半导体封装结构及其形成方法技术

本发明专利技术实施例提供了一种半导体封装结构，包括：第一基板，包括上表面和与上表面相对的下表面，上表面具有多个焊盘；模封层，位于下表面上，经过第一基板的边缘延伸至上表面上，并且覆盖多个焊盘中的部分焊盘；多个开口，穿过模封层以分别暴露部分焊盘。本发明专利技术实施例另一方面还提供了一种形成半导体封装结构的方法。方面还提供了一种形成半导体封装结构的方法。方面还提供了一种形成半导体封装结构的方法。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装结构及其形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体地，涉及一种半导体封装结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]图1是现行系统级封装(System In a Package，SIP)的半导体封装结构的示意图。参考图1所示，在系统级封装制程中，通常会先完成基板10在基板20上的安装(mounting)制程，之后再进行表面贴装技术(surface mount technology，SMT)制程以安装芯片，以解决先进行表面SMT制程所带来的整体封装结构容限(tolerance)过大，而无法进行基板10、20安装的问题。其中，在基板10和基板20的安装制程之前，会先进行模制制程，以形成包封基板10和基板20之间元件的模封层30。
[0003]然而，由于在模制制程之前要对基板10进行切割制程(例如激光切割，laser)，为了保证该切割制程，需要避开基板10中心区域的铜层，而切割基板10远离基板20的表面18的周边区域，这会造成在基板10的表面18的周边区域形成凹陷15。由于凹陷15的存在，在模封层30的模制制程期间，会造成模封层30朝向凹陷15流动延伸的模封层30溢流(bleeding)的问题。并且进一步的，溢流到基板10的表面18上的模封层30会覆盖表面18上的焊盘(pad)12(如图1中的局部放大视图所示)，导致不利于后续在焊盘12上接合焊球(solder ball)或SMT制程。
[0004]模制制程期间使用的模制膜40将不能有效地用于保护焊盘12，导致最终封装结构的良率损失约在30％～70％之间。若采用胶材填充等方式来填充凹陷15，则存在很难控制胶材厚度的问题。
[0005]目前还可例如利用激光去除基板10的表面18上全部的溢流模封层30，但此方法会破坏基板10的表面18，例如破坏作为基板10的最外层的阻焊层(solder mask)。并且，在后续水洗制程中会造成阻焊层剥落(peeling)。

