闪存擦除方法技术

本发明专利技术提供一种闪存的块擦除方法，块擦除方法是对闪存的块进行块擦除，块具有一预定块。闪存的块擦除方法包括：在进行块擦除时，对块内的字节逐一进行擦除验证；当字节没有通过擦除验证时，检查字节的擦除次数；当字节的擦除次数超过一预定门坎值时，以低于预定块大小的分割块进行块擦除，并且返回擦除验证阶段继续执行擦除验证；以及当字节的擦除次数没有超过预定值时，继续以预定块大小进行块擦除，并且返回擦除验证阶段继续执行擦除验证。且返回擦除验证阶段继续执行擦除验证。且返回擦除验证阶段继续执行擦除验证。

【技术实现步骤摘要】
闪存擦除方法


[0001]本专利技术涉及一种内存的擦除方法，尤其涉及一种闪存的擦除方法。

技术介绍

[0002]在闪存进行擦除时，是采用块为单位的一次性擦除操作，例如以大小为64K的块作为单位来进行块擦除。由于受限于制程均匀度或是缺陷，每个存储单元都存在差异，在擦除操作时会产生尾位(tailing bits)。这些尾位会导致慢速擦除(slow erase)，进而使得擦除验证失败(erase verify fail)。当擦除验证失败时，内存便需要再次执行块擦除。
[0003]因此，以目前的块擦除的方式来进行整体的擦除时，因为擦除过程中很容易因为尾位的拖累，导致块中有些存储单元执行过多次的擦除，而过度对穿隧氧化层增加应力，进而造成穿隧氧化层的可靠度问题，例如数据的耐久性和保持性等。
[0004]因此，有必要发展出一种方法，在对闪存进行块擦除时，可以避免过度擦除，也可以降低擦除时间。

