发光元件及发光装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体器件领域，特别是提供一种发光元件及发光装置。发光元件包括：半导体结构，其包括依序堆叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层；第一绝缘层位于半导体结构上且覆盖半导体结构的部分表面和侧壁区域，至少裸露出第一半导体层的部分表面；连接电极位于第一绝缘层上，覆盖第一绝缘层中裸露的第一半导体层的部分表面；第二绝缘层位于连接电极上，至少裸露出连接电极的部分表面；以及焊盘电极，位于第二绝缘层上，包括相互分离的第一焊盘电极和第二焊盘电极，其中，第一焊盘电极通过连接电极和第一半导体层电性连接，第二焊盘电极穿过连接电极与第二半导体层电性连接。盘电极穿过连接电极与第二半导体层电性连接。盘电极穿过连接电极与第二半导体层电性连接。

【技术实现步骤摘要】
发光元件及发光装置


[0001]本专利技术涉及半导体器件造
，特别涉及一种发光元件及发光装置。

技术介绍

[0002]发光二极管(英文Light Emitting Diode，简称LED)包含有不同的发光材料及发光部件，是一种固态半导体发光元件。它因成本低、功耗低、光效高、体积小、节能环保、具有良好的可靠性等优点而被广泛应用于照明、可见光通信及发光显示等各种场景。
[0003]随着汽车行业智能化的深度发展，对于车用芯片的需求在不断增加。近年来我国车用照明行业中所用的LED芯片市场对其质量与可靠性能等方面的要求更为严格。在芯片的正负电极的中心区域处设置有P、N电流的注入区域，该电流注入区域与其周围的焊盘电极(PAD)在结构上具有一定的高度差，此高度差使得该区域在焊接过程中发生异常，影响芯片的可靠性，进而降低了封装后芯片的产品品质。

