双金属氧化物半导体纳米晶溶胶的低温可控制备方法技术

本发明专利技术涉及一种双金属氧化物半导体纳米晶溶胶的低温可控制备方法，属于半导体纳米晶的制备技术领域。以两种可溶性金属无机盐溶于水，在搅拌下滴加碱溶液，并调节ｐＨ值至中性；得白色沉淀，静止陈化后，进行抽滤洗涤；将所得滤饼重新溶解在溶剂中，随后超声分散；在冰浴和搅拌下滴加过氧化物解胶，并在９５℃下回流加热得到过氧金属氧化物系溶胶，转移至高压反应釜中于１００～２００℃下晶化，制得双金属氧化物半导体纳米晶溶胶。本发明专利技术由二元复合过氧化物制备双金属氧化物半导体纳米晶溶胶，在适宜的反应条件制备的溶胶晶粒尺寸小且晶型和形貌可控；在制备过程中避免了表面活性剂的加入，无需高温煅烧。所制得的溶胶在室内空气净化、杀菌抑菌防霉、光电转化、传感器等领域存在着广阔的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种由二元复合过氧化物制备双金属氧化物半导体纳米晶溶胶的低 温可控制备方法，属于半导体纳米材料的制备工艺

技术介绍
近些年，双金属氧化物半导体材料因在光照、电场、磁场等外界作用表现出的诸 多特殊性能引起了研究者的极大关注。双金属氧化物半导体材料极大地改善了单半导体 的性能，拓宽了新材料的发现与半导体材料的应用范围。目前制备双金属氧化物半导体 材料通常采用化学气相沉淀法、溶胶_凝胶法、热氧化法、浸渍-烧结法等。如Hiroaki Uchiyama等经高温煅烧制备了金红石型(TihSnx)O2,与纯的TiO2相比，它的光吸收和 光催化性质都得到了改善，但高温煅烧对设备的要求很高，不利于大规模生产(Hiroaki Uchiyama and Hiroaki Imai. Crystal growth of metastable rutile-type TixSn1^O2 solid solutions in an aqueous system :Chem. Com.，2005，6014-6016)。Fernando Fresno等采用反相微乳液法经高温煅烧制备了(Tih本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双金属氧化物半导体纳米晶溶胶的低温可控制备方法，其特征在于该方法具有如下工艺过程：以两种可溶性金属无机盐为前驱体，将其溶于水，配制成０．１～０．４ｍｏｌ／Ｌ的水溶液；在搅拌下滴加碱溶液，并调节ｐＨ值至中性；得白色沉淀，并静止陈化后，进行抽滤、洗涤；然后将所得沉淀物滤饼重新溶解在一定的不同溶剂中，不同的溶剂可得到不同的晶化结果；随后超声分散；然后在冰浴和不断搅拌下滴加过氧化物解胶，并在９５℃下回流加热４ｈ得到过氧金属氧化物系溶胶，将所得过氧金属氧化物系溶胶转移至高压反应釜中，于１００～２００℃下晶化６～１８个小时，制得双金属氧化物半导体纳米晶溶胶。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：施利毅，赵尹，刘佳，袁帅，方建慧，
申请(专利权)人：上海大学，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]