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一种场效应晶体管，其包含缓冲层和阻挡层，各缓冲层和阻挡层均由Ⅲ族氮化物化合物半导体制成，并且所述场效应晶体管在所述缓冲层至所述阻挡层的界面内部具有通道，其中所述阻挡层具有多层结构，包含突变界面供应层，其构成所述阻挡层中最下方的半导体层，并且...
该专利属于丰田合成株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过丰田合成株式会社授权不得商用。

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