存储器设备及其操作方法技术

本文提供了存储器设备及其操作方法。存储器设备可以包括：存储器块，其包括与多条字线耦合的多个存储器单元；外围电路，被配置为通过将读取电压施加到多条字线之中的被选择的字线以及将第一通过电压施加到目标字线来执行读取操作，其中目标字线在除了被选择的字线之外的未被选择的字线之中与被选择的字线相邻；以及控制逻辑，被配置为基于读取电压变化来降低读取电压，以及当读取电压降低时，基于通过电压变化来降低第一通过电压，其中通过电压变化小于读取电压变化。压变化小于读取电压变化。压变化小于读取电压变化。

【技术实现步骤摘要】
存储器设备及其操作方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2022年3月23日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请号10
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2022
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0036321的优先权，其全部公开内容通过引用并入本文。


[0003]本公开的各种实施例总体上涉及电子设备，并且更具体地涉及存储器设备以及操作该存储器设备的方法。

技术介绍

[0004]存储设备是在诸如计算机或智能手机的主机设备的控制下存储数据的设备。存储器设备可以包括存储数据的存储器设备和控制存储器设备的存储器控制器。存储器设备被分类为易失性存储器设备和非易失性存储器设备。
[0005]易失性存储器设备是仅在电源被供应存储数据，并且在电源供应被中断时存储的数据丢失的存储器设备。易失性存储器设备的示例可以包括静态随机存取存储器(SRAM)和动态随机存取存储器(DRAM)。
[0006]非易失性存储器设备是即使在电源供应被中断时也保留存储的数据的存储器设备。非易失性存储器设备的示例可以包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)和快闪存储器。
[0007]读取操作是读取存储器设备中存储的数据的操作。具体地，读取操作可以是将读取电压施加到被选择的字线，并且将通过电压施加到未被选择的字线的操作。为了减少读取操作所需的时间，需要用于准确且快速地控制待被施加到字线的电压电平的技术。

