线路板的制造方法技术

本发明专利技术提供一种线路板的制造方法，其包括下述工序：准备线路板的工序；将线路板配置在支承台上的工序；通过将光从上述线路板的上侧朝向上述线路板照射来检测图案反射光、台反射光和异物反射光，利用它们之间的对比检查导体图案及异物的工序。在检查导体图案及异物的工序中，台反射光的反射率为２５～５５％，异物反射光的反射率为１０％以下。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，具体涉及挠性线路板等的。
技术介绍
挠性线路板等的线路板包括基底绝缘层；形成在基底绝缘层上的导体图案；在 基底绝缘层上形成为覆盖导体图案的覆盖绝缘层。在该线路板的制造过程中，公知有依次 形成基底绝缘层、导体图案及覆盖绝缘层，然后光学检测导体图案的形状的好坏。例如，提出有这样的方案如图5所示，将包括基底绝缘层42、导体图案41及覆盖 绝缘层45的线路板40载置在金属制的支承台44的上表面，然后从上侧对线路板40照射 光，利用被线路板40反射的反射光检查导体图案41 (例如，参照日本特开2006-112845号 公报)。具体而言，利用C⑶摄像机检测作为反射光的、光通过覆盖绝缘层45而被导体图 案41反射而成的图案反射光51，并利用CCD摄像机检测作为反射光的、光通过覆盖绝缘层 45及从导体图案41暴露的基底绝缘层42而被支承台44反射的台反射光52。并且，在日本特开2006-112845号公报中的导体图案41的检查过程中，利用图案 反射光51和台反射光52的光量差、即它们之间的对比度(明暗差)识别导体图案41的形 状，从而判断导体图案41的形状的好坏。另外，在日本特开2006-112845号公报中，在图案反射光51和台反射光52之间的 对比度较低的情况下，存在难以识别导体图案41的形状的问题，为了消除该问题，提出有 这样的方案通过将台反射光52的反射率降低到10%以下，能确保图案反射光51和台反 射光52之间的较高的对比度。另一方面，以往提出有这样的方案在布线电路图案的制造过程中，检查出存在于 导体图案上的异物(例如，日本特开平11-307883号公报)。具体而言，如图5的实线所示，在异物46由橡胶等树脂材料构成的情况下，光通过 覆盖绝缘层45而被异物46反射的异物反射光53的反射率较低，因此，能确保异物反射光 53和图案反射光51之间的较高的对比度，从而能检查存在于导体图案41上的异物。但是，如图5的虚线所示，在从导体图案41暴露的基底绝缘层42的上表面存在有 异物46时，异物反射光53及台反射光52的反射率都较低，因此，它们之间的对比度变得较 低。因此，难以检查出存在于从导体图案41暴露的基底绝缘层42的上表面的异物46。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种，其能容易且同时实施导体图案的 检查和存在于从导体图案暴露的基底绝缘层上的异物的检查。本专利技术的的特征在于，该制造方法包括下述工序准备线路板的工序，该线路板包括基底绝缘层、形成在上述基底绝缘层上的导体 图案、和在上述基底绝缘层上形成为覆盖上述导体图案的覆盖绝缘层；将上述线路板配置在支承台上的工序；通过将光从上述线路板的上侧朝向上述线路板照射来检测图案反射光、台反射光和异物反射光，利用它们之间的对比度检查上述导体图案及上述异物的工序， 上述图案反射光是上述光通过上述覆盖绝缘层被上述导体图案反射而成的；上述台反射光 是上述光通过上述覆盖绝缘层及从上述导体图案暴露的上述基底绝缘层被上述支承台反 射而成的；上述异物反射光是上述光通过上述覆盖绝缘层被存在于从上述导体图案暴露的 上述基底绝缘层上的异物反射而成的；在检查上述导体图案及上述异物的工序中，上述台反射光的反射率为25 55%， 上述异物反射光的反射率为10%以下。另外，在本专利技术的中，优选上述基底绝缘层及上述覆盖绝缘层 的光透射率分别为60%以上。另外，在本专利技术的中，优选上述图案反射光的反射率比上述台 反射光的反射率高20%以上。另外，在本专利技术的中，优选上述光的波长为500nm以上。采用本专利技术的，在检查导体图案及异物的工序中，台反射光的 反射率为25 55%，异物反射光的反射率为10%以下。因此，能够较均衡地、且较高地设定图案反射光与台反射光之间的对比度、台反射 光与异物反射光之间的对比度。因此，能容易且同时实施导体图案的检查和存在于从导体图案暴露的基底绝缘层 上的异物的检查。附图说明图1是沿利用本专利技术的制造成的线路板的一实施方式的宽度 方向剖切的剖视图。