一种带有单极电子通道的SICMOSFET及制备方法技术

本发明专利技术提供一种带有单极电子通道的SIC MOSFET及制备方法，该SIC MOSFET包括：N

【技术实现步骤摘要】
一种带有单极电子通道的SIC MOSFET及制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，一种带有单极电子通道的SIC MOSFET及制备方法。

技术介绍

[0002]SiC材料是第三代宽禁带半导体材料的典型代表，由于其具有较高的临界击穿电场强度、较高的载流子饱和漂移速度、较高的热导率、工作频率高、高温条件下工作稳定等优势，能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的需求，正逐步应用于电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比，目前已实用化的SiC功率模块可降功耗50％以上，从而减少甚至取消冷却系统，大幅度降低系统体积和重量，因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。。
[0003]但是SiC材料的功率器件还有很大的改进空间。以SiC MOSFET为例，MOSFET栅漏电容Cgd的大小影响着MOSFET动态性能的优劣，减小Cgd能很好地优化其开关性能，减小动态损耗。MOSFET的体二极管可靠性较低，工程上通常采用在MOSFET漏极串本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种带有单极电子通道的SIC MOSFET，其特征在于，包括：N
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layer区；N
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Drift层蚀刻有沟槽；沟槽侧壁掺杂有所述N
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layer区；N
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Drift层掺杂有第一P
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well区，所述第一P
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well区的位于所述N
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layer区侧方，所述第一P
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well区与所述N
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layer区相连。2.根据权利要求1所述的一种带有单极电子通道的SIC MOSFET，其特征在于，还包括：源极、第一栅极、第二栅极、漏极、第一N+区；所述第一栅极和所述第二栅极嵌入于沟槽中；所述第一栅极与所述源极相连；所述第一N+区掺杂于N
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Drift上层且与所述漏极相连。3.根据权利要求2所述的一种带有单极电子通道的SIC MOSFET，其特征在于，还包括：第二P
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well区、第一P+区、第二P+区、第二N+区、第三N+区；所述第二N+区、第三N+区位于N
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Drift层上层；所述第一P+区、第二P+区位于N
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Drift层的上层；所述第一P+区与所述第二N+区相连且位于所述源极下方；所述第二P+区与所述第三N+区相连且位于所述源极下方；所述第二P
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well区位于所述第二P+区和所述第三N+区的下方。4.根据权利要求2所述的一种带有单极电子通道的SIC MOSFET，其特征在于，还包括：将所述漏极设置在N
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【专利技术属性】
技术研发人员：乔凯，
申请(专利权)人：天狼芯半导体成都有限公司，
类型：发明
国别省市：