基板处理装置、半导体装置的制造方法以及基板支承件制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种基板处理装置、半导体装置的制造方法以及基板支承件，在使用蚀刻气体除去堆积物时，提高堆积物的除去效率，减少由堆积物的残渣引起的颗粒等的产生。基板处理装置具备：基板支承柱，其支承基板；隔热部，其设置在基板支承柱的基板支承区域的下方；以及处理容器，其收纳基板支承柱和隔热部，隔热部具有：筒状的侧壁部，其与处理容器的内壁对置；以及上端部，其面向基板支承区域而封闭侧壁部的上端，上端部中的与基板支承区域对置的面的至少一部分由上表面部构成，该上表面部由热导率比形成侧壁部的上端和基板支承柱的第二材料大的第一材料形成。的第一材料形成。的第一材料形成。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置、半导体装置的制造方法以及基板支承件


[0001]本专利技术涉及一种基板处理装置、半导体装置的制造方法以及基板支承件。

技术介绍

[0002]作为半导体装置的制造工序的一个工序，有时进行向处理基板的处理室内供给蚀刻气体来除去附着于处理室内的堆积物等的清洁工序(例如，专利文献1)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2015
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26660号公报

技术实现思路

[0006]专利技术所要解决的课题
[0007]但是，由于无法通过蚀刻工序充分地除去堆积物，因此未被除去的堆积物成为颗粒等，有时会对基板的处理造成影响。
[0008]本公开的目的在于提供一种在使用了蚀刻气体的堆积物除去时，能够提高堆积物的除去效率，减少由堆积物的残渣引起的颗粒等的产生的技术。
[0009]用于解决课题的方案
[0010]根据本公开的一个方案，提供一种技术，其具备：基板支承柱，其支承基板；隔热部，其设置在所述基板支承柱的基板支承区域的下方；以及处理容器，其收纳所述基板支承柱和所述隔热部，所述隔热部具有：筒状的侧壁部，其与所述处理容器的内壁对置；以及上端部，其面向所述基板支承区域而封闭所述侧壁部的上端，所述上端部中的与所述基板支承区域对置的面的至少一部分由上表面部构成，该上表面部由热导率比形成所述侧壁部的上端和所述基板支承柱的第二材料大的第一材料形成。
[0011]专利技术效果
[0012]提供一种在使用了蚀刻气体的堆积物除去时，能够提高堆积物的除去效率，减少由堆积物的残渣引起的颗粒等的产生的技术。
附图说明
[0013]图1是作为本公开的一个方式的基板处理装置的立式处理炉的概略结构图，是用纵剖视图表示处理炉部分的图。
[0014]图2是作为本公开的一个方式的基板处理装置的立式处理炉的概略结构图，是以图1的A
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A线剖视图表示处理炉部分的图。
[0015]图3是表示作为本公开的一个方式的基板支承件的立体图。
[0016]图4是表示作为本公开的一个方式的基板支承件的隔热部的一个例子的剖视图。
[0017]图5是表示作为本公开的一个方式的基板支承件的隔热部的另一例的纵剖视图。
[0018]图6是作为本公开的一个方式的基板处理装置的控制器的概略结构图，是用框图
表示控制器的控制系统的图。
[0019]图中：
[0020]10：基板处理装置；200：晶圆(基板)；201：处理室(处理容器)；203：处理管(处理容器)；217：晶舟(基板支承件)；218：隔热部。
具体实施方式
[0021]以下，参照图1至图6进行说明。此外，在以下的说明中使用的附图均是示意性的，附图所示的各要素的尺寸的关系、各要素的比率等未必与现实一致。另外，在多个附图的相互之间，各要素的尺寸的关系、各要素的比率等也未必一致。
[0022](1)基板处理装置的结构
[0023]如图1所示，处理炉202具有作为加热单元(加热机构)的加热器207。加热器207为圆筒形状，通过支承于保持板而垂直地安装。加热器207还作为利用热使气体活化(激发)的活化机构(激发部)发挥功能。加热器207设置在后述的隔热部218的外侧且面向基板支承区域402的位置。即，在本实施方式中，加热器207未设置在隔热部218的内部。
[0024]在加热器207的内侧，与加热器207呈同心圆状地配设有构成反应容器(处理容器)的反应管。反应管具有具备内管(内筒、内部管)204和以同心圆状包围内管204的外管(外筒、外部管)203的二重管结构。内管204和外管203分别由例如石英(SiO2)或碳化硅(SiC)等耐热性材料构成，形成为上端封闭且下端开口的圆筒形状。
[0025]在内管204的筒中空部(反应容器的内侧)形成有对作为基板的晶圆200进行处理的处理室201。处理室201构成为能够将晶圆200以从处理室201内的一端侧(下方侧)朝向另一端侧(上方侧)排列的状态收纳。也可以考虑将处理室201内分为多个区域。在本方式中，也将在处理室201内排列有多张晶圆200的区域称为基板支承区域204(晶圆支承区域)。也将基板支承区域204称为基板排列区域(晶圆排列区域)。基板支承区域204包括为了均匀地处理晶圆200而通过加热器207将温度保持为均匀的区域、即均热区域T1。另外，在处理室201内，也将包含基板支承区域204的区域且被加热器207包围的区域、即处理室201内的温度比较高的区域称为高温区域。另外，在处理室201内，也将不包含基板支承区域204的区域且实质上未被加热器207包围的区域(后述的隔热部218周边的区域)、即处理室201内的温度比较低的区域称为低温区域。具体而言，低温区域是比隔热部218的上表面靠下方侧的处理室201内的区域。另外，也将在处理室201内排列晶圆200的方向称为基板排列方向(晶圆排列方向)。