图2是本专利技术的的一实施方式的工序图，其中，(a)是准备基底绝缘层的工序；(b)是形成导体图案的工序；(c)是形成覆盖绝缘层的工序；(d)是在不存在异物、正常形成有布线的线路板中检查导体图案及异物的工序；(d')是在存在有异物、布线短路的线路板中检查导体图案及异物的工序。图3是用于实施图2的实施方式的输送装置的概略结构图。图4是用于实施检查工序的检查装置的概略结构图。图5是以往技术的说明图，表示检查在导体图案上存在有异物的线路板的工序。图6表示实施例1的检查工序的图像处理图。图7表示实施例2的检查工序的图像处理图。图8表示实施例3的检查工序的图像处理图。图9表示比较例1的检查工序的图像处理图。图10表示比较例2的检查工序的图像处理图。图11表示比较例3的检查工序的图像处理图。具体实施例方式图1是沿利用本专利技术的制造成的线路板的一实施方式的宽度 方向(与长度方向正交的方向)剖切的剖视图，图2是本专利技术的的一实 施方式的工序图，图3是用于实施图2的实施方式的输送装置的概略结构图，图4是用于实 施后述的检查工序的检查装置的概略结构图。在图1中，该线路 板1是形成为沿长度方向延伸的平带薄片状的挠性线路板，其包 括基底绝缘层2、形成在基底绝缘层2上的导体图案3、以覆盖导体图案3的方式在基底绝 缘层2上形成的覆盖绝缘层5。作为形成基底绝缘层2的绝缘材料，例如使用聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺 (Polyamideimide)、丙烯、聚醚腈、聚醚磺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二 醇酯、聚氯乙烯等的合成树脂。从耐热性、光的透过性等方面考虑，优选使用聚酰亚胺。另外，根据需要，在上述的绝缘材料中添加颜料等。为了调整后述的检查工序中的 台反射光8的反射率R2，以适当的比例添加颜料。基底绝缘层2与沿长度方向延伸的线路板1的外形形状相对应地形成为平带薄片 状。基底绝缘层2相对于波长500nm以上的光(优选500 1500nm的光，更优选500 IOOOnm的光)的光透射率Tl例如为60%以上，优选为70%以上，更优选为80%以上，通常 为100%以下。基底绝缘层2的光透射率Tl在不满足上述范围的情况下，有时难以将台反射光8 的反射率R2(后述)设定在期望的范围内。上述的基底绝缘层2的光透射率Tl能够这样算出在线路板1的基底绝缘层2之 夕卜，由上述绝缘材料形成与基底绝缘层2大致相同厚度的薄片(基底用薄片)，利用分光光 度计等测量并算出该薄片的光透射率，将其作为上述光透射率Tl。另外，基底绝缘层2的厚度例如为5 50 μ m，优选为10 40 μ m。作为用于形成导体图案3的导体材料，例如使用铜、镍、金、焊锡或它们的合金等 的导体材料。从电阻、对光的反射性的方面出发，优选使用铜。导体图案3 —体地包括沿长度方向延伸、在宽度方向相互空开间隔地排列配置 的布线6和配置在各布线6的长度方向两端部的未图示的端子部。另外，各布线6被覆盖绝 缘层5覆盖，而未图示的各端子部从覆盖绝缘层5暴露。另外，导体图案3形成为截面(宽 度方向截面)大致矩形状。导体图案3的厚度例如为3 30 μ m，优选为5 20 μ m。另外，各布线6及各端子 部的宽度(宽度方向长度)可以相本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种线路板的制造方法，其特征在于，该制造方法包括下述工序：准备线路板的工序，该线路板包括基底绝缘层、形成在上述基底绝缘层上的导体图案、以覆盖上述导体图案的方式形成在上述基底绝缘层上的覆盖绝缘层；将上述线路板配置在支承台上的工序；通过从上述线路板的上侧朝向上述线路板照射光来检测图案反射光、台反射光和异物反射光，利用该图案反射光、台反射光和异物反射光之间的对比度检查上述导体图案及上述异物的工序，上述图案反射光是上述光通过上述覆盖绝缘层被上述导体图案反射而成的；上述台反射光是上述光通过上述覆盖绝缘层及从上述导体图案暴露的上述基底绝缘层被上述支承台反射而成的；上述异物反射光是上述光通过上述覆盖绝缘层被存在于从上述导体图案暴露的上述基底绝缘层上的异物反射而成的；在检查上述导体图案及上述异物的工序中，上述台反射光的反射率为２５～５５％，上述异物反射光的反射率为１０％以下。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：丰田佳弘，井原辉一，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]