发光基板及显示面板制造技术

本申请涉及一种发光基板及显示面板。包括：衬底；转移单元，设置于所述衬底上，包括发光单元与第一测试单元，所述第一测试单元包括导电结构，且具有间隔设置的第一引脚区及第二引脚区，所述导电结构跨越所述第一引脚区与第二引脚区。将本申请发光基板的转移单元转移之后，可以通过导电结构与驱动基板之间的键合电阻，有效反应发光单元与驱动基板之间的键合电阻。此时，可以对键合电阻进行有效测试，进而可以对发光单元与驱动基板间的键合情况进行有效检测。此外，第一测试单元可以同发光单元共同形成在衬底表面，使得工艺过程更加简单。使得工艺过程更加简单。使得工艺过程更加简单。

【技术实现步骤摘要】
发光基板及显示面板


[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及一种发光基板及显示面板。

技术介绍

[0002]在传统技术中，通常将发光单元通过沉积凸点下金属层(under ball mental，UBM)工艺与驱动基板进行键合。二者的键合效果会影响整个显示面板的良率以及显示效果。
[0003]因此，如何对发光单元与驱动基板间的键合情况进行有效检测是亟需解决的问题。

技术实现思路

[0004]鉴于上述传统技术的不足，本申请的目的在于提供发光基板及显示面板，旨在解决对发光单元与驱动基板间的键合情况进行有效检测。
[0005]一种发光基板，包括：
[0006]衬底；
[0007]转移单元，设置于所述衬底上，包括发光单元与第一测试单元，所述第一测试单元包括导电结构，且具有间隔设置的第一引脚区及第二引脚区，所述导电结构跨越所述第一引脚区与第二引脚区。
[0008]将上述发光基板的转移单元转移之后，可以通过导电结构与驱动基板之间的键合电阻，有效反应发光单元与驱动基板之间的键合电阻。此时，可以对键合电阻进行有效测试，进而可以对发光单元与驱动基板间的键合情况进行有效检测。此外，第一测试单元可以同发光单元共同形成在衬底表面，使得工艺过程更加简单。
[0009]可选地，所述第一测试单元还包括：
[0010]第一键合引脚，位于所述导电结构的远离所述衬底的表面，且位于所述第一引脚区；
[0011]第二键合引脚，位于所述导电结构的远离所述衬底的表面，且位于所述第二引脚区。
[0012]可选地，所述发光单元包括半导体层，所述半导体层包括依次设置的N型半导层、发光层以及P型半导体层，
[0013]所述导电结构与所述半导体层均位于所述衬底表面。
[0014]可选地，所述发光单元与所述第一测试单元均包括半导体层以及电极层，所述半导体层包括依次设置的N型半导层、发光层以及P型半导体层；
[0015]所述发光单元的电极层包括间隔设置的第一电极引脚与第二电极引脚，所述第一电极引脚连接所述N型半导层，所述第二电极引脚连接所述P型半导体层；
[0016]所述第一测试单元的电极层包括所述导电结构，所述导电结构用作键合引脚。
[0017]基于同样的技术构思，本申请还提供一种显示面板，包括：
[0018]驱动基板，具有显示区与测试区；
[0019]发光单元，至少位于所述显示区的驱动基板上；
[0020]测试结构，包括：
[0021]第二测试单元，位于所述测试区的驱动基板上，且所述第二测试单元包括间隔设置的第一测试电极以及第二测试电极；
[0022]第一测试单元，与所述第二测试单元对应连接，所述第一测试单元包括导电结构，且具有间隔设置的第一引脚区及第二引脚区，所述导电结构跨域所述第一引脚区与第二引脚区，且连接所述第二测试单元的所述第一测试电极以及所述第二测试电极。
[0023]上述显示面板中，将第一测试单元与第二测试单元进行连接形成测试结构，测试结构可以检测发光单元与驱动基板间的接触电阻，根据该接触电阻可以判断发光单元与驱动基板间的连接情况。
[0024]可选地，所述第一测试单元还包括：
[0025]第一键合引脚，位于所述第一引脚区，连接所述导电结构与所述第一测试电极；
[0026]第二键合引脚，位于所述第二引脚区，连接所述导电结构与所述第二测试电极。
[0027]可选地，所述发光单元与所述第一测试单元均包括半导体层以及电极层，所述半导体层包括依次设置的N型半导层、发光层以及P型半导体层；
