存储器的缺陷检测方法、装置及计算机可读存储介质制造方法及图纸

本申请涉及一种存储器的缺陷检测方法、装置及计算机可读存储介质。其中，存储器的缺陷检测方法包括：向目标存储单元阵列写入第一数据；在目标存储单元的位线电压处于被上拉或者下拉后的目标电压时，打开目标存储单元的字线，以向目标存储单元内回存与第一数据相反的数据，目标存储单元的回存时间为预设时间；关闭目标存储单元的字线；读取目标存储单元内存储的第二数据；判断第一数据和第二数据是否一致；当第一数据和第二数据一致时，判定目标存储单元具有在预设时间内导致回存失效的缺陷。本申请实施例可以有效缺陷检测能力。本申请实施例可以有效缺陷检测能力。本申请实施例可以有效缺陷检测能力。

【技术实现步骤摘要】
存储器的缺陷检测方法、装置及计算机可读存储介质


[0001]本申请涉及存储器
，特别是涉及一种存储器的缺陷检测方法、装置及计算机可读存储介质。

技术介绍

[0002]存储器(如DRAM)制程精细而复杂，因此不可避免的会出现制程上的缺陷。特别地，字线(WL)驱动电路部分由于光罩、蚀刻异常等因素，导致会出现WL阻值过高等缺陷。存储器中通常具有大量的重复字线驱动电路，因此建立相关的缺陷检测方法尤为重要。而目前的字线驱动电路的缺陷检测能力尚待提高。

