半导体结构及其形成方法技术

本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底；位于所述基底上的外延层和限定所述外延层的隔离结构，所述外延层沿第一方向延伸；沿第二方向延伸的字线沟槽和位于所述字线沟槽内的字线结构，所述字线沟槽穿过所述外延层和所述隔离结构，所述字线沟槽包括位于所述外延层中的第一子沟槽和位于所述隔离结构中的第二子沟槽，沿所述基底指向所述外延层的方向上，所述第一子沟槽的底部高于所述第二子沟槽的底部，所述第二方向与所述第一方向相交；位于所述外延层内的埋入式绝缘层；其中，沿所述基底指向所述外延层的方向上，所述外延层沿所述第二方向上的尺寸逐渐变大。本公开实施例至少有利于提升半导体结构的电学性能。电学性能。电学性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法


[0001]本公开实施例涉及半导体
，特别涉及一种半导体结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]在半导体结构中，如动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)中，通常由一个晶体管结构和一个电容结构组成一个存储单元，随着集成电路的发展，半导体器件的集成密度随之增加，半导体结构的尺寸不断减小。为了在更小的面积内增大晶体管结构的沟道长度，通常采用埋入式字线(Buried Word line)结构以改善短沟道效应。
[0003]然而，随着半导体器件尺寸的进一步减小，具有埋入式字线结构的晶体管的关态漏电流变得越来越大，其开关比(开态电流I_on与关态电流I_off之比)减小，导致器件性能下降。

技术实现思路

[0004]本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法，至少有利于提升半导体结构的电学性能。
[0005]本公开实施例一方面提供一种半导体结构，包括：基底；位于基底上的外延层和限定外延层的隔离结构，外延层沿第一方向延伸；沿第二方向延伸的字线沟槽和位本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底；位于所述基底上的外延层和限定所述外延层的隔离结构，所述外延层沿第一方向延伸；沿第二方向延伸的字线沟槽和位于所述字线沟槽内的字线结构，所述字线沟槽穿过所述外延层和所述隔离结构，所述字线沟槽包括位于所述外延层中的第一子沟槽和位于所述隔离结构中的第二子沟槽，沿所述基底指向所述外延层的方向上，所述第一子沟槽的底部高于所述第二子沟槽的底部，所述第二方向与所述第一方向相交；位于所述外延层内的埋入式绝缘层；其中，沿所述基底指向所述外延层的方向上，所述外延层沿所述第二方向上的尺寸逐渐变大。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，沿所述基底指向所述外延层的方向上，所述埋入式绝缘层的顶面的最低点与所述第二子沟槽的底部齐平。3.根据权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，沿所述第一方向上，所述埋入式绝缘层未延伸至所述外延层的端部，沿所述第二方向上，所述埋入式绝缘层延伸至所述外延层的端部。4.根据权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，所述隔离结构包括：第一介质层和至少位于所述第一介质层与所述外延层之间的第二介质层。5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第一介质层的材料包括氧化物，所述第二介质层的材料包括氮化物。6.根据权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，所述字线结构包括：沿所述第二方向延伸的栅导电层以及至少位于所述栅导电层与所述外延层之间的栅介质层。7.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成隔离结构，其中，所述隔离结构中设置有暴露所述基底的开口，所述开口沿第一方向延伸，所述开口沿垂直于所述第一方向的截面形状为倒梯形；在所述开口内形成外延层；刻蚀所述外延层和所述隔离结构，以形成沿第二方向延伸的字线沟槽，其中，所述字线沟槽包括位于所述外延层中的第一子沟槽和位于所述隔离结构中的第二子沟槽，沿所述基底指向所述外延层的方向上，所述第一子沟槽的底部高于所述第二子沟槽的底部，所述第二方向与所述第一方向相交；对所述外延层进行离子注入，以在所述外延层内形成埋入式绝缘层；在所述字线沟槽内形成字线结构。8.根据权利要求7所述的半导体结...

【专利技术属性】
技术研发人员：张圆喜，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：