三维闪存读电压优化方法、系统、电子设备和存储介质技术方案

本发明专利技术提供一种三维闪存读电压优化方法、系统、电子设备和存储介质。所述方法包括：在目标数据写入之前的第一时刻，获取各个三维闪存单元在每种状态下的阈值电压均值；在目标数据写入之后的第二时刻，响应于目标数据读取指令，获取各个三维闪存单元在每个状态下的阈值电压均值，并根据默认读电压以及两个时刻下的各个三维闪存单元在每种状态下的阈值电压均值确定优化读电压。所述系统包括用于共同实现上述方法的功能模块。电子设备：处理器执行存储器中保存的计算机程序时实现所述方法。存储介质存储有当被处理器执行时实现所述方法的计算机程序。根据本发明专利技术，能够解决现有三维闪存数据读出方式因采用默认读电压而导致原始误码率高的问题。误码率高的问题。误码率高的问题。

【技术实现步骤摘要】
三维闪存读电压优化方法、系统、电子设备和存储介质


[0001]本专利技术属于固态盘存储
，更具体地，涉及一种三维闪存读电压优化方法、系统、电子设备和存储介质。

技术介绍

[0002]原始误码率作为衡量三维闪存可靠性的重要指标，主要受可编程擦写循环次数、数据保存时间和单元间干扰等信道噪声的影响而发生变化。具体地，可编程擦写循环次数的增加、数据保存时间的延长和单元间干扰的增强均会导致三维闪存原始误码率的增加，进而影响三维闪存的可靠性。目前，高原始误码率已经成为三维闪存向更高层堆叠以增大存储容量的技术瓶颈，而降低原始误码率也成为三维闪存领域的研究热点与难点。
[0003]对于三维闪存，当数据需要读出时，读电压对读出数据的正确性有着重要的影响，直接关系到原始误码率的高低。而在现有三维闪存数据读出环节中，通常采用预定的默认读电压来读出三维闪存所保存的数据，这种数据读出方式导致原始误码率较高。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于解决现有三维闪存数据读出方式因采用默认读电压而导致原始误码率高的问题。
[0005]为了实现上述目的，本专利技术提供一种三维闪存读电压优化方法、系统、电子设备和存储介质。
[0006]根据本专利技术的第一方面，提供一种三维闪存读电压优化方法，该三维闪存读电压优化方法包括以下步骤：
[0007]在目标数据写入各个三维闪存单元之前的第一时刻，获取各个三维闪存单元在每种状态下的阈值电压均值；
[0008]在目标数据写入各个三维闪存单元之后的第二时刻，响应于目标数据读取指令，获取各个三维闪存单元在每个状态下的阈值电压均值，并根据预设的默认读电压以及第一时刻与第二时刻下的各个三维闪存单元在每种状态下的阈值电压均值确定优化读电压。
[0009]作为可选的是，所述根据预设的默认读电压以及第一时刻与第二时刻下的各个三维闪存单元在每种状态下的阈值电压均值确定优化读电压基于以下公式实现：
[0010][0011]上式中，V
opt
为优化读电压，为各个三维闪存单元的第i状态下阈值电压分布与第i
‑
1状态下阈值电压分布之间的默认读电压，为第一时刻下的各个三维闪存单元的第i状态下阈值电压均值，为第二时刻下的各个三维闪存单元的第i状态下阈值电压均
值，为第一时刻下的各个三维闪存单元的第i
‑
1状态下阈值电压均值，为第二时刻下的各个三维闪存单元的第i
‑
1状态下阈值电压均值。
[0012]根据本专利技术的第二方面，提供一种三维闪存读电压优化系统，该三维闪存读电压优化系统包括以下功能模块：
[0013]阈值电压均值获取模块，用于在目标数据写入各个三维闪存单元之前的第一时刻，获取各个三维闪存单元在每种状态下的阈值电压均值，以及在目标数据写入各个三维闪存单元之后的第二时刻，响应于目标数据读取指令，获取各个三维闪存单元在每个状态下的阈值电压均值；
[0014]读电压优化模块，用于根据预设的默认读电压以及第一时刻与第二时刻下的各个三维闪存单元在每种状态下的阈值电压均值确定优化读电压。
[0015]作为可选的是，所述读电压优化模块根据以下公式确定优化读电压：
[0016][0017]上式中，V
opt
为优化读电压，为各个三维闪存单元的第i状态下阈值电压分布与第i
‑
1状态下阈值电压分布之间的默认读电压，为第一时刻下的各个三维闪存单元的第i状态下阈值电压均值，为第二时刻下的各个三维闪存单元的第i状态下阈值电压均值，为第一时刻下的各个三维闪存单元的第i
‑
1状态下阈值电压均值，为第二时刻下的各个三维闪存单元的第i
‑
1状态下阈值电压均值。
[0018]根据本专利技术的第三方面，提供一种电子设备，该电子设备包括处理器和存储器，所述处理器执行所述存储器中保存的计算机程序时实现上述任一种三维闪存读电压优化方法。
