【技术实现步骤摘要】
存储单元结构、存储阵列结构、半导体结构及其制备方法
[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，特别是涉及一种存储单元结构、存储阵列结构、半导体结构及其制备方法。
技术介绍
[0002]随着集成电路行业的不断发展，传统的平面结构的器件已经难以满足电路设计的要求，因此非平面结构的器件应运而生。非平面结构的器件包括绝缘体上硅(SOI，Silicon On Insulator)、双栅、多栅、纳米线场效应管以及三维DRAM结构。
[0003]然而，传统的三维DRAM制备工艺虽然可以堆叠多层DRAM，但是单层层高较大，使得DRAM密度较低。
技术实现思路
[0004]基于此，有必要针对
技术介绍
中的问题，提供一种存储单元结构、存储阵列结构、半导体结构及其制备方法，以提高多层DRAM结构的密度。
[0005]本申请的一个实施例公开了一种存储单元结构，包括：衬底、有源区、字线结构、绝缘介质层和电容结构，其中，衬底中具有位线结构；有源区位于位线结构上，在沿垂直于衬底的方向上，有源区包括第一连接端、远离第一连接端的...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种存储单元结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底中具有位线结构；有源区，所述有源区位于所述位线结构上，在沿垂直于所述衬底的方向上，所述有源区包括第一连接端、远离所述第一连接端的第二连接端、以及位于所述第一连接端和所述第二连接端之间的沟道区，所述第一连接端与所述位线结构电连接；字线结构，在垂直于所述衬底的方向上，所述字线结构覆盖所述沟道区的侧壁；绝缘介质层，所述绝缘介质层覆盖所述字线结构以及所述第一连接端和所述第二连接端的外侧；电容结构，所述电容结构覆盖所述绝缘介质层的外侧，且覆盖所述绝缘介质层的顶面和所述第二连接端的顶面，所述电容结构和所述第二连接端电连接。2.根据权利要求1所述的存储单元结构，其特征在于，所述字线结构包括字线介质层和位于所述字线介质层外侧的字线导电层。3.根据权利要求1所述的存储单元结构，其特征在于，所述绝缘介质层包括连接端介质层和字线结构绝缘层，所述连接端介质层覆盖所述第一连接端和所述第二连接端，所述字线结构绝缘层覆盖所述字线结构。4.根据权利要求1所述的存储单元结构，其特征在于，所述电容结构包括上电极、下电极和电容介质层；所述下电极覆盖所述绝缘介质层的外侧，且覆盖所述绝缘介质层的顶面和所述第二连接端的顶面，所述下电极与所述第二连接端电连接；所述电容介质层覆盖所述下电极的表面；所述上电极覆盖所述电容介质层的表面。5.根据权利要求1
‑
4中任一项所述的存储单元结构，其特征在于，所述有源区包括氧化铟镓锌层。6.一种存储阵列结构，其特征在于，包括：多个如权利要求1
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5任一项所述的存储单元结构，所述存储单元结构呈多行多列的阵列排布；其中，位于同一行的各所述存储单元结构的位线结构彼此电连接；位于同一列的各所述存储单元结构的字线结构彼此电连接；各所述存储单元结构的电容结构包括从上至下依次叠置的上电极、电容介质层和下电极，各所述电容结构的上电极相互连接，各所述电容结构的电容介质层相互连接，各所述电容结构的下电极之间由所述电容介质层隔开。7.根据权利要求6所述的存储阵列结构，其特征在于，位于同一列的各所述存储单元结构之间包括有源区介质层，同一列中各所述存储单元结构的有源区由所述有源区介质层分隔开。8.一种半导体结构，其特征在于，包括多层如权利要求6
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7任一项所述的存储阵列结构，各层所述存储阵列结构上下叠置，且相邻所述存储阵列结构之间设置有隔离层；其中，各层存储阵列结构之间的字线结构、位线结构和电容结构相互独立。9.一种存储阵列结构的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底中形成多条沿第一方向延伸的位线结构；
在所述衬底上形成间隔排布的有源区，所述有源区位于所述位线结构上，且在垂直于所述衬底的方向上，所述有源区包括第一连接端、远离所述第一连接端的第二连接端、以及位于所述第一连接端和所述第二连接端之间的沟道区，所述第一连接端与所述位线结构电连接；在沿第二方向延伸的所述有源区之间形成在所述第二方向上隔离相邻的所述有源区的有源区介质层；在所述有源区暴露的所述第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：邵光速，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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