技术实现思路

[0008]本公开的一个实施例可以提供一种存储器设备。存储器设备可以包括：存储器块，包括与多条字线耦合的多个存储器单元；外围电路，被配置为通过将读取电压施加到多条字线之中的被选择的字线，并且将第一通过电压施加到目标字线来执行读取操作，其中目标字线在除了被选择的字线之外的未被选择的字线之中与被选择的字线相邻；以及控制逻辑，被配置为基于读取电压变化来降低读取电压，以及当读取电压降低时，基于通过电压变化来降低第一通过电压，其中通过电压变化小于读取电压变化。
[0009]本公开的一个实施例可以提供一种操作存储器设备的方法。方法可以包括：将读取电压施加到多条字线之中的被选择的字线，并且将通过电压施加到未被选择的字线，被选择的字线被耦合到存储器设备中包括的存储器块；基于第一电压变化来降低读取电压，以及当读取电压降低时，基于第二电压变化，降低施加到未被选择的字线之中与被选择的字线相邻的目标字线的通过电压，其中第二电压变化小于第一电压变化。
附图说明
[0010]图1是图示了根据一个实施例的存储器系统的图。
[0011]图2是图示了根据一个实施例的存储器设备的结构的图。
[0012]图3是图示了根据一个实施例的存储器块的结构的图。
[0013]图4A和图4B是图示了根据本公开的一个实施例的存储器单元的阈值电压分布的图。
[0014]图5A和图5B是图示了根据一个实施例的施加到字线的电压的图。
[0015]图6A和图6B是图示了根据一个实施例的存储器设备的操作的时序图。
[0016]图7是图示了根据一个实施例的电压变化的图。
[0017]图8A至图8E是图示了根据一个实施例的电压变化的图。
[0018]图9是图示了根据一个实施例的存储器设备的操作的流程图。
[0019]图10是图示了应用了根据一个实施例的存储器系统的存储器卡的框图。
[0020]图11是图示了应用了根据一个实施例的存储器系统的固态驱动(SSD)系统的框图。
[0021]图12是图示了应用根据一个实施例的存储器系统的用户系统的框图。
具体实施方式
[0022]在本说明书或本申请中介绍的本公开的实施例中的具体结构或功能描述被例示以描述根据本公开的构思的实施例。根据本公开的构思的实施例可以以各种形式来实践，并且不应被解释为限于说明书或申请中描述的实施例。
[0023]本公开的各种实施例涉及能够减少读取操作所需时间的存储器设备，以及操作该存储器设备的方法。
[0024]图1是图示了根据一个实施例的存储器系统的图。
[0025]参考图1，存储器系统10可以响应于来自主机20的请求来操作。详细地，存储器系统10可以执行与从主机20接收的请求相对应的操作。在一个示例中，当从主机20接收数据和数据存储请求时，存储器系统10可以将数据存储在其中。在其他示例中，当从主机20接收数据读取请求时，存储器系统10可以将存储在其中的数据提供给主机20。为此，存储器系统10可以通过各种通信方案而被耦合到主机20。
[0026]存储器系统10可以被实现为基于通信标准或数据存储方法的各种类型的存储设备中的任一种。例如，存储器系统10可以被实现为固态驱动(SSD)、多媒体卡(MMC)、嵌入式MMC(eMMC)、缩小尺寸的MMC(RS
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MMC)、micro
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MMC型存储设备、安全数字(SD)卡、mini
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SD卡或micro
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SD型存储设备、通用串行总线(USB)存储设备、通用快闪存储(UFS)设备、个人计算机存储器卡国际协会(PCMCIA)型存储设备、外围组件互连(PCI)型存储设备、PCIExpress(PCI
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E)型存储设备、网络附加存储(NAS)和无线网络存储设备中的任一种。此处，所列举的示例仅是实施例，并且存储器系统10可以被实现为各种类型的存储设备，而不限于这些实施例。
[0027]主机20可以是各种电子设备中的一种，诸如台式计算机、膝上型计算机、智能手机、游戏机、电视机(TV)、平板计算机、机顶
[0028]盒、洗衣机、机器人、冰箱、人工智能扬声器、可穿戴设备、中央处理器(CPU)、加速
处理器(APU)、图形处理器(GPU)和神经处理器(NPU)。主机20可以向存储器系统10发送数据、逻辑地址或各种请求，或者可以从存储器系统10接收数据。
[0029]存储器系统10可以被用作主机20的主存储器设备或辅助存储器设备。存储器系统10可以位于主机20的内部或外部。
[0030]存储器系统10可以包括存储器设备100和存储器控制器200。此处，存储器设备100的数量可以是一个或多个。存储器设备100和存储器控制器200可以通过通道彼此耦合。存储器设备100和存储器控制器200可以通过通道发送/接收命令、地址或数据。
[0031]存储器设备100可以存储数据。例如，存储器设备100可以被实现为各种类型的半导体存储器设备中的任一种。在一个示例中，存储器设备100可以被实现为NAND快闪存储器设备、竖直NAND快闪存储器设备、NOR快闪存储器设备、静态随机存取存储器(静态RAM；SRAM)设备、动态RAM(DRAM)设备、同步动态RAM(SDRAM)
[0032]设备、双倍数据速率(DDR)SDRAM设备、低功耗DDR(LPDD本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器设备，包括：存储器块，包括与多条字线耦合的多个存储器单元；外围电路，被配置为通过将读取电压施加到所述多条字线之中的被选择的字线，并且将第一通过电压施加到目标字线来执行读取操作，其中所述目标字线在除了所述被选择的字线之外的未被选择的字线之中与所述被选择的字线相邻；以及控制逻辑，被配置为：基于读取电压变化来降低所述读取电压，以及当所述读取电压降低时，基于通过电压变化来降低所述第一通过电压，其中所述通过电压变化小于所述读取电压变化。2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述控制逻辑被配置为控制所述外围电路将第二通过电压施加到所述未被选择的字线之中的剩余字线，并且在所述读取电压降低时，保持所述第二通过电压的电平，以及其中所述剩余字线是除了所述目标字线和所述被选择的字线之外的字线。3.根据权利要求2所述的存储器设备，其中所述控制逻辑被配置为控制所述外围电路在所述读取操作被执行之前，向所述被选择的字线、所述目标字线和所述剩余字线施加过充电电压。4.根据权利要求3所述的存储器设备，其中所述控制逻辑被配置为：增加所述过充电电压的电平，直到所述过充电电压的电平达到参考电平，以及当所述过充电电压的电平达到所述参考电平时，将具有从所述参考电平减去所述读取电压变化的电平的所述读取电压施加到所述被选择的字线，并且将具有从所述参考电平减去所述通过电压变化的电平的所述第一通过电压施加到所述目标字线。5.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述控制逻辑包括：操作控制器，被配置为在通过将具有第一电压电平的所述读取电压施加到所述被选择的字线来感测所述多个存储器单元之中与所述被选择的字线耦合的被选择的存储器单元的状态之后，基于所述读取电压变化，将所述读取电压从所述第一电压电平降低到第二电压电平，并且当所述读取电压降低时，基于所述通过电压变化来降低所述第一通过电压。6.根据权利要求5所述的存储器设备，其中：所述第一电压电平是用于感测多个编程状态之中的第一编程状态的电压电平，所述第二电压电平是用于感测所述多个编程状态之中的第二编程状态的电压电平，以及所述第二编程状态低于所述第一编程状态。7.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述控制逻辑包括：表存储部，被配置为存储电压信息，所述电压信息包括与多个参考时间分别对应的所述读取电压变化的值和所述通过电压变化的值。8.根据权利要求7所述的存储器设备，其中所述控制逻辑被配置为：当达到所述多个参考时间之中的第一参考时间时，基于与所述第一参考时间相对应的所述读取电压变化的第一值来降低所述读取电压，并且当所述读取电压降低时，基于与所述第一参考时间相对应的所述通过电压变化的第一值来降低所述第一通过电压，以及当达到所述多个参考时间之中的在所述第一参考时间之后的第二参考时间时，基于与
所述第二参考时间相对应的所述读取电压变化的第二值来降低所述读取电压，并且当所述读取电压降低时，基于与所述第二参考时间相对应的所述通过电压变化的第二值来降低所述第一通过电压。9.根据权利要求8所述的存储器设备，其中：所述通过电压变化的所...

【专利技术属性】
技术研发人员：卓在日，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：