一种化学浴沉积硫化铟薄膜的方法技术

本发明专利技术涉及一种化学浴沉积硫化铟薄膜的方法，属于功能薄膜材料的制备技术领域。目前现有的制备硫化铟的方法，对沉积条件要求较高，需要高温加热，对沉积衬底有很大的局限性。制备硫化铟的方法采用柠檬酸或丙二酸作为络合剂，在低于１００℃的水浴环境下，即可在改性的普通玻璃上均获得具有立方结构，均一致密且高度结晶的硫化铟薄膜。本发明专利技术对衬底无选择性，低温溶液中合成，具有良好结晶性，工艺简单，成本低廉，适合于大规模生产应用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，在较低的温度范围内， 以柠檬酸或丙二酸作为络合剂，可得到致密均一的硫化铟薄膜。属于功能薄 膜材料的制备

技术介绍
对于薄膜太阳电池来说，缓冲层是组成电池不可或缺的一部分。其主要作用是为了与吸收层形成p-n结，从而最大化的将太阳光吸收到结之间的区域 和吸收层区域，使薄膜太阳电池能充分吸收太阳光以转换成电能。CulnS2薄 膜太阳电池目前主要使用化学水浴法制备CdS薄膜来作为薄膜电池的缓冲 层，但是由于有毒元素镉的存在，会对环境造成一定的污染，不符合环保和 可持续性发展的新能源要求，因此研究无镉缓冲层替代材料成为当前CulnS2 薄膜太阳电池急需解决的一个问题。Iri2S3是目前研究较多的替换CdS材料的 一种候选缓冲层材料，它不含有毒元素，并且其自身也不具有毒性。同时，In2S3 对可见光区波段的吸收较大(间接禁带)，化学浴生长过程需要的温度较低(低 于10(TC)，不会对先前沉积的吸收薄膜层造成破坏。并且由于In2S3本身所组 成的元素与CuInS2薄膜相同，从而使得Iri2S3与CulnS2之间不具有很强的界 面态，有利于减少光生载流子在界面处的复合。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种化学浴沉积硫化铟薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：　ａ）衬底的预处理：将玻璃衬底依次用甲苯、丙酮、乙醇在超声清洗器中充分清洗后，再用去离子水冲洗，然后用体积比为７∶３的浓Ｈ↓［２］ＳＯ↓［４］和３０％Ｈ↓［２］Ｏ↓［２］溶液在 ８０℃反应氧化３０分钟，之后将衬底浸泡于体积比１∶１００的巯基硅乙酯的无水乙醇溶液（巯基硅乙酯∶无水乙醇＝１∶１００）中，备用；　ｂ）将络合剂溶解于去离子水中，充分搅拌均匀后，加入氯化铟，络合剂与氯化铟的摩尔比为７∶１，持续搅拌溶液， 得到完全澄清透明的溶液Ａ；　ｃ）向溶液Ａ中加入ＨＣｌ溶液调节ｐＨ值为１～２，得到溶液Ｂ；　ｄ）向溶液Ｂ中缓慢...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：汪浩，高志华，李坤威，严辉，
申请(专利权)人：北京工业大学，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]