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本发明涉及一种存储单元结构、存储阵列结构、半导体结构及其制备方法。存储单元结构包括：衬底、有源区、字线结构、绝缘介质层和电容结构，衬底中具有位线结构；有源区位于位线结构上，在沿垂直于衬底的方向上，包括第一连接端、远离第一连接端的第二连接端、...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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