存储器及其制造方法技术

本申请提供一种存储器及其制造方法，所述制造方法包括：提供衬底；在所述衬底表面形成沿第一方向延伸的若干相互平行的第一隔离结构，和沿第二方向延伸的若干相互平行的第一沟槽；所述第一方向与所述第二方向垂直；所述第一沟槽的深度小于所述衬底的厚度；所述第一隔离结构和所述第一沟槽将所述衬底划分为多个沟道柱；形成覆盖所述第一沟槽内壁的字线结构；在所述沟道柱的表面形成存储结构；从所述衬底背面去除所述第一沟槽底部的部分所述字线结构，形成在所述第一沟槽内相互分离的两条字线。字线。字线。

【技术实现步骤摘要】
存储器及其制造方法


[0001]本申请涉及半导体
，具体是涉及一种存储器及其制造方法。

技术介绍

[0002]随着当今科学技术的不断发展，存储器被广泛地应用于各种电子设备。随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)是一种易失性存储器，是计算机中常用的半导体存储器件。
[0003]随机存取存储器由多个重复的存储单元组成，每一个存储单元主要由一个晶体管与一个由晶体管所操控的电容所构成，且每一个存储单元通过字线与位线彼此电连接。然而，这种随机存取存储器存在存储单元占用面积较大、布线复杂，制造工艺难度大等问题。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本申请实施例提供了一种存储器及其制造方法。
[0005]第一方面，本申请实施例提供了一种存储器的制造方法，所述方法包括：
[0006]提供衬底；
[0007]在所述衬底表面形成沿第一方向延伸的若干相互平行的第一隔离结构，和沿第二方向延伸的若干相互平行的第一沟槽；所述第一方向与所述第二方向垂直；所述第一沟槽的深度小于所述衬底的厚度；所述第一隔离结构和所述第一沟槽将所述衬底划分为多个沟道柱；
[0008]形成覆盖所述第一沟槽内壁的字线结构；
[0009]在所述沟道柱的表面形成存储结构；
[0010]从所述衬底背面去除所述第一沟槽底部的部分所述字线结构，形成在所述第一沟槽内相互分离的两条字线。
[0011]在一些实施例中，上述形成覆盖第一沟槽内壁的字线结构，包括：
[0012]形成覆盖所述第一沟槽内壁的栅氧化层；
[0013]形成覆盖所述栅氧化层的栅导电层；
[0014]在所述第一沟槽中的所述栅导电层之间填充绝缘材料，形成第二隔离结构。
[0015]在一些实施例中，上述从衬底背面去除所述第一沟槽底部的部分所述字线结构，形成在所述第一沟槽内相互分离的两条字线，包括：
[0016]去除位于所述字线结构下方的部分所述衬底，直至所述字线结构从所述衬底背面显露；
[0017]从所述衬底背面去除部分所述第一沟槽底部的所述字线结构，以形成在所述第一沟槽内相互分离的两条字线。
[0018]在一些实施例中，所述方法还包括：
[0019]在去除部分所述第一沟槽底部的所述字线结构后形成的凹陷中，填充绝缘材料。
[0020]在一些实施例中，上述去除位于字线结构下方的部分所述衬底，直至所述字线结
构从所述衬底背面显露，包括：
[0021]对所述衬底背面进行减薄，直至所述字线结构从所述衬底背面显露。
[0022]在一些实施例中，上述去除位于字线结构下方的部分所述衬底，直至所述字线结构从所述衬底背面显露，包括：
[0023]在所述衬底背面所述第一沟槽底部的对应位置形成开口，所述字线结构的底部从所述开口显露。
[0024]在一些实施例中，所述方法还包括：
[0025]沿所述第二方向形成贯穿同一直线上的所述沟道柱的多条第三隔离结构；所述第三隔离结构用于将所述沟道柱划分为两个晶体管的导电沟道。
[0026]在一些实施例中，上述沿所述第二方向形成贯穿同一直线上的所述沟道柱的多条第三隔离结构，包括：
[0027]沿所述第二方向形成贯穿同一直线上的所述沟道柱的多条第二沟槽；
[0028]在所述第二沟槽中形成所述第三隔离结构，其中，所述第三隔离结构中具有空气腔。
[0029]在一些实施例中，所述方法还包括：
[0030]对所述导电沟道的第一端进行掺杂，形成晶体管的源极；
[0031]对所述导电沟道的第二端进行掺杂，形成所述晶体管的漏极。
[0032]在一些实施例中，上述在沟道柱的表面形成存储结构，包括：
[0033]在所述晶体管的源极表面上形成存储电容。
[0034]在一些实施例中，上述对导电沟道的第二端进行掺杂，形成所述晶体管的漏极，包括：
[0035]对所述衬底的背面进行减薄；
[0036]对所述导电沟道的所述第二端进行掺杂，形成所述晶体管的漏极。
[0037]在一些实施例中，所述方法还包括：
[0038]在所述衬底的背面，形成连接所述晶体管的漏极的位线。
[0039]在一些实施例中，上述在衬底的背面，形成连接所述晶体管的漏极的位线，包括：
[0040]在所述漏极表面形成位线接触结构；
[0041]在所述位线接触结构上形成所述位线。
[0042]另一方面，本申请实施例还提供了一种存储器，所述存储器包括：
[0043]衬底；
[0044]位于所述衬底表面，沿第一方向延伸的若干相互平行的第一隔离结构，和沿第二方向延伸的若干相互平行的第一沟槽；所述第一方向与所述第二方向垂直；所述第一沟槽的深度小于所述衬底的厚度；所述第一隔离结构和所述第一沟槽将所述衬底划分为多个沟道柱；
