【技术实现步骤摘要】
双晶体管无电容结构动态存储器件及其制备方法
[0001]本专利技术属于存储器
,具体涉及一种双晶体管无电容结构动态存储器件及其制备方法。
技术介绍
[0002]传统的单晶体管单电容器动态随机存取存储器(1T
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1C DRAM)具有良好的可靠性且可以高密度集成[1
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2],远远超过常规的6T静态随机存取存储器[3]和基于晶闸管的RAM[4
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8]。超大规模集成电路的发展离不开以飞速减小的沟道尺寸,因此如今有高集成度且具备高速性能的存储器变得越来越有吸引力。隋之而来的问题是1T1C DRAM中硅晶体管较大的漏电无法与平面型栅极氧化层的电容下降适配。相比之下,MOS
2 fet的极低关态电流可以当作新的解决方案。与传统的1T1C存储单元相比,基于普通平面FET结构的2T0C存储单元具有更大的比特单元面积。传统DRAM位单元采用1T1C配置,其面积为6F2,而平面FET结构中的2T0C位单元大小约为20F2,即使可以单片集成,基于平面的2T0C DRAM单元仍然需要 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种双晶体管无电容结构动态存储器件,其特征在于,由基于硅衬底的读晶体管与二维材料写晶体管在垂直方向上堆叠而成;其中,通过绝缘层与写晶体管的栅氧化层刻蚀形成上下晶体管互连通道,使写晶体管源/漏极金属与读晶体管栅极金属相连;此外,下方的读晶体管具有与MOSFET的对称物理结构,在栅极以及侧墙的掩蔽作用下,通过与MOSFET的自对准离子注入工艺在沟道上形成掺杂和阴极/阳极掺杂区域。2.根据权利要求1所述的双晶体管无电容结构动态存储器件,其特征在于,包括读晶体管和写读晶体管两部分,中间有隔离绝缘层(11)隔开;其中:读晶体管部分包括:衬底(1);形成在衬底(1)上的埋氧层(2);埋氧层(2)上的沟道区(3),以及在沟道区(3)左右两侧重掺杂的源极(4)与漏极(5);在沟道区(3)上的读晶体管栅氧化层(7);在读晶体管栅氧化层(7)上的读晶体管栅极金属(9)以及在读晶体管栅极金属(9)两侧的侧墙(10);在读晶体管栅氧化层(7)两侧的源极金属(6)和漏极金属(8);栅极金属(9)两边的侧墙(10)将栅极金属(9)与两边的两侧的源极金属(6)、漏极金属(8)源漏隔离开;读晶体管部分包括:在读晶体管源极金属(6)上依次为读晶体管上的隔离绝缘层(11)、写晶体管栅氧化层(12)、写晶体管二维材料(14)、写晶体管源金属接触(15);在读晶体管漏极金属(8)上依次为读晶体管上的隔离绝缘层(11)、写晶体管栅极金属(13)、写晶体管栅氧化层(12)、写晶体管二维材料(14)、写晶体管漏金属接触(16)。3.根据权利要求1所述的双晶体管无电容结构动态存储器件,其特征在于,所述衬底(1)为半导体,选自体硅/SOI、锗、锗硅、氮化镓。4.根据权利要求1所述的双晶体管无电容结构动态存储器件,其特征在于,所述写晶体管中的二维材料选自二硫化钼、硒化钨、石墨烯。5.根据权利要求1所...
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