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一种制备纳米二氧化硅的方法技术

技术编号:3962912 阅读:204 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提供了一种制备纳米二氧化硅的方法,该方法将氨气通过微孔滤膜或微孔筛板后,从垂直方向分散到流动的氟硅酸铵水溶液中,使氨气与氟硅酸铵水溶液错流流动;氨气被错流流动的氟硅酸铵水溶液剪切成微小气泡,该氨气微小气泡与氟硅酸铵水溶液混合反应,制得纳米二氧化硅。本发明专利技术利用液相错流剪切的微孔分散方法制备纳米二氧化硅颗粒,其生产成本低、操作简便、过程可控;并且制备出的纳米二氧化硅颗粒粒径小、比表面积大且分布均匀。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种纳米二氧化硅的制备方法,具体地说,涉及一种利用液相错流剪 切的微孔分散法制备纳米二氧化硅的方法
技术介绍
纳米二氧化硅具有体积效应和量子隧道效应等特殊性能,广泛应用于硅橡胶、涂 料、造纸、食品、化妆品、医药等领域。目前常用的纳米二氧化硅制备方法主要有以下两类 (1)气相法四氯化硅在氢氧焰中水解制备纳米二氧化硅。(2)液相法分为直接沉淀法及 水解法两种,前者以水玻璃、以及盐酸或其他酸化剂为原料,直接沉淀反应制备纳米二氧化 硅;后者以无机盐或金属醇盐为初始原料,利用原料的水解反应制备纳米二氧化硅。但是,上述方法都存在着各自的缺点,气相法及水解法能制备出粒度小、比表面积 大的纳米二氧化硅颗粒,但其反应复杂、产量小、成本高;直接沉淀法虽然成本较低,但其制 备所得颗粒的粒度偏大、比表面积小、单分散性不佳。直接沉淀法产生上述缺点的原因在于 各物料的微观混合差,直接沉淀时反应无法在体系内均勻进行,此外反应放热导致温度分 布不均勻,颗粒生长难以控制等也是重要原因之一。为了解决上述问题,本专利技术人在直接沉淀法的基础上,利用流体剪切的微孔分散 方法制备纳米二氧化硅。利用流体剪切的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备纳米二氧化硅的方法,其特征在于,将氨气通过微孔滤膜或微孔筛板后,从垂直方向分散到流动的氟硅酸铵水溶液中,使氨气与氟硅酸铵水溶液错流流动;氨气被错流流动的氟硅酸铵水溶液剪切成微小气泡,该氨气微小气泡与氟硅酸铵水溶液混合反应,制得纳米二氧化硅。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:骆广生杜乐吕阳成王玉军
申请(专利权)人:清华大学
类型:发明
国别省市:11[中国|北京]

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