本实用新型专利技术实施例公开了一种电极、微型LED芯片阵列、发光模组及发光装置，该电极包括浸润层、间隔层和至少两个铝层，间隔层包括第一层、至少一个中间层和第二层，浸润层覆盖于第一层，使得浸润层能够与其上的键合金属在界面处形成合金，以能够增强键合强度；由于至少两个铝层设置于第一层与第二层之间，且相邻的每两个铝层之间设置有中间层，能够抑制各铝层受热后产生的突起，从而提高产品的成品率。从而提高产品的成品率。从而提高产品的成品率。
【技术实现步骤摘要】
电极、微型LED芯片阵列、发光模组及发光装置
[0001]本技术涉及芯片
，尤其涉及一种电极、微型LED芯片阵列、发光模组及发光装置。
技术介绍
[0002]Micro LED行业电子束蒸镀电极需要使用钛/铝/钛金属，因铝本身材料特性，再遇到高温工艺出现铝应力释放出现突起，因此需要钛层抑制铝的突起。当铝的厚度在5000A以上时，这就导致在钛/铝/钛金属制作的电极上再高温工艺氮化硅或氧化硅薄膜后，钛层无法抑制铝应力释放出现的突起，会导致氮化硅或氧化硅薄膜膜附着不佳破损，从而导致产品不良。
技术实现思路
[0003]基于此，有必要提供一种电极、微型LED芯片阵列、发光模组及发光装置，旨在解决当铝的厚度在5000A以上时，这就导致在钛/铝/钛金属制作的电极上再高温工艺氮化硅或氧化硅薄膜后，钛层无法抑制铝应力释放出现的突起，会导致氮化硅或氧化硅薄膜膜附着不佳破损，从而导致产品不良的问题。
[0004]第一方面，本技术提供了一种电极，包括：浸润层、间隔层和至少两个铝层，所述间隔层包括第一层、至少一个中间层和第二层；其中，
[0005]所述浸润层覆盖于所述第一层；
[0006]所述至少两个铝层设置于所述第一层与所述第二层之间，且相邻的每两个所述铝层之间设置有中间层。
[0007]在其中一种实施例中，所述至少一个中间层中的每个中间层，分别包括热膨胀系数小于设定阈值的金属。
[0008]在其中一种实施例中，所述中间层包括钛、镍、铬、钼和铂中的至少一种。
[0009]在其中一种实施例中，所述第一层包括钛、镍、铬、钼和铂中的至少一种，所述第二层包括钛、镍、铬、钼和铂中的至少一种。
[0010]在其中一种实施例中，所述第一层、所述第二层分别为钛层；所述浸润层为金层。
[0011]在其中一种实施例中，所述至少两个铝层中的每一铝层的厚度为2500A至3500A，所述第一层为50A至200A，所述至少一个中间层中的每个中间层的厚度为50A至200A，所述第二层的厚度为200A至500A。
[0012]在其中一种实施例中，所述铝层设有三个，所述中间层设有两个，三个所述铝层设置于所述第一层和所述第二层之间，且中间层设置在相邻的每两个所述铝层之间，所述第一层、所述中间层和所述第二层均为钛层；
[0013]或，
[0014]所述铝层设有三个，所述中间层设有两个，三个所述铝层设置于所述第一层和所述第二层之间，且中间层设置在相邻的每两个所述铝层之间，所述第一层和所述第二层均
为钛层，两个中间层中靠近所述浸润层的中间层为钼层，远离所述浸润层的中间层为镍层；
[0015]或，
[0016]所述铝层设有四个，所述中间层设有三个，四个所述铝层设置于所述第一层和所述第二层之间，且所述中间层设置在相邻的每两个所述铝层之间，所述第一层和所述第二层均为钛层，三个中间层中靠近所述浸润层的中间层为钼层，次靠近所述浸润层的中间层为镍层，远离所述浸润层的中间层为铬层。
[0017]第二方面，本技术还提供了一种微型LED芯片阵列，所述微型LED芯片阵列包括台面结构，所述台面结构包括至少一个凸台，所述至少一个凸台中的每个凸台上设有至少一个发光单元；其中，
[0018]所述凸台依次包括第一半导体层、量子阱结构和第二半导体层；
[0019]上述任一实施例所述的电极，设置在所述台面结构的第一半导体层和第二半导体层上。
[0020]第三方面，本技术还提供了一种发光模组，所述发光模组包括：
[0021]驱动基板；
[0022]上述实施例的微型LED芯片阵列，其键合在所述驱动基板上。
[0023]第四方面，本技术还提供了一种发光装置，所述发光装置包括上述实施例的发光模组。
[0024]实施本技术实施例，将至少具有如下有益效果：
