【技术实现步骤摘要】
一种实时监测塑封体内部芯片表面温度的方法
[0001]本专利技术涉及芯片封装
,具体涉及一种实时监测塑封体内部芯片表面温度的方法
。
技术介绍
[0002]产品研发阶段,在芯片完成塑料封装后,按照相应的可靠性标准,需要在三温
(
常温
、
低温
、
高温
)
下,测试其实际功能
。
对于塑料封装器件,可靠性试验主要包括两方面测试:
(1)
加电条件下,测试产品的三温下功能;
(2)
不加电的状态下,器件的环境类可靠性实验
。
[0003]产品通电工作时,其内部产生的高温会通过塑封材料传递至塑封体表面,其内部的实际温度要远高于塑封表面的温度
。
研究封装体内部实际温度的变化规律,实时监测封装体内部芯片表面的实际温度,对于导热材料的选择
、
可靠性验证
、
功耗
、PN
结的温度及失效机理的研究,具有重要参考意义
。< ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种实时监测塑封体内部芯片表面温度的方法,其特征在于,包括:获取芯片位于塑封体内部的位置及芯片的尺寸;根据所述位置及所述尺寸,选定开窗区域,去除所述开窗区域的塑封料,以暴露出所述芯片的部分表面;将所述热电偶的热端放置在暴露出的所述芯片的表面上方;利用密封材料填满所述开窗区域,将所述热电偶的热端密封在所述塑封体内;将所述热电偶的冷端连接至温度显示装置,以随时监测所述芯片表面的温度
。2.
如权利要求1所述的实时监测塑封体内部芯片表面温度的方法,其特征在于,所述获取芯片位于塑封体内部的位置及芯片的尺寸的方法包括:将预先准备的样品放置在
X
射线设备的载物台上,调整所述
X
射线设备的电压及功率后拍摄照片,以确认芯片位于塑封体内部的位置,并计算出芯片的尺寸
。3.
如权利要求1所述的实时监测塑封体内部芯片表面温度的方法,其特征在于,所述去除所述开窗区域的塑封料的方法包括:利用激光镭射设备,去除所述开窗区域的所述塑封料的一部分厚度;利用化学腐蚀去除所述开窗区域的剩余的塑封料,以暴露出所述芯片的表面
。4.
如权利要求3所述的实时监测塑封体内部芯片表面温度的方法,其特征在于,利用激光镭射设备去除所述塑封料...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴佳,李礼,吴叶楠,
申请(专利权)人:上海威固信息技术股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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