[0028]所述发光单元的电极层包括间隔设置且与所述驱动基板键合的第一电极引脚与第二电极引脚，所述第一电极引脚连接所述N型半导层，所述第二电极引脚连接所述P型半导体层；
[0029]所述第一测试单元的电极层包括所述导电结构，所述导电结构同时与对应的所述第二测试单元的第一测试电极与第二测试电极键合。
[0030]可选地，所述发光单元包括红光发光单元、绿光发光单元以及蓝光发光单元。
[0031]可选地，所述测试结构均匀分布在所述测试区。
附图说明
[0032]图1为一实施例中提供的发光基板的截面结构示意图；
[0033]图2为又一实施例中提供的发光基板的截面结构示意图；
[0034]图3为一实施例中提供的显示面板的截面结构示意图；
[0035]图4为又一实施例中提供的显示面板的截面结构示意图；
[0036]图5为一实施例中提供的测试结构的截面结构示意图；
[0037]图6为一实施例中提供的测试结构的俯视结构示意图；
[0038]图7为一实施例中提供的测试结构的电路示意图；
[0039]图8为一实施例中提供的发光基板的俯视结构示意图；
[0040]图9为一实施例中提供的显示面板的俯视结构示意图。
[0041]附图标记说明：
[0042]100
‑
衬底；200
‑
测试结构；210
‑
第一测试单元；211
‑
导电结构；212a
‑
第一引脚区；212b
‑
第二引脚区；213a
‑
第一键合引脚；213b
‑
第二键合引脚；220
‑
第二测试单元；221
‑
第一测试电极；222
‑
第二测试电极；300
‑
发光单元；400
‑
驱动基板；410
‑
介质层；420
‑
基板层；510
‑
红光发光单元；520
‑
绿光发光单元；530
‑
蓝光发光单元；600
‑
转移单元。
具体实施方式
[0043]为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。
[0044]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本申请。
[0045]在一个实施例中，请参阅图1，提供一种发光基板，包括衬底100以及转移单元600。
[0046]衬底100可以为单层结构，也可以为多层结构。例如，衬底100可以包括诸如硅(Si)衬底、硅锗(SiGe)衬底、硅锗碳(SiGeC)衬底、碳化硅(SiC)衬底、砷化镓(GaAs)衬底、砷化铟(InAs)衬底、磷化铟(InP)衬底或其它的III/V半导体衬底或II/VI半导体衬底。或者，还例如，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光基板，其特征在于，包括：衬底；转移单元，设置于所述衬底上，包括发光单元与第一测试单元，所述第一测试单元包括导电结构，且具有间隔设置的第一引脚区及第二引脚区，所述导电结构跨越所述第一引脚区与第二引脚区。2.如权利要求1所述的发光基板，其特征在于，所述第一测试单元还包括：第一键合引脚，位于所述导电结构的远离所述衬底的表面，且位于所述第一引脚区；第二键合引脚，位于所述导电结构的远离所述衬底的表面，且位于所述第二引脚区。3.如权利要求1或2所述的发光基板，其特征在于，所述发光单元包括半导体层，所述半导体层包括依次设置的N型半导层、发光层以及P型半导体层，所述导电结构与所述半导体层均位于所述衬底表面。4.如权利要求1所述的发光基板，其特征在于，所述发光单元与所述第一测试单元均包括半导体层以及电极层，所述半导体层包括依次设置的N型半导层、发光层以及P型半导体层；所述发光单元的电极层包括间隔设置的第一电极引脚与第二电极引脚，所述第一电极引脚连接所述N型半导层，所述第二电极引脚连接所述P型半导体层；所述第一测试单元的电极层包括所述导电结构。5.如权利要求1所述的发光基板，其特征在于，所述第一测试单元均匀分布在所述转移单元阵列中。6.一种显示面板，其特征在于，包括：驱动基板，具有显示区与测试区；发光单元，至少位于所述显示区的驱动基板上；测试结构，包括：第二测...

【专利技术属性】
技术研发人员：靳春明，林建宏，
申请(专利权)人：重庆康佳光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：