上平行于遮光图案的延伸方向。其中，各该遮光图案的宽度为L，任二相邻遮光图案之间的间隔为S，且宽度L与间 隔S的总和为6微米。其中，宽度L为4微米，间隔S为2微米。 其中，宽度L为3. 5微米，间隔S为2. 5微米。其中，该光掩模具有多个第一曝光区域以及多个第二曝光区域，该第一曝光区域 与该第二曝光区域交替排列，各该第一曝光区域分别对应于其中一透镜接合区域，且各该 第二曝光区域分别对应于其中一透镜区域。其中，位于该第一曝光区域内的遮光图案包括多个第一遮光图案，各该第一遮光 图案分别具有一第一条状开口 ；以及多个第二遮光图案，各该第二遮光图案分别具有一第 二条状开口，其中各该第一条状开口的宽度为SB1，各该第二条状开口的宽度为SB2，且宽 度SBl小于宽度SB2。其中，在该第二曝光区域内，各该遮光图案的条状开口的宽度为SB，且宽度SB等 于宽度SB1。其中，宽度SBl为1.0微米，宽度SB2为1. 1微米。其中，该第二遮光图案随机分布于该第一曝光区域内。其中，该第二遮光图案在该第一曝光区域内的分布密度由中央往两侧递减。本专利技术另提出一种图案化薄膜的形成方法。首先，于一薄膜上形成一光刻胶层。接 着，将已形成有光刻胶层的薄膜置于前文所述的曝光机台内，对光刻胶层进行曝光。然后， 对光刻胶层进行显影，以于薄膜上形成一图案化光刻胶层。而后，以图案化光刻胶层为掩 模，图案化薄膜。本专利技术又提出一种图案化光刻胶层的形成方法。首先，将一光刻胶层置于前文所 述的曝光机台内，对光刻胶层进行曝光。接着，对光刻胶层进行显影，以于薄膜上形成一图 案化光刻胶层。本专利技术再提出一种主动元件阵列基板。主动元件阵列基板具有多个第一区域以及 多个第二区域，其中第一区域内的图案化薄膜的临界尺寸为CD1，第二区域包括多个随机分 布的补偿区域，分布于补偿区域内的图案化薄膜的临界尺寸为CD2，而分布于补偿区域以外 的图案化薄膜的临界尺寸为CD3，且临界尺寸CD2小于临界尺寸CD3。其中，在该第二区域内，该补偿区域所占的面积比率由中央往两侧递减。其中，临界尺寸⑶1等于临界尺寸⑶3。其中，临界尺寸⑶1小于临界尺寸⑶3。本专利技术另提出一种图案化薄膜。图案化薄膜包括多个阵列排列的像素电极，且各 像素电极包括多组不同延伸方向的条状图案，图案化薄膜具有多个第一区域以及多个第二区域，其中第一区域内的像素电极的宽度/间隔比例为L1/S1，第二区域包括多个随机分布 的补偿区域，分布于补偿区域内的像素电极的宽度/间隔比例为L2/S2，而分布于补偿区域 以外的像素电极的宽度/间隔比例为L3/S3，且宽度/间隔比例L2/S2小于宽度/间隔比例 L3/S3。其中，该像素电极为聚合物稳定配向型态的像素电极。其中，宽度/间隔比例L1/S1的范围为1.4 3。其中，宽度/间隔比例L2/S2的范围为0. 7 1. 3。其中，宽度/间隔比例L3/S3的范围为1. 4 3。基于上述，本专利技术的曝光机台能曝出具有较小间距的图案，且由于光掩模的遮光 图案是对应于透镜组设计，因而能补偿透镜组的透镜接合区域与透镜区域在光学特性上的 差异。附图说明图IA是根据本专利技术一实施例的一种曝光机台的示意图；图IB是图IA的光掩模的上视示意图；图2A至图2C是根据本专利技术一实施例的一种图案化薄膜的形成方法的流程剖面示 意图；图3是根据本专利技术一实施例的一种主动元件阵列基板的示意图；图4是根据本专利技术一实施例的一种图案化薄膜的上视示意图。其中，附图标记100 曝光机台110:光源120 透镜组122 条状透镜124:透镜接合区域126 透镜区域130 光掩模l32a、l32b 曝光区域134a、134b、134c 遮光图案136a、136b、136c 条状开 口195 材料层200 薄膜210、2IOa 光刻胶本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种曝光机台，适于对一薄膜上的一光刻胶层进行曝光，以于该光刻胶层上形成多个条状曝光图案，其特征在于，该曝光机台包括：一光源；一透镜组，配置于该光刻胶层与该光源之间，该透镜组包括多个彼此平行排列的条状透镜，其中任二相邻条状透镜的重迭区域定义为一透镜接合区域，该些透镜接合区域以外的区域则定义为多个透镜区域；以及一光掩模，配置于该光刻胶层与该透镜组之间，其中该光掩模具有多个遮光图案，该遮光图案的外轮廓对应于该条状曝光图案，各该遮光图案分别具有一条状开口，且该条状开口的延伸方向平行于该遮光图案的延伸方向。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：萧祥志，廖达文，杨志敏，陈珊芳，张雅萍，杨启宏，廖崇源，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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