[0026]在外管203的下方，与外管203呈同心圆状配设有歧管(入口凸缘)209。内管204和外管203分别被歧管209从下方支承。歧管209例如由不锈钢(SUS)等金属材料构成，形成为上端及下端开口的圆筒形状。外管203的下端与歧管209的上端抵接。如图1所示，在歧管209与外管203之间设置有作为密封部件的O型环220a。歧管209被加热器基座支承，由此外管203成为垂直地安装的状态。反应容器主要由外管203、内管204和歧管209构成。
[0027]在内管204的筒中空部形成有预备室(喷嘴收纳室)201a。预备室201a从内管204的侧壁朝向内管204的径向外侧突出，形成为沿着垂直方向伸长(延伸)的通道形状(槽形状)。预备室201a的内壁构成处理室201的内壁的一部分。也可以说在俯视时，预备室201a与处理室201经由设置于内管204的开口201b而相互连通。
[0028]在内管204及预备室201a的各自的内壁上设有罩204b，即以沿着内壁且从内壁朝向内管204的中心轴突出的方式形成的、作为限制气体的流路的气体流路限制部。罩204b例如能够由石英、SiC等构成。罩204b设置在与隔热部218的侧面(侧壁部404)的至少一部分对置的范围内。即，在从上方观察的情况下，罩204b以包围隔热部218的外周的方式设置。罩204b通过在与隔热部218的侧面之间形成供从后述的气体供给管342f供给的惰性气体从下方朝上方流动的流路，来抑制供给到基板支承区域204的原料气体、反应气体与隔热部218的侧面、下方接触。由此，能够抑制向隔热部218的侧面、下方、其内部形成堆积物。另外，在本方式中，将气体流路限制部构成为罩204b，但不限于罩形状，也可以构成为块状、使内管204向内侧突出的形状。
[0029]在预备室201a内分别收纳有作为气体供给部的喷嘴410、420。喷嘴410、420分别由例如石英或SiC等耐热性材料构成，分别构成为L字型本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：基板支承柱，其支承基板；隔热部，其设置在所述基板支承柱的基板支承区域的下方；以及处理容器，其收纳所述基板支承柱和所述隔热部，所述隔热部具有：筒状的侧壁部，其与所述处理容器的内壁对置；以及上端部，其面向所述基板支承区域而封闭所述侧壁部的上端，所述上端部中的与所述基板支承区域对置的面的至少一部分由上表面部构成，该上表面部由热导率比形成所述侧壁部的上端和所述基板支承柱的第二材料大的第一材料形成。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述基板支承柱构成为能够将多个所述基板以水平姿势且以相互隔开间隔的状态支承。3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，还具备惰性气体供给系统，该惰性气体供给系统向所述处理容器的内壁与所述侧壁部之间供给惰性气体。4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述上表面部设置为包括所述上端部的至少中央。5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，所述上端部的外缘由所述第二材料形成。6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述上表面部由通过所述第一材料形成的板状体构成。7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，所述板状体能够拆装地设置于支承部，该支承部设置于所述上端部。8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，所述支承部具有凹部，所述板状体以嵌入所述凹部的方式安装。9.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，所述支承部由所述第二材料形成。10.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述第一材料为碳化硅，所述第二材料为石英。11.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述隔热部具有由所述侧壁部和所述上端部包围的中空构造。12.根据权利要求11所述的基板处理装置，其特征在于，在所述侧壁部设置有与所述隔热部的内部空间连通的开口。13.根据权利要求1至12中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，具备惰...

【专利技术属性】
技术研发人员：寿崎健一，池田优真，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：