一种带翘曲校正功能的晶圆承载器制造技术

本发明专利技术涉及半导体设备技术领域，提供了一种带翘曲校正功能的晶圆承载器，包括：承载板、密封盖板、吸附校正组件及第一中心吸附源，吸附校正组件包括两条吸附条、平行轨道，初始位置，两条吸附条位于所述承载板的中心下方；在校正状态下，两条吸附条沿平行轨道在承载板下方的中间朝相反方向移动；第一中心吸附源在完成校正后使得晶圆被吸附于承载板上。本发明专利技术通过吸附条从中间向两侧移动吸附的方式，从而使得晶圆能够从中间向两侧逐渐被展平，实现对晶圆翘曲部分的校正。圆翘曲部分的校正。圆翘曲部分的校正。

【技术实现步骤摘要】
一种带翘曲校正功能的晶圆承载器


[0001]本专利技术涉及半导体设备
，尤其是涉及一种带翘曲校正功能的晶圆承载器。

技术介绍

[0002]半导体晶圆物料在加工操作中涉及多道晶圆物料的检测工序，例如对晶圆表面薄膜厚度的检测。
[0003]在BCD工艺中（Bipolar CMOS DMOS一种单片集成工艺），需要使用外延工艺。硅外延工艺一般在高温下进行，通过对晶圆进行热处理操作从而在其表面生长外延层。基于外延生长的原理，晶圆不同区域的外延厚度存在一定的差异。由于晶圆上膜层的均匀性关系到器件性能的稳定性，因此，需要对晶圆上膜层的厚度进行监控。在对晶圆薄膜层厚度检测的操作中包括稳固并且选择性地将晶圆放置在待检测的承载平台上。例如在光学检测程序开始之前,都会首先选择适合晶圆尺寸的晶圆承载平台将晶圆原片稳定的放置在承载平台上；在检测开始时就需要精细控制待检测晶圆与检测设备检测源之间的距离。
[0004]承载平台的表面会产生负压，以此将晶圆片稳定的吸附固定在承载表面，在晶圆薄片上升或者下降的时候，对于较薄的晶圆，会在晶圆的边缘部位产生翘曲现象，主要以12寸的晶圆为主，这是因为成品的晶圆在减薄以后就没有了用来补偿翘曲的应力膜，在晶圆薄片上下运动调整时，由于部分位置悬空，薄晶圆会产生应力差，从而导致晶圆产生翘曲，使得晶圆成拱形。
[0005]现有技术中也有在陶瓷吸附平台上来对晶圆翘曲进行校正的装置，有的需要在陶瓷平台上设计大量的吸附孔，有的采用特殊的陶瓷板形状或者采用很多圈隔离设计的陶瓷板，这些方式对陶瓷板的加工带来了更大的难度，且使用寿命较短，另外在校正效果上也并不理想，因此现在需要一种易于实现且校正效果更好的吸附平台。

技术实现思路

[0006]本专利技术的目的在于提供一种带翘曲校正功能的晶圆承载器，以解决了现有技术中存在的晶圆翘曲校正效果不理想的技术问题。
[0007]本专利技术实施例提供了一种带翘曲校正功能的晶圆承载器，包括：承载板，所述承载板为多孔结构，所述多孔结构的孔内部连通；密封盖板，所述密封盖板设置于所述承载板周围；吸附校正组件，所述吸附校正组件包括两条吸附条、平行轨道，所述两条吸附条完全相同，所述两条吸附条各自的两端分别接触所述平行轨道；初始位置，所述两条吸附条位于所述承载板的中心下方；在校正状态下，所述两条吸附条沿所述平行轨道在所述承载板下方的中间朝相反方向移动；第一中心吸附源，所述第一中心吸附源连接至所述承载板下方，所述第一中心吸附源用于在完成校正后使得晶圆被吸附于所述承载板上。
[0008]进一步的，所述吸附条包括在其长度方向上间隔设置的若干吸嘴，在启动阶段，若干所述吸