一种基于分离式P柱的高雪崩耐量的SJMOS及制备方法技术

本发明专利技术提供一种基于分离式P柱的高雪崩耐量的SJMOS及制备方法，该SJMOS包括：P

【技术实现步骤摘要】
一种基于分离式P柱的高雪崩耐量的SJMOS及制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种基于分离式P柱的高雪崩耐量的SJMOS及制备方法。

技术介绍

[0002]所有功率MOSFET器件都有额定最大反向电压，即VDSS。如果漏源电压超过此限制，则会在反向偏置的p
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n结上产生高电场。由于强电离的作用，这些高电场会产生电子
‑
空穴对，它们会出现不受控制的倍增效应，导致载流子浓度进一步增加，这就是雪崩效应。雪崩效应会导致流经器件的电流增加，从而导致高功耗、快速升温和潜在的器件损坏。
[0003]在超过MOSFET的击穿电压时，通常会发生雪崩，这通常是由于非钳位电感开关(UIS)造成的，其中器件的使用超出了其数据表规范。因此，设计人员应尽一切合理努力避免MOSFET工作在雪崩状态。实际上，在大电流应用中，由于MOSFET封装和PCB走线中的寄生电感或变压器漏感(例如在反激式转换器中)，会导致关断瞬态高压。通过漏极电压的钳位效应可观察雪崩。在这种情况下，雪崩事件会产生漏极电流，在电场强度更本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于分离式P柱的高雪崩耐量的SJMOS，其特征在于，包括：P
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pillar、P
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well区、N
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drift层；所述P
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pillar位于N型衬底上方；所述P
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well区连接源极和栅极；所述P
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pillar和所述P
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well区中间有所述N
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drift层。2.根据权利要求1所述的一种基于分离式P柱的高雪崩耐量的SJMOS，其特征在于，所述P
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pillar中的杂质浓度根据高度方向渐变。3.根据权利要求1所述的一种基于分离式P柱的高雪崩耐量的SJMOS，其特征在于，所述N
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drift层中的杂质浓度根据高度方向渐变。4.根据权利要求1所述的一种基于分离式P柱的高雪崩耐量的SJMOS，其特征在于，所述P
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pillar的上层的杂质浓度高于下层的杂质浓度或所述P
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pillar的下层的杂质浓度高于上层的杂质浓度。5.根据权利要求1所述的一种基于分离式P柱的高雪崩耐量的SJMOS，其特征在于，所述N
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drift层的上层的杂质浓度低于下层的杂质浓度或所述N
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drift的下层的杂质浓度低于上层的杂质浓度。6.根据权利要求1所述的一种基于分离式P柱的高雪崩耐量的SJMOS，其特征在于，所述P
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pillar至少包括三层，第一层为高浓度掺杂P
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【专利技术属性】
技术研发人员：刘涛，
申请(专利权)人：天狼芯半导体成都有限公司，
类型：发明
国别省市：