半导体结构及存储器制造技术

本公开实施例提供一种半导体结构及存储器，其中半导体结构包括：器件层，包括在第一方向上相邻设置的核心阵列区和解码器区；依次堆叠于器件层上的第一布线层、第二布线层、第三布线层和第四布线层；不同布线层中的布线通过层间的接触结构连接；其中，位于核心阵列区上的第二布线层中的布线沿第一方向延伸；位于核心阵列区上的第三布线层中的布线沿第二方向延伸；第二方向与第一方向之间具有不为零的夹角；位于解码器区上的第二布线层中的布线沿第一方向延伸；位于解码器区上的第三布线层和第四布线层中的布线沿第二方向延伸。四布线层中的布线沿第二方向延伸。四布线层中的布线沿第二方向延伸。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及存储器


[0001]本公开涉及半导体
，涉及但不限于一种半导体结构及存储器。

技术介绍

[0002]随着当今科学技术的不断发展，高数据可靠性、高存取速度成为了半导体存储器发展的重要趋势。其中，动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是一种易失性存储器，由于其存储密度高、传输速度快等特点，广泛应用于现代电子系统中。
[0003]近年来，消费市场对于存储器性能和存储容量的要求越来越高，这就需要半导体结构具有更高的集成度和更小的特征尺寸。然而，目前存储器中的信号线道仍存在空间利用率不足、信号传输能力较弱、布局灵活性较差等问题，限制了存储器性能和容量的进一步提升。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本公开实施例提供了一种半导体结构及存储器。
[0005]第一方面，本公开实施例提供了一种半导体结构，所述半导体结构包括：器件层，包括在第一方向上相邻设置的核心阵列区和解码器区；依次堆叠于所述器件层上的第一布线层、第二布线层、第三布线层和第四布线层；不同布线层中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：器件层，包括在第一方向上相邻设置的核心阵列区和解码器区；依次堆叠于所述器件层上的第一布线层、第二布线层、第三布线层和第四布线层；不同布线层中的布线通过层间的接触结构连接；其中，位于所述核心阵列区上的所述第二布线层中的布线沿所述第一方向延伸；位于所述核心阵列区上的所述第三布线层中的布线沿第二方向延伸；所述第二方向与所述第一方向之间具有不为零的夹角；位于所述解码器区上的所述第二布线层中的布线沿所述第一方向延伸；位于所述解码器区上的所述第三布线层和所述第四布线层中的布线沿所述第二方向延伸。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述器件层中具有沿所述第二方向排布的多个所述解码器区；其中，沿所述第二方向排布的多个所述解码器区通过第一类信号线连接，所述第一类信号线位于所述第三布线层和/或所述第四布线层中；所述第一类信号线包括行地址信号线。3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，位于所述解码器区上的所述第一布线层中的布线沿所述第一方向延伸；位于所述核心阵列区上的所述第二布线层中的布线与位于所述解码器区上的所述第二布线层中的布线可以在所述第二布线层内相互连接。4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述解码器区包括沿所述第一方向依次排列的第一驱动结构、第二驱动结构和感测放大控制结构；所述第一驱动结构与所述核心阵列区在所述第一方向上相邻设置；所述第二布线层中的布线包括：感测放大控制线、核心电源线、子字线选择线和主字线；所述主字线由所述核心阵列区上方延伸至所述第一驱动结构上方，并连接至所述第一驱动结构；所述子字线选择线由所述核心阵列区上方延伸至所述第二驱动结构上方，并连接至所述第二驱动结构；所述感测放大控制线和所述核心电源线由所述核心阵列区上方延伸至所述感测放大控制结构上方，并连接至所述感测放大控制结构；所述主字线通过位于所述第一驱动结构上的所述第一布线层中的布线，连接至所述第一驱动结构中的晶体管。5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，在所述第二方向上，两条所述主字线相邻设置；所述第二布线层中的布线还包括：第一内部布线，...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙会娟，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：