一种带翘曲校正功能的晶圆承载器制造技术

本发明专利技术涉及半导体设备技术领域，提供了一种带翘曲校正功能的晶圆承载器，包括：承载板、密封盖板、吸附校正组件及第一中心吸附源，吸附校正组件包括两条吸附条、平行轨道，初始位置，两条吸附条位于所述承载板的中心下方；在校正状态下，两条吸附条沿平行轨道在承载板下方的中间朝相反方向移动；第一中心吸附源在完成校正后使得晶圆被吸附于承载板上。本发明专利技术通过吸附条从中间向两侧移动吸附的方式，从而使得晶圆能够从中间向两侧逐渐被展平，实现对晶圆翘曲部分的校正。圆翘曲部分的校正。圆翘曲部分的校正。

【技术实现步骤摘要】
一种带翘曲校正功能的晶圆承载器


[0001]本专利技术涉及半导体设备
，尤其是涉及一种带翘曲校正功能的晶圆承载器。

技术介绍

[0002]半导体晶圆物料在加工操作中涉及多道晶圆物料的检测工序，例如对晶圆表面薄膜厚度的检测。
[0003]在BCD工艺中（Bipolar CMOS DMOS一种单片集成工艺），需要使用外延工艺。硅外延工艺一般在高温下进行，通过对晶圆进行热处理操作从而在其表面生长外延层。基于外延生长的原理，晶圆不同区域的外延厚度存在一定的差异。由于晶圆上膜层的均匀性关系到器件性能的稳定性，因此，需要对晶圆上膜层的厚度进行监控。在对晶圆薄膜层厚度检测的操作中包括稳固并且选择性地将晶圆放置在待检测的承载平台上。例如在光学检测程序开始之前,都会首先选择适合晶圆尺寸的晶圆承载平台将晶圆原片稳定的放置在承载平台上；在检测开始时就需要精细控制待检测晶圆与检测设备检测源之间的距离。
[0004]承载平台的表面会产生负压，以此将晶圆片稳定的吸附固定在承载表面，在晶圆薄片上升或者下降的时候，对于较薄的晶圆，会在晶圆的边缘部位产生翘本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种带翘曲校正功能的晶圆承载器，其特征在于，包括：承载板，所述承载板为多孔结构，所述多孔结构的孔内部连通；密封盖板，所述密封盖板设置于所述承载板周围；吸附校正组件，所述吸附校正组件包括两条吸附条、平行轨道，所述两条吸附条完全相同，所述两条吸附条各自的两端分别接触所述平行轨道；初始位置，所述两条吸附条位于所述承载板的中心下方；在校正状态下，所述两条吸附条沿所述平行轨道在所述承载板下方的中间朝相反方向移动；第一中心吸附源，所述第一中心吸附源连接至所述承载板下方，所述第一中心吸附源用于在完成校正后使得晶圆被吸附于所述承载板上。2.根据权利要求1所述的带翘曲校正功能的晶圆承载器，其特征在于，所述吸附条包括在其长度方向上间隔设置的若干吸嘴，在启动阶段，若干所述吸嘴从所述吸附条的中间向两侧逐渐打开，在校正状态下，若干所述吸嘴为打开状态。3.根据权利要求1所述的带翘曲校正功能的晶圆承载器，其特征在于，还包括第二吸附源，所述吸附条的长度小于所述晶圆的直径，将所述承载板上所述吸附条移动轨迹的投影之外的区域设置为固定吸附区，所述固定吸附区连接至所述第二吸附源。4.根据权利要求3所述的带翘曲校正功能的晶圆承载器，其特征在于，所述固定吸附区与所述承载板上所述吸附条移动轨迹的投影之内的区域互不连通。5.根据权利要求4所述的带翘曲校正功能的晶圆承载器，其特征在于，所述固定吸附区包括第一固定吸附区与第二固定吸附区，所述第一固定吸附区与所述第二固定吸附区关于所...

【专利技术属性】
技术研发人员：龚昱，朱飞，余君山，
申请(专利权)人：上海新创达半导体设备技术有限公司，
类型：发明
国别省市：