半导体装置和其形成方法制造方法及图纸

本公开涉及一种半导体装置和其形成方法。一种设备包含：基底结构，其具有包含多个晶体管的第一部分和包围所述第一部分的第二部分；存储结构，其处于所述基底结构的所述第一部分上，所述存储结构包含多个存储电容器，每个存储电容器耦合到所述多个晶体管中的对应一者；界面结构，其处于所述基底结构的所述第二部分上；以及外围结构，其处于所述界面结构上；其中所述界面结构被划分成多个绝缘膜，且所述多个绝缘膜被布置成彼此远离以在所述基底结构的所述第二部分与所述外围结构之间具有多个空隙。隙。隙。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置和其形成方法


[0001]本公开涉及一种半导体装置和其形成方法。

技术介绍

[0002]动态随机存取存储器(下文称为DRAM)将信息存储在各单位的存储器单元中，其中每个存储器单元具备存取晶体管和连接到所述存取晶体管的源极或漏极的存储电容器。通过提供具有多个存储器单元的DRAM，形成大容量存储器电路。DRAM具备多个功能元件，例如晶体管和存储电容器，但如果功能元件受到在形成其它功能元件时执行的热处理的影响，则有可能会使电特性改变。因此，已提出一种技术，其能够通过单独地形成晶体管部分和存储电容器部分且接着稍后将所述部分联接而尽可能地减少热处理的影响。

技术实现思路

[0003]在一方面，本公开提供一种设备，其包括：基底结构，其具有包含多个晶体管的第一部分和包围所述第一部分的第二部分；存储结构，其处于所述基底结构的所述第一部分上，所述存储结构包含多个存储电容器，每个存储电容器耦合到所述多个晶体管中的对应一者；界面结构，其处于所述基底结构的所述第二部分上；以及外围结构，其处于所述界面结构上；其中所述界面结构被划分成多个绝缘膜，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种设备，其包括：基底结构，其具有包含多个晶体管的第一部分和包围所述第一部分的第二部分；存储结构，其处于所述基底结构的所述第一部分上，所述存储结构包含多个存储电容器，每个存储电容器耦合到所述多个晶体管中的对应一者；界面结构，其处于所述基底结构的所述第二部分上；以及外围结构，其处于所述界面结构上；其中所述界面结构被划分成多个绝缘膜，且所述多个绝缘膜被布置成彼此远离以在所述基底结构的所述第二部分与所述外围结构之间具有多个空隙。2.根据权利要求1所述的设备，其中所述界面结构包括介电材料。3.根据权利要求1所述的设备，其中所述多个空隙中的每个空隙分别由介电材料包围。4.根据权利要求1所述的设备，其中所述多个空隙中的每个空隙经布置以便分别处于所述存储结构与所述基底结构之间。5.根据权利要求1所述的设备，其中所述存储电容器中的每一者分别包括第一导电膜、第二导电膜以及所述第一导电膜与所述第二导电膜之间的高K膜。6.一种方法，其包括：形成基底结构，所述基底结构包含具有多个晶体管的第一部分和包围所述第一部分的第二部分；形成包含分别对应于所述第一部分和所述第二部分的第三部分和第四部分的存储结构，所述第三部分具有各自要耦合到所述多个晶体管中的对应一者的多个存储电容器，且所述第四部分包围所述第三部分；利用绝缘膜覆盖所述基底结构的表面；从所述基底结构的所述表面部分地移除所述绝缘膜以暴露所述基底结构的所述第一部分和所述第二部分的一部分；以及将所述存储结构堆叠在所述绝缘膜上，使得在所述基底结构的所述第一部分与所述存储结构的所述第三部分之间形成腔，且在所述基底结构的所述第二部分与所述存储结构的所述第四部分之间部分地形成气孔。7.根据权利要求6所述的方法，其中所述腔通过所述气孔连接到包围所述基底结构和所述存储结构的气氛空气。8.根据权利要求6所述的方法，其中所述存储结构与基底衬底堆叠，所述基底衬底以机械方式支撑所述存储结构；另外包括形成通过真空CVD气密包装所述基底结构、所述存储结构和所述基底衬底的包装膜；以及从所述存储结构剥离所述基底衬底；其中所述腔的内部在形成所述包装膜之后保持减压。9.根据权利要求6所述的方法，其中融合接合方法用于将所述存储结构堆叠在所述绝缘膜上。10.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：祐川光成，外山广，宇野广之，冈田安孝，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：