[0025]采用本技术的电极、微型LED芯片阵列、发光模组及发光装置，该电极包括浸润层、间隔层和至少两个铝层，间隔层包括第一层，至少一个中间层和第二层，浸润层覆盖于第一层，使得浸润层能够与其上的键合金属在界面处形成合金，以能够增强键合强度；通过将至少两个铝层设置于第一层和第二层之间，且相邻的每两个铝层之间设置有中间层，能够抑制各铝层受热后产生的突起，从而提高产品的成品率。
[0026]尤其在发光模组制备过程中铝层可能受热的场景，在浸润层表面高温下形成氮化硅或氧化硅等绝缘层薄膜时，由于铝层设置于第一层和第二层之间，相邻的每两个铝层之间设置有中间层，能够抑制各铝层受热后产生的突起，从而使得氮化硅或氧化硅等绝缘层薄膜能够更好的附着在浸润层上，进而提高产品的成品率。
附图说明
[0027]为了更清楚地说明本技术实施例或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0028]其中：
[0029]图1为一个实施例中电极的示意图。
[0030]图2为图1所示电极中间隔层一个实施方式的示意图。
[0031]图3为一个实施例中微型LED芯片阵列示意图。
[0032]图4为一个实施例中发光模组的示意图。
[0033]附图标记：1、浸润层；2、间隔层；21、第一层；22、中间层；23、第二层；3、铝层；4、发
光单元；5、凸台；51、第一半导体层；52、量子阱结构；53、第二半导体层；54、第三半导体层；55、缓冲层；56、衬底；57、电流扩展层；58、电极层；59、绝缘层；6、驱动基板；7、金属凸点。
具体实施方式
[0034]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0035]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
[0036]在本技术的描述中，需要说明的是，若出现术语“上”、“下”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该技术产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0037]此外，若出现术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0038]需要说明的是，在不冲突的情况下，本技术的实施例中的特征可以相互结合。...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种电极，其特征在于，包括：浸润层、间隔层和至少两个铝层，所述间隔层包括第一层、至少一个中间层和第二层；其中，所述浸润层覆盖于所述第一层；所述至少两个铝层设置于所述第一层与所述第二层之间，且相邻的每两个所述铝层之间设置有中间层。2.根据权利要求1所述的电极，其特征在于，所述至少一个中间层中的每个中间层，分别包括热膨胀系数小于设定阈值的金属。3.根据权利要求2所述的电极，其特征在于，所述至少一个中间层中的至少一个中间层包括钛、镍、铬、钼和铂中的一种。4.根据权利要求1所述的电极，其特征在于，所述第一层包括钛、镍、铬、钼和铂中的一种，所述第二层包括钛、镍、铬、钼和铂中的一种。5.根据权利要求1所述的电极，其特征在于，所述第一层、所述第二层分别为钛层；所述浸润层为金层。6.根据权利要求1
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5任一项所述的电极，其特征在于，所述至少两个铝层中的每一铝层的厚度为2500A至3500A，所述第一层的厚度为50A至200A，所述至少一个中间层中的每个中间层的厚度为50A至200A，所述第二层的厚度为200A至500A。7.根据权利要求1所述的电极，其特征在于，所述铝层设有三个，所述中间层设有两个，三个所述铝层设置于所述第一层和所述第二层之间，且中间层设置在相邻的每两个...
【专利技术属性】
技术研发人员：李晗光，谢锐，
申请(专利权)人：深圳市思坦科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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