技术实现思路

[0004]为达本专利技术中的至少一个优点或其他优点，本专利技术的一实施例提出一种发光元件，至少包括半导体结构、第一绝缘层、连接电极、第二绝缘层和焊盘电极。半导体结构包括依序堆叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层。第一绝缘层位于半导体结构上且覆盖半导体结构的部分表面和侧壁区域，至少裸露出第一半导体层的部分表面。连接电极位于第一绝缘层上，覆盖第一绝缘层中裸露的第一半导体层的部分表面。第二绝缘层位于连接电极上，至少裸露出连接电极的部分表面。焊盘电极位于第二绝缘层上，包括相互分离的第一焊盘电极和第二焊盘电极，其中，第一焊盘电极通过连接电极和第一半导体层电性连接，第二焊盘电极穿过连接电极与第二半导体层电性连接。
[0005]在一些实施例中，发光元件还可包括透明导电层、反射电极层和电极包覆层，位于半导体结构与第一绝缘层之间，且依序堆叠设置于第二半导体层上。
[0006]在一些实施例中，焊盘电极包括主体部和围绕所述主体部的边缘部，第二绝缘层具有开口部，第二绝缘层的开口部位于焊盘电极中的边缘部。
[0007]在一些实施例中，第二绝缘层中的开口部包括第一开口部，第一焊盘电极包括第一主体部和围绕所述第一主体部的第一边缘部，第一开口部位于第一边缘部的下方，部分第一边缘部通过第一开口部与连接电极接触。
[0008]在一些实施例中，第一焊盘电极中第一主体部与第二绝缘层接触。
[0009]在一些实施例中，在第一焊盘电极中，第一边缘部的部分表面与第一主体部的表面各自所处的平面具有不同的高度。可以理解为，在第一焊盘电极中，第一主体部的外缘突出于第一边缘部的部分外缘；或者是说第一边缘部的部分表面低于第一主体部的表面。
[0010]在一些实施例中，第二绝缘层中的开口部包括第二开口部，第二焊盘电极包括第二主体部和围绕所述第二主体部的第二边缘部，第二开口部位于第二边缘部的下方，部分第二边缘部通过第二开口部与电极包覆层接触。
[0011]在一些实施例中，第二焊盘电极中第二主体部与第二绝缘层接触。
[0012]在一些实施例中，发光元件还可包括缓冲部。缓冲部位于半导体结构上，与连接电极通过一环状开口电性隔绝，第二焊盘电极在半导体结构上的投影与环状开口在半导体结构上的投影部分重叠。
[0013]在一些实施例中，第二绝缘层的开口部位于连接电极与缓冲部中环状开口的重叠区域中。
[0014]在一些实施例中，缓冲部与第一焊盘电极电性隔绝。
[0015]在一些实施例中，电极包覆层包覆反射电极层，反射电极层在半导体结构上的投影位于电极包覆层在半导体结构上的投影的范围内。
[0016]在一些实施例中，第一焊盘电极的边缘与半导体结构的边缘(发光区的边缘)之间的间距为5微米至80微米，第二焊盘电极的边缘与半导体结构的边缘之间的间距为5微米至80微米。
[0017]为达本专利技术中的至少一个优点或其他优点，本专利技术的一实施例提出一种发光装置，包括：封装基板，设有第一电极垫和第二电极垫；以及发光元件，装设于封装基板上，包括第一焊盘电极和第二焊盘电极；其中，第一焊盘电极与第二焊盘电极之间的间距小于第一电极垫与第二电极垫之间的间距。
[0018]本专利技术的其它特征和有益效果将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他有益效果可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
[0019]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图；在下面描述中附图所述的位置关系，若无特别指明，皆是图示中组件绘示的方向为基准。
[0020]图1为现有发光元件一实施例的俯视图；
[0021]图2为现有发光元件因封装外力发生分层现象的照片的示意图；
[0022]图3为本专利技术中发光元件一实施例的俯视结构示意图；
[0023]图4为沿图3的截取线X
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X截取的剖面示意图；
[0024]图5为图3所示发光元件第一变形实施例的俯视结构示意图；
[0025]图6至图9为图3所示发光元件不同变形实施例的俯视结构示意图；
[0026]图10为本专利技术中发光装置一实施例的结构示意图。
[0027]附图标记：1、1'
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发光元件；10
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衬底；20、20'
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半导体结构；21
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第一半导体层；22
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有源层；23
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第二半导体层；30
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第一绝缘层；31
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导电开孔；40
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透明导电层；50
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反射电极层；60
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电极包覆层；70、70'
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连接电极；71
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连接开口部；80、80'
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第二绝缘层；82、82'
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开口部；821
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第一开口部；822
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第二开口部；90、90'
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焊盘电极；91
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第一焊盘电极；911
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第一主体部；912
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第一边缘部；92
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第二焊盘电极；921
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第二主体部；922
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第二边缘部；93
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主体部；94
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边缘部；100
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缓冲部；101
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环状开口；200
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发光装置；210
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封装基板；211
‑
第一电极垫；212
‑
第
二电极垫；L1、L2、D1、D2
‑
间距。
具体实施方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光元件，其特征在于，包括：半导体结构，其包括依序堆叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层；第一绝缘层，位于所述半导体结构上且覆盖所述半导体结构的部分表面和侧壁区域，至少裸露出所述第一半导体层的部分表面；连接电极，位于所述第一绝缘层上，覆盖所述第一绝缘层中裸露的所述第一半导体层的部分表面；第二绝缘层，位于所述连接电极上，至少裸露出所述连接电极的部分表面；以及焊盘电极，位于所述第二绝缘层上，包括相互分离的第一焊盘电极和第二焊盘电极，其中，所述第一焊盘电极通过所述连接电极和所述第一半导体层电性连接，所述第二焊盘电极穿过所述连接电极与所述第二半导体层电性连接。2.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于：还包括透明导电层、反射电极层和电极包覆层，位于所述半导体结构与所述第一绝缘层之间，且依序堆叠设置于所述第二半导体层上。3.根据权利要求2所述的发光元件，其特征在于：所述焊盘电极包括主体部和围绕所述主体部的边缘部，所述第二绝缘层具有开口部，所述第二绝缘层的所述开口部位于所述焊盘电极的所述边缘部的下方。4.根据权利要求3所述的发光元件，其特征在于：所述第二绝缘层的所述开口部包括第一开口部，所述第一焊盘电极包括第一主体部和围绕所述第一主体部的第一边缘部，所述第一开口部位于所述第一边缘部的下方，部分所述第一边缘部通过所述第一开口部与所述连接电极接触。5.根据权利要求4所述的发光元件，其特征在于：所述第一主体部与所述第二绝缘层接触。6.根据权利要求4所述的发光元件，其特征在于：所述第一边缘部的部分表面与所述第一主体部的表面各自所处的平面具有不同的高度。...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄秀丽，于艳玲，王月娇，黄少华，蔡吉明，张中英，
申请(专利权)人：泉州三安半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：