技术实现思路

[0006]针对相关技术中存在的问题，本专利技术的目的在于提供一种半导体封装结构及其形成方法，可改善良率损失，还可避免破坏基板的阻焊层。
[0007]为实现上述目的，本专利技术提供了一种半导体封装结构，包括：第一基板，包括上表面和与所述上表面相对的下表面，所述上表面具有多个焊盘；模封层，位于所述下表面上，经过所述第一基板的边缘延伸至所述上表面上，并且覆盖所述多个焊盘中的部分焊盘；多个开口，穿过所述模封层以分别暴露所述部分焊盘。
[0008]在一些实施例中，所述开口的宽度小于对应的所述焊盘的宽度。
[0009]在一些实施例中，所述第一基板的上表面处具有阻焊层，所述开口位于所述阻焊层内。
[0010]在一些实施例中，所述多个开口具有不同深度。
[0011]在一些实施例中，所述多个开口中的第一开口比所述多个开口中的第二开口更靠
近所述第一基板的边缘，其中，所述第一开口的深度比所述第二开口的深度更深。
[0012]在一些实施例中，还包括：第二基板，位于所述第一基板的下方并与所述第一基板相对，所述第一基板的边缘相对于所述第二基板的边缘内缩。
[0013]在一些实施例中，所述第一基板的上表面上的所述模封层具有不平坦的表面，其中，在从所述第一基板的边缘到远离所述边缘的方向上，所述模封层的厚度逐渐降低。
[0014]本专利技术还提供了一种形成半导体封装结构的方法，包括：提供第二基板并在所述第二基板上安装第一基板，其中，所述第一基板的边缘相对于所述第二基板的边缘内缩；在所述第一基板和所述第二基板之间形成模封层，其中，所述第一基板的上表面包括多个焊盘，所述模封层经过所述第一基板的边缘延伸至覆盖所述多个焊盘中的部分焊盘；利用激光开孔制程在所述第一基板的所述上表面上的所述模封层中形成分别暴露所述部分焊盘的多个开口。
[0015]在一些实施例中，还包括：形成分别穿过所述开口连接至所述焊盘的多个焊球。
[0016]在一些实施例中，还包括：在所述第二基板的下表面上接合芯片。
[0017]在上述技术方案中，通过在第一基板的上表面上的模封层中设置开口以由暴露模封层覆盖的焊盘，可以保证上表面上的每个焊盘与后续焊球或芯片的电连接，因此半导体封装结构可具有较低的良率损失。此外，通过在模封层中设置开口而不需要去除上表面上的全部模封层，由此可避免去除全部模封层而导致破坏第一基板的上表面。
附图说明
[0018]当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳地理解本专利技术的各个方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增大或减小。
[0019]图1是现行系统级封装的半导体封装结构的示意图。
[0020]图2是根据本专利技术实施例提供的半导体封装结构的示意图。
[0021]图3是根据本专利技术半导体封装结构的一个实施例的图2中的A区域结构示意图。
[0022]图4是根据本专利技术半导体封装结构的另一实施例的图2中的A区域结构示意图。
[0023]图5a至图5e示出了半导体封装结构形成方法中的各个步骤。
具体实施方式
[0024]为更好的理解本申请实施例的精神，以下结合本申请的部分优选实施例对其作进一步说明。
[0025]本申请的实施例将会被详细的描示在下文中。在本申请说明书全文中，将相同或相似的组件以及具有相同或相似的功能的组件通过类似附图标记来表示。在此所描述的有关附图的实施例为说明性质的、图解性质的且用于提供对本申请的基本理解。本申请的实施例不应该被解释为对本申请的限制。为了便于描述，“第一”、“第二”等等可在本文中用于区分一个图或一系列图中的不同组件。“第一”、“第二”等等不意欲描述对应组件。
[0026]图2是根据本专利技术实施例提供的半导体封装结构1000的示意图。如图2所示，半导体封装结构1000包括第一基板100，第一基板100包括上表面110，和与上表面110相对的下表面120。第一基板100的下表面120上设置有模封层300，模封层300可用于包封下表面120
上接合的电子元件255。电子元件255可以是被动元件，如电容器、电阻器等，电子元件255也可以是主动元件等各种适合类型的电子元件。
[0027]模封层300可经过第一基板100的边缘(即侧壁)延伸到第一基板100的上表面110上。如图2所示，模封层300延伸到上表面110的周边区域，而不延伸到上表面110的中心区域。第一基板100的上表面110上具有多个焊盘112a、112b。其中，延伸到上表面110上的模封层300可覆盖位于上表面110的周边区域中的部分焊盘112a，而位于上表面110的中心区域中的部分焊盘112b不被覆盖。
[0028]上表面110上的模封层300中可设置有对应于多个焊盘112a的多个开口400，以通过开口400的开设将被模封层300覆盖的焊盘112a暴露出来。
[0029]上述半导体封装结构1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：第一基板，包括上表面和与所述上表面相对的下表面，所述上表面具有多个焊盘；模封层，位于所述下表面上，经过所述第一基板的边缘延伸至所述上表面上，并且覆盖所述多个焊盘中的部分焊盘；多个开口，穿过所述模封层以分别暴露所述部分焊盘。2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述开口的宽度小于对应的所述焊盘的宽度。3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一基板的上表面处具有阻焊层，所述开口位于所述阻焊层内。4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述多个开口具有不同深度。5.根据权利要求4所述的半导体封装结构，其特征在于，所述多个开口中的第一开口比所述多个开口中的第二开口更靠近所述第一基板的边缘，其中，所述第一开口的深度比所述第二开口的深度更深。6.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：第二基板，位于所述第一基板的下方并与所述第一基板相对，所述第一基板...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴正伟，周意竣，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：