【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种LED芯片，尤其是涉及一种采用激光诱导掺杂Zn制备GaN基LED芯 片的方法。
技术介绍
GaN基发光二极管(LED)由于其高效、节能、环保等方面的优点，己经广泛运用于数 字和图像显示领域。近年来，由于GaN基材料的研究取得了突破，已研制出高效率白光和蓝 光LED，不仅可以运用在大屏幕的彩色显示领域，而且很有可能取代现有的白炽灯、荧光灯 等照明工程进入到人们的生活中。然而到目前为止，GaN基LED器件仍有许多没有得到完全 解决的技术难题，其中制约其发展最主要的难题就是高的P-GaN有效掺杂浓度很难实现、良 好的P型GaN欧姆接触制备难等。通常GaN基LED外延片的P-GaN掺杂， 一般是在MOCVD 生长时掺Mg,然后经过高温退火激活Mg;或者是采用离子注入高温退火、共掺杂技术等；但 是这些技术所能做到的GaN材料P型有效掺杂浓度一般仅为10I7cm—3量级。GaN材料的P型 有效掺杂浓度不高，其主要的原因有以下几个方面MOCVD生长GaN时，受主Mg容易和 H形成电中性的Mg-H络合物，使Mg不能有效的代替Ga位；其次生长GaN时容易产生N...
【技术保护点】
一种ＧａＮ基ＬＥＤ芯片的制备方法，其特征在于包括以下步骤：１）用溅射或蒸发的方法在ＬＥＤ外延片Ｐ－ＧａＮ表面沉积一层金属Ｚｎ薄膜；２）用激光器辐照样品的Ｚｎ／Ｐ－ＧａＮ表面；３）将样品表面剩余的Ｚｎ腐蚀掉，清洗后烘干；４）对处理好的样品进行ＩＣＰ刻蚀，露出ｎ型ＧａＮ层，光刻并溅射Ｔｉ／Ａｌ金属层，剥离后形成ｎ型电极，退火；５）对样品再次进行光刻并在表面溅射Ｎｉ／Ａｕ金属层，剥离后形成ｐ型电极，退火。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈朝，薛正群，黄生荣，田洪涛，
申请(专利权)人：厦门大学，
类型：发明
国别省市：92[中国|厦门]
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