[0019]根据本专利技术的第四方面，提供一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现上述任一种三维闪存读电压优化方法。
[0020]本专利技术的有益效果在于：
[0021]本专利技术的三维闪存读电压优化方法，首先，在目标数据写入各个三维闪存单元之前的第一时刻，获取各个三维闪存单元在每种状态下的阈值电压均值；然后，在目标数据写入各个三维闪存单元之后的第二时刻，响应于目标数据读取指令，获取各个三维闪存单元在每个状态下的阈值电压均值，并根据预设的默认读电压以及第一时刻与第二时刻下的各个三维闪存单元在每种状态下的阈值电压均值确定优化读电压。
[0022]本专利技术的三维闪存读电压优化方法，利用三维闪存单元阈值电压分布特征对默认读电压进行优化。具体地，通过三维闪存单元阈值电压分布在漂移前后的状态以确定漂移参数，并基于漂移参数对两个相邻状态之间的默认读电压进行调整，以得到优化读电压。采用该优化读电压读出三维闪存所保存的数据时，能够有效地降低原始误码率，进而提高三维闪存的可靠性。由此可知，采用本专利技术的三维闪存读电压优化方法，能够行之有效地解决
现有三维闪存数据读出方式因采用默认读电压而导致原始误码率高的问题。
[0023]本专利技术的三维闪存读电压优化系统、电子设备和计算机可读存储介质与上述三维闪存读电压优化方法属于一个总的专利技术构思，至少具有与上述三维闪存读电压优化方法相同的有益效果，其有益效果在此不再赘述。
[0024]本专利技术的其他特征和优点将在随后具体实施方式部分予以详细说明。
附图说明
[0025]本专利技术可以通过参考下文中结合附图所做出的描述而得到更好的理解，其中在所有附图中使用了相同或相似的附图标记来表示相同或者相似的部件。
[0026]图1示出了根据本专利技术的实施例的三维闪存读电压优化方法的实现流程图；
[0027]图2示出了根据本专利技术的实施例的三维闪存读电压优化系统的结构框图。
具体实施方式
[0028]为了使所属
的技术人员能够更充分地理解本专利技术的技术方案，在下文中将结合附图对本专利技术的示例性的实施方式进行更为全面且详细的描述。显然地，以下描述的本专利技术的一个或者多个实施方式仅仅是能够实现本专利技术的技术方案的具体方式中的一种或者多种，并非穷举。应当理解的是，可以采用属于一个总的专利技术构思的其他方式来实现本专利技术的技术方案，而不应当被示例性描述的实施方式所限制。基于本专利技术的一个或多个实施方式，本领域的普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施方式，都应当属于本专利技术保护的范围。
[0029]实施例：现有技术中，三维闪存单元的阈值电压分布易受可编程擦写循环次数、编程干扰、读干扰和保存错误的影响而发生扭曲变形，使得相邻的两个阈值电压分布窗口交叉重叠，当施加读电压时无法准确判断检测的阈值电压属于哪个阈值电压窗口而发生读取错误。随着可编程擦写循环次数和保存时间的增加，相邻的阈值电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种三维闪存读电压优化方法，其特征在于，包括：在目标数据写入各个三维闪存单元之前的第一时刻，获取各个三维闪存单元在每种状态下的阈值电压均值；在目标数据写入各个三维闪存单元之后的第二时刻，响应于目标数据读取指令，获取各个三维闪存单元在每个状态下的阈值电压均值，并根据预设的默认读电压以及第一时刻与第二时刻下的各个三维闪存单元在每种状态下的阈值电压均值确定优化读电压。2.根据权利要求1所述的三维闪存读电压优化方法，其特征在于，所述根据预设的默认读电压以及第一时刻与第二时刻下的各个三维闪存单元在每种状态下的阈值电压均值确定优化读电压基于以下公式实现：上式中，V
opt
为优化读电压，为各个三维闪存单元的第i状态下阈值电压分布与第i
‑
1状态下阈值电压分布之间的默认读电压，为第一时刻下的各个三维闪存单元的第i状态下阈值电压均值，为第二时刻下的各个三维闪存单元的第i状态下阈值电压均值，为第一时刻下的各个三维闪存单元的第i
‑
1状态下阈值电压均值，为第二时刻下的各个三维闪存单元的第i
‑
1状态下阈值电压均值。3.一种三维闪存读电压优化系统，其特征在于，包括：阈值电压均值获取模块，用于在目标数据写入各个三维闪存单元之前的第一时刻，获取各个三维闪存单元在每...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴佳，李礼，吴叶楠，
申请(专利权)人：上海威固信息技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：