【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及可通过III族氮化物化合物半导体晶体生长来制造 的场效应晶体管(例如各种FET和HEMT)结构，和场效应晶体 管的制造方法。本专利技术还涉及可通过III族氮化物化合物半导体晶体生长来制 造的场效应晶体管(例如各种FET和HEMT)结构，和场效应晶 体管的制造方法。此外，本专利技术涉及结晶生长高绝缘半导体的方法和制造场效应 晶体管的方法。本专利技术用于制造例如场效应晶体管的器件。
技术介绍
通常，对于可通过III族氮化物化合物半导体晶体生长来制造 的场效应晶体管结构及其制造方法而言，例如，/>开在专利文件1 中的现有技术已经广为人知。在现有专利技术中，经常使用氢气(H2)作为载气，在结晶生长半 导体层过程中载运材料气。原因如下。(原因1)使用氢气能够比使用其它载气相对更容易地提供通 过具有优异结晶度的晶体生长所形成的半导体层。这对于器件的片 电阻率、改变器件特性和器件良率有利。(原因2)通过使用氢气，更容易改善各半导体层例如緩冲层 和阻挡层之间界面的平坦度或者与采用其它载气的器件相比改善界 面周围组成改变的突然性。这能够获得和保持出色的载流子迁...
【技术保护点】
一种在由Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］Ｎ（０≤ｘ≤１）通过晶体生长制成的半导体晶体生长面上的高电阻率半导体层Ａ的晶体生长方法，其中所述高电阻率半导体层Ａ由未掺杂的Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］Ｎ（０≤ｘ≤１）制成，并且所述高电阻率半导体层Ａ的晶体生长温度至少在晶体生长过程的早期阶段设定为１１２０℃－１１６０℃。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：平田宏治，小嵜正芳，千田昌伸，柴田直树，
申请(专利权)人：丰田合成株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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