[0045]字线结构，位于所述第一沟槽内；所述字线结构包括位于所述第一沟槽的侧壁且相互分离的两条字线；
[0046]位于所述沟道柱的表面的存储结构。
[0047]在一些实施例中，所述字线结构还包括：
[0048]栅氧化层，位于所述第一沟槽的侧壁与所述字线之间；
[0049]第二隔离结构，位于所述第一沟槽中的两条所述字线之间。
[0050]在一些实施例中，所述存储器还包括：
[0051]沿所述第二方向贯穿同一直线上的所述沟道柱的多条第三隔离结构；所述第三隔离结构将所述沟道柱划分为两个晶体管的导电沟道。
[0052]在一些实施例中，所述第三隔离结构中具有空气腔。
[0053]在一些实施例中，所述沟道柱包括：
[0054]位于所述导电沟道第一端的晶体管的源极；
[0055]位于所述导电沟道第二端的所述晶体管的漏极。
[0056]在一些实施例中，所述存储结构包括：
[0057]存储电容，位于所述源极的表面且连接所述源极。
[0058]在一些实施例中，所述存储器还包括：
[0059]位线，位于所述衬底的背面，所述位线连接所述漏极。
[0060]在一些实施例中，所述存储器还包括：
[0061]位线接触结构，位于所述漏极的表面，所述位线接触连接所述漏极和所述位线。
[0062]本申请实施例提供的存储器的制造方法，在第一沟槽中形成相互分离的两条字线，并在沟道柱的表面形成存储结构。如此，一方面，通过形成垂直排列的晶体管，极大地缩小了存储单元的面积，优化了存储器的结构布局；另一方面，从衬底背面去除部分字线结构，更易于将第一沟槽内两个侧壁上的字线完全分离，减少了短路的问题，提升了制造工艺的可靠性。
附图说明
[0063]图1A为本申请实施例提供的一种晶体管的结构示意图；
[0064]图1B为本申请实施例提供的一种晶体管的结构示意图；
[0065]图1C为本申请实施例提供的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供衬底；在所述衬底表面形成沿第一方向延伸的若干相互平行的第一隔离结构，和沿第二方向延伸的若干相互平行的第一沟槽；所述第一方向与所述第二方向垂直；所述第一沟槽的深度小于所述衬底的厚度；所述第一隔离结构和所述第一沟槽将所述衬底划分为多个沟道柱；形成覆盖所述第一沟槽内壁的字线结构；在所述沟道柱的表面形成存储结构；从所述衬底背面去除所述第一沟槽底部的部分所述字线结构，形成在所述第一沟槽内相互分离的两条字线。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成覆盖所述第一沟槽内壁的字线结构，包括：形成覆盖所述第一沟槽内壁的栅氧化层；形成覆盖所述栅氧化层的栅导电层；在所述第一沟槽中的所述栅导电层之间填充绝缘材料，形成第二隔离结构。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述从所述衬底背面去除所述第一沟槽底部的部分所述字线结构，形成在所述第一沟槽内相互分离的两条字线，包括：去除位于所述字线结构下方的部分所述衬底，直至所述字线结构从所述衬底背面显露；从所述衬底背面去除部分所述第一沟槽底部的所述字线结构，以形成在所述第一沟槽内相互分离的两条字线。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在去除部分所述第一沟槽底部的所述字线结构后形成的凹陷中，填充绝缘材料。5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述去除位于所述字线结构下方的部分所述衬底，直至所述字线结构从所述衬底背面显露，包括：对所述衬底背面进行减薄，直至所述字线结构从所述衬底背面显露。6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述去除位于所述字线结构下方的部分所述衬底，直至所述字线结构从所述衬底背面显露，包括：在所述衬底背面所述第一沟槽底部的对应位置形成开口，所述字线结构的底部从所述开口显露。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：沿所述第二方向形成贯穿同一直线上的所述沟道柱的多条第三隔离结构；所述第三隔离结构用于将所述沟道柱划分为两个晶体管的导电沟道。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述沿所述第二方向形成贯穿同一直线上的所述沟道柱的多条第三隔离结构，包括：沿所述第二方向形成贯穿同一直线上的所述沟道柱的多条第二沟槽；在所述第二沟槽中形成所述第三隔离结构，其中，所述第三隔离结构中具有空气腔。9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：对所述导电沟道的第一端...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘藩东，华文宇，骆中伟，张帜，徐文祥，
申请(专利权)人：芯盟科技有限公司，
类型：发明
国别省市：