技术实现思路

[0003]基于此，本申请实施例提供一种能够提高缺陷检测能力的存储器的缺陷检测方法、装置及计算机可读存储介质。
[0004]一种存储器的缺陷检测方法，所述存储器包括目标存储单元，所述方法包括：
[0005]向所述目标存储单元阵列写入第一数据；
[0006]在所述目标存储单元的位线电压处于被上拉或者下拉后的目标电压时，打开所述目标存储单元的字线，以向所述目标存储单元内回存与第一数据相反的数据，所述目标存储单元的字线的打开时间为预设时间；
[0007]关闭所述目标存储单元的字线；
[0008]读取所述目标存储单元内存储的第二数据；
[0009]判断所述第一数据和所述第二数据是否一致；
[0010]当所述第一数据和所述第二数据一致时，判定所述目标存储单元具有在预设时间内导致回存失效的缺陷。
[0011]在其中一个实施例中，所述判断所述第一数据和所述第二数据是否一致之后，还包括：
[0012]当所述第一数据和所述第二数据不一致时，重新向所述目标存储单元阵列写入第一数据，且缩短所述回存时间，直至所述第一数据和所述第二数据一致，获取所述第一数据和所述第二数据一致时的所述回存时间。
[0013]在其中一个实施例中，所述第一数据为“1”，与第一数据相反的数据为“0”。
[0014]在其中一个实施例中，所述第一数据为“0”，与第一数据相反的数据为“1”。
[0015]在其中一个实施例中，所述关闭所述目标存储单元的字线的同时，对所述位线进行预充电。
[0016]在其中一个实施例中，所述存储器包括多个存储阵列，所述存储阵列中根据预设方式排布所述目标存储单元。
[0017]在其中一个实施例中，所述存储阵列中的所有存储单元均为目标存储单元。
[0018]在其中一个实施例中，采用Y
‑
Page Write模式，向所述存储阵列写入数据，以实现
向所述目标存储单元阵列写入第一数据。
[0019]在其中一个实施例中，采用Y
‑
Page Read模式，读取所述存储阵列内的数据，以实现独读取所述目标存储单元内存储的第二数据。
[0020]在其中一个实施例中，所述预设时间为5ns至20ns。
[0021]在其中一个实施例中，所述打开所述字线之前，还包括：
[0022]调整所述字线的开启电压。
[0023]在其中一个实施例中，所述打开所述字线之前，还包括：
[0024]调整所述字线的关闭电压。
[0025]一种存储器的缺陷检测装置，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述任一项所述的方法的步骤。
[0026]在其中一个实施例中，所述装置外挂于所述存储器之外。
[0027]一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述任一项所述的方法的步骤。
[0028]上述存储器的缺陷检测方法、装置及计算机可读存储介质，通过在预设时间内，打开目标存储单元的字线，且将目标存储单元的位线电压上拉或者下拉至目标电压，以在预设时间内向目标存储单元回存与原来存储的第一数据相反的数据，以此通过比较回存后的目标存储单元内的第二数据与原存储的第一数据，即可对字线驱动电路内存在字线阻值过高等缺陷进行检测，从而提升字线驱动电路的缺陷检测能力，有助于提升产品可靠性和良率。
附图说明
[0029]为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0030]图1为字线驱动电路的局部电路示意图；
[0031]图2为一个实施例中存储器的缺陷检测方法的流程示意图；
[0032]图3为一个实施例中检测过程中，字线阻值正常与字线阻值过高时的字线/位线以及存储单元的波形示意图；
[0033]图4为一个实施例中同一主要字线上的各个字线的存储单元的回存情况示意图；
[0034]图5为另一个实施例中存储器的缺陷检测方法的流程示意图。
具体实施方式
[0035]为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使本申请的公开内容更加透彻全面。
[0036]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。
[0037]在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也可以包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应当理解的是，术语“包括/包含”或“具有”等指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的存在，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的可能性。
[0038]如
技术介绍
所言，存储器中通常具有大量的重复字线驱动电路。
[0039]具体地，请参阅图1，字线驱动电路通常包括主要字线MWL(Main Wordline)。晶体管P1的漏极被配置成接收信号FXT，晶体管P1的源极耦合到字线WL，晶体管P1的栅极连接主字线驱动器(Main Wordline Driver)。此外，晶体管N1的源极耦合到字线WL，晶体管N1的漏极被配置成接收负字线电压Vkk，并且晶体管N1的栅极连接主字线驱动器(Main Wordline Driver)。此外，晶体管N2的源极耦合到字线WL，晶体管N2的漏极被配置成接收负字线电压Vkk，并且晶体管N2的栅极被配置成接收信号FXB。
[0040]当主要字线MWL输入低电平信号时，晶体管P1打开，晶体管N1截止。此时，若同时提供高电平信号FXT，则字线被打开，从而可以开启字线上的各个存储单元；同时，可以提供信号FXB，而打开晶体管N2，从而使得字线接地，从而防止字线电压浮动。
[0041]在字线驱动电路中，如果出现WL阻值过高等缺陷会严重影响器件性能。
[0042]基本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器的缺陷检测方法，其特征在于，所述存储器包括目标存储单元，所述方法包括：向所述目标存储单元阵列写入第一数据；在所述目标存储单元的位线电压处于被上拉或者下拉后的目标电压时，打开所述目标存储单元的字线，以向所述目标存储单元内回存与第一数据相反的数据，所述目标存储单元的回存时间为预设时间；关闭所述目标存储单元的字线；读取所述目标存储单元内存储的第二数据；判断所述第一数据和所述第二数据是否一致；当所述第一数据和所述第二数据一致时，判定所述目标存储单元具有在预设时间内导致回存失效的缺陷。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述判断所述第一数据和所述第二数据是否一致之后，还包括：当所述第一数据和所述第二数据不一致时，重新向所述目标存储单元阵列写入第一数据，且缩短所述回存时间，直至所述第一数据和所述第二数据一致，获取所述第一数据和所述第二数据一致时的所述回存时间。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一数据为“1”，与第一数据相反的数据为“0”。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一数据为“0”，与第一数据相反的数据为“1”。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述关闭所述目标存储单元的字线的同时，对所述位线进行预充电。6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述存储器包括多个存储阵列，所述存储阵列中根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：楚西坤，刘东，第五天昊，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：