技术实现思路

[0005]根据本专利技术一实施例，提供一种闪存的块擦除方法，对闪存的块进行块擦除，块具有一预定块大小。闪存的块擦除方法包括：设定M个分割块，其中M个分割块的每一个块大小均小于预定块大小；在最大擦除次数内，设定M个擦除次数门坎值，以产生(M+1)个擦除次数判断区间；在进行块擦除时，对块内的字节逐一进行擦除验证；当字节没有通过擦除验证时，检查字节的擦除次数；判断擦除次数是位于(M+1)擦除次数判断区间的哪一个特定区间；以及与特定区间相对应的块与多个分割块的一个，来进行块擦除，并且返回继续执行擦除验证，其中擦除次数在第1个擦除次数门坎值以下的第1个擦除次数判断区间，使用块的预定块大小进行块擦除，擦除次数在第j个(2≦j≦M+1)擦除次数判断区间，使用第(j
‑
1)个分割块的块大小进行块擦除。
[0006]根据本专利技术一实施例，在上述闪存的擦除方法中，当字节通过擦除验证时，则继续对下一个字节进行擦除与擦除验证，直到完成预定块大小的块擦除为止。
[0007]根据本专利技术一实施例，在上述闪存的擦除方法中，M个分割块的块大小为可调整。根据本专利技术一实施例，在上述闪存的擦除方法中，M个分割块的数量为可调整。根据本专利技术一实施例，在上述闪存的擦除方法中，M个擦除次数门坎值在最大擦除次数内，可以调整。
[0008]根据本专利技术一实施例，在上述闪存的擦除方法中，闪存为NOR型闪存。
[0009]根据本专利技术另一实施例，提供一种闪存的块擦除方法，对闪存的块进行块擦除，块具有一预定块大小。闪存的块擦除方法包括：在进行块擦除时，对块内的字节逐一进行擦除验证；当字节没有通过擦除验证时，检查字节的擦除次数；当字节的擦除次数超过一预定门坎值时，以低于预定块大小的分割块进行块擦除，并且返回擦除验证阶段继续执行擦除验证；以及当字节的擦除次数没有超过预定门坎值时，继续以预定块大小进行块擦除，并且返回擦除验证阶段继续执行擦除验证。
[0010]根据本专利技术一实施例，在上述闪存的擦除方法中，当字节通过擦除验证时，则继续对下一个字节进行擦除与擦除验证，直到完成预定块大小的块擦除为止。
[0011]根据本专利技术一实施例，在上述闪存的擦除方法中，擦除次数是在最大擦除次数以下且可调整。根据本专利技术一实施例，在上述闪存的擦除方法中，所述分割块的大小为可调整。
[0012]根据本专利技术一实施例，在上述闪存的擦除方法中，闪存为NOR型闪存。
[0013]根据本专利技术又一实施例，提供一种闪存，包括：闪存数组；以及控制电路，耦接至闪存，以控制闪存数组的操作。当对闪存进行擦除操作时，控制电路执行：设定M个分割块，其中M个分割块的每一个的块大小均小于预定块大小；在最大擦除次数内，设定M个擦除次数门坎值，以产生(M+1)个擦除次数判断区间；在进行块擦除时，对块内的字节逐一进行擦除验证；当字节没有通过擦除验证时，检查字节的擦除次数；判断擦除次数是位于(M+1)擦除次数判断区间的哪一个特定区间；以及与特定区间相对应的分割块，来进行块擦除，并且返回擦除验证阶段继续执行擦除验证，其中擦除次数在第1个擦除次数门坎值以下的第1个擦除次数判断区间，使用块的预定块大小进行块擦除，擦除次数在第j个(2≦j≦M+1)擦除次数判断区间，使用第(j
‑
1)个分割块的块大小进行块擦除。
[0014]根据本专利技术一实施例，在上述闪存中，控制电路更执行：当字节通过擦除验证时，则继续对下一个字节进行擦除与擦除验证，直到完成预定块大小的块擦除为止。
[0015]根据本专利技术一实施例，在上述闪存中，控制电路架构可调整M个分割块的块大小。根据本专利技术一实施例，在上述闪存的擦除方法中，控制电路架构可调整M个分割块的数量。根据本专利技术一实施例，在上述闪存的擦除方法中，控制电路架构在最大擦除次数内可以调整M个擦除次数门坎值。
[0016]根据本专利技术一实施例，在上述闪存中，闪存数组为由NOR型闪存构成。
[0017]基于上述，根据本专利技术实施方式，可以降低擦除/编程的过度写入，以提高产品可靠度。此外，根据本专利技术实施方式，内存整体的擦除写入时间也可以降低。
附图说明
[0018]图1为根据本专利技术实施例的擦除操作的整体流程示意图；
[0019]图2A与图2B为本专利技术实施例与现有技术的擦除时间的比较图；
[0020]图3为本专利技术实施例的闪存的示意电路架构图。
[0021]附图标记说明
[0022]100:闪存
[0023]102：闪存阵列
[0024]104：控制电路
[0025]ADD：地址线
[0026]CMD：命令线
[0027]S100～S180：分割块擦除的操作步骤
具体实施方式
[0028]图1为根据本专利技术实施例的擦除操作的整体流程示意图。如图1所示，整个擦除操
作包括前段的预先编程步骤S100、块擦除步骤以及后续步骤S170的软编程。本专利技术实施例的擦除操作是在于一种新的块擦除方法。
[0029]如图1所示，开始对闪存进行擦除操作时，会先进行预先编程(pre
‑
program)的步骤S100。通常在擦除操作之前，会先进行所谓的预先编程。预先编程可以让擦除后的存储单元的临界电压Vt分布地较为紧密，而不会分布太广。因此，在擦除前可以将存储单元的临界电压Vt分布进行编程成较为紧密状态。此步骤也是现有的闪存块擦除操作的其中一环，故在此不加以冗述。
[0030]接着，执行步骤S102、S104与S108，此些步骤是整个擦除操作中的块擦除。在此实施例中，以块大小为64KB作为说明例。在进行块擦除时，会以一个字节(byte)一个字节来进行。步骤S102会对一个字节进行擦除验证。
[0031]接着，在步骤S104，判断该字节是否通过擦除验证，如果通过，则进入步骤S108，判断目前的地址是否达到64KB。如果地址已经到达64KB，则表示该块已经完成擦除。接着，便执行步骤S170的软编程。步骤S170的软编程主本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种闪存的块擦除方法，所述块擦除方法是对所述闪存的块进行块擦除，所述块具有一预定块大小，其特征在于，所述块擦除方法包括：将所述预定块设定为M个分割块，其中所述M个分割块的中每一个块大小均小于所述预定块大小；在最大擦除次数内，设定M个擦除次数门坎值，以产生(M+1)个擦除次数判断区间；在进行所述块擦除时，对所述分割块内的字节逐一进行擦除验证；当所述字节没有通过所述擦除验证时，检查所述字节的擦除次数；判断所述擦除次数是位于所述(M+1)擦除次数判断区间的哪一个特定区间；以及对所述特定区间相对应的所述分割块进行所述块擦除，当进行所述块擦除结束后返回擦除验证阶段以执行所述擦除验证，其中所述擦除次数在第1个擦除次数门坎值以下的第1个擦除次数判断区间，使用所述预定块大小进行块擦除，所述擦除次数在第j个(2≦j≦M+1)擦除次数判断区间，使用第(j
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1)个分割块的所述块大小进行块擦除。2.根据权利要求1所述的闪存的块擦除方法，其特征在于，当所述字节通过所述擦除验证时，则继续对下一个字节进行擦除与所述擦除验证，直到完成所述预定块大小的所述块擦除为止。3.根据权利要求1所述的闪存的块擦除方法，其特征在于，其中所述M个分割块的所述块大小为可调整。4.根据权利要求1所述的闪存的块擦除方法，其特征在于，所述M个分割块...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑隆吉，郭盈杉，黄俊尧，郑如杰，庄育铮，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：