一种低温快速沉积硫化铜纳米薄膜的方法技术

本发明专利技术涉及一种低温快速沉积硫化铜纳米薄膜的方法，属于功能薄膜材料的制备技术领域。目前现有的制备硫化铜薄膜的方法，对沉积条件要求较高，需要高温加热，对沉积衬底有很大的局限性，制备时间较长，效率低，不利于工业生产。本发明专利技术制备硫化铜薄膜的方法，采用乙二胺四乙酸二钠（ＥＤＴＡ－２Ｎａ）作为络合剂，在低于１００℃的微波水浴环境下，４０分钟之内，即可在半导体衬底和导电衬底上获得具有靛铜矿结构，晶粒细小均一致密且具有特定微观结构的纳米硫化铜薄膜。本发明专利技术工艺简单，成本低廉，适合于大规模生产应用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，在较低的温度范围内，以乙二胺四乙酸二钠(EDTA-2Na)作为络合剂，可在较短的时间内沉 积得到纳米级的硫化铜薄膜。属于功能薄膜材料的制备

技术介绍
Q^S(x^-2)是一种重要的光电功能材料。1976年，D. F. A. Koch， R. J. Mclntyre报道了 CuxS在室温下至少存在五种稳定的化合物CuS、 CUl.75S、 CuuS、 CUl.95S、 Cu2S。在今后的很长一段时间内，它们被广泛应用于光学和 电学器件，如光热转换器件，电传导电极，微波防护涂层，太阳能控制涂层， 染料敏化太阳能电池，纳米开关，锂离子电池阳极材料和一些化学敏化器件。 近期，CuS又被发现在1.6K温度之下具有超导的性质。硫化铜(CuS)，具有六方靛铜矿结构，空间群为P63/mmc，晶胞参数 a=3.7917A， c=16.342A。如今，对制备CuS薄膜的研究已相对很多，且已有 的制备CuS薄膜的方法多种多样，其中，物理制备的方法大多对沉积条件要 求较高，需要真空、高温等条件，这样会不可避免的破坏薄膜的原有形貌， 同时很难精确控制所制备薄膜的成分严格符合其分子本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低温快速沉积硫化铜纳米薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：　ａ）衬底的预处理：将衬底依次用甲苯、丙酮、乙醇在超声清洗器中充分清洗后，再用去离子水冲洗，并浸泡在乙醇中备用；　ｂ）将Ｃｕ（Ａｃ）↓［２］粉末溶解于去离子水中，充分搅拌均匀，加入与Ｃｕ（Ａｃ）↓［２］等物质的量的络合剂ＥＤＴＡ－２Ｎａ，持续搅拌溶液，得到澄清透明的蓝色溶液Ａ；　ｃ）向溶液Ａ中加入ＮａＯＨ溶液和ＨＣｌ溶液调节ｐＨ值至６～１０，得到溶液Ｂ；　ｄ）向溶液Ｂ中缓慢加入与Ｃｕ（Ａｃ）↓［２］等物质的量的硫代乙酰胺，并搅拌均匀，得到澄清透明溶液Ｃ；　ｅ）将经过预处理的衬底用氮气吹干，放入溶液Ｃ中，使衬底倒置漂浮于溶液Ｃ表面，...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：汪浩，忻睦迪，李坤威，严辉，
申请(专利权)人：北京工业大学，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]