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一种ＧａＮ基ＬＥＤ芯片的制备方法，涉及一种ＬＥＤ芯片。提供一种不仅效果明显、操作简便、与常规器件工艺兼容，而且具有低串联电阻和良好Ｐ－型欧姆接触的ＧａＮ基ＬＥＤ芯片的制备方法。用溅射或蒸发的方法在ＬＥＤ外延片Ｐ－ＧａＮ表面沉积一层金属Ｚｎ薄...
该专利属于厦门大学所有，仅供学习研究参考，未经过厦门大学授权不得商用。

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