【技术实现步骤摘要】
导电颗粒去除方法和系统
[0001]本申请实施例涉及晶圆加工领域，尤其涉及一种在晶圆加工过程中或者晶圆加工结束后去除因晶圆加工或者晶圆久置而产生的导电颗粒的方法和系统。
技术介绍
[0002]晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨、抛光、切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。
[0003]晶圆的主要加工方式为片加工和批加工，即同时加工1片或多片晶圆。随着半导体特征尺寸越来越小，加工及测量设备越来越先进，使得晶圆加工出现了新的数据特点。同时，特征尺寸的减小，使得晶圆加工时，空气中的颗粒数对晶圆加工后质量及可靠性的影响增大。
[0004]应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的
技术介绍
部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。
技术实现思路
[0005]专利技术人发现，在对晶圆进行...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种导电颗粒去除方法，其中，所述方法包括：使静电吸盘向靠近晶圆的方向移动；利用所述静电吸盘对所述晶圆上的导电颗粒进行吸附，从而去除所述晶圆上的导电颗粒。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述导电颗粒是在所述晶圆扩展拉伸过程中产生的。3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述方法还包括：将所述晶圆配置于工作台的下方；移动所述工作台，使所述工作台对所述晶圆施力，从而对所述晶圆进行扩展拉伸，产生所述导电颗粒。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述导电颗粒是在所述晶圆加工完成后产生的。5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述方法还包括：采用第一防静电风扇对加工完成后的所述晶圆进行防静电处理；在利用所述静电吸盘对所述晶圆上的导电颗粒进行吸附后，采用第二防静电风扇对所述晶圆进行防静电处理。6.根据权利要求1至5任一项所述的方法，其中，所述静电吸盘包括：非导电板，其用于吸附所述晶圆上的颗粒；底板，其用于支撑所述非导电板；电极，其插在所述非导电板和所述底板之间，用于产生静电力，以便所述非导电板能够吸附所述晶圆上的颗粒。7.一种导电颗粒去除...
【专利技术属性】
技术研发人员：邱胜华，林宏谦，曹红亮，李长春，
申请(专利权)人：楼氏电子苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：
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