半导体结构的制造方法及半导体结构技术

本公开实施例提供一种半导体结构的制造方法及半导体结构，半导体结构的制造方法包括，提供基底，在基底内形成位线及位于位线上的沟槽结构和有源柱，有源柱沿第一方向和第二方向间隔排布，第一方向与第二方向相交；相邻有源柱间隔设置于沟槽结构的两侧，位线沿第一方向延伸且与有源柱电连接；在沟槽结构内形成保护层及第一介质层，第一介质层填充沟槽结构的底部区域，保护层至少覆盖沟槽结构远离基底的部分侧壁；形成沿第二方向延伸的字线，字线覆盖部分第一介质层远离基底的顶表面以及部分保护层。分保护层。分保护层。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的制造方法及半导体结构


[0001]本公开实施例涉及半导体
，特别涉及一种半导体结构的制造方法及半导体结构。

技术介绍

[0002]动态随机存储器(DRAM，Dynamic Random Access Memory)是一种常用的半导体存储器件，由许多重复的存储单元组成。每个存储单元通常包括一个电容器和一个晶体管。晶体管的栅极与字线相连、漏极或源极与位线或电容器相连，字线上的电压信息号能够控制晶体管的打开或关闭，进而通过位线读取在电容器中的数据信息，或者通过位线将数据信息写入电容器中进行存储。通常为了缩小器件尺寸，会在阵列排布的有源区设置纵横交错的字线和位线。随着器件尺寸的微缩，对字线等结构的尺寸要求也随之提高，以满足器件性能。

技术实现思路

[0003]本公开实施例提供一种半导体结构的制造方法及半导体结构，以提高半导体结构的稳定性及器件性能。
[0004]根据本公开一些实施例，本公开实施例一方面提供一种半导体结构的制造方法，包括：提供基底，在所述基底内形成位线及位于所述位线上的沟槽结构和有源柱，所述有源柱本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供基底，在所述基底内形成位线及位于所述位线上的沟槽结构和有源柱，所述有源柱沿第一方向和第二方向间隔排布，所述第一方向与所述第二方向相交，相邻所述有源柱间隔设置于所述沟槽结构的两侧，所述位线沿所述第一方向延伸且与所述有源柱电连接；在所述沟槽结构内形成保护层及第一介质层，所述第一介质层填充所述沟槽结构的底部区域，所述保护层至少覆盖所述沟槽结构远离所述基底的部分侧壁；形成沿所述第二方向延伸的字线，所述字线覆盖部分所述第一介质层远离所述基底的顶表面以及部分所述保护层。2.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述保护层以及所述第一介质层的工艺步骤包括：形成保护层，所述保护层覆盖所述沟槽结构；形成第一介质膜，所述第一介质膜填充所述沟槽结构；去除部分所述第一介质膜，剩余的所述第一介质膜作为所述第一介质层，所述第一介质层覆盖部分所述保护层及部分所述基底。3.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述保护层以及所述第一介质层的工艺步骤包括：形成第一介质膜，所述第一介质膜覆盖所述沟槽结构；去除部分所述第一介质膜，剩余的所述第一介质膜作为所述第一介质层；形成所述保护层，所述保护层覆盖所述第一介质层远离所述基底的顶表面及未被所述第一介质层覆盖的所述沟槽结构侧壁。4.根据权利要求1
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3任一项所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述保护层的方法包括：先形成初始保护层，对所述初始保护层进行快速热处理，以将所述初始保护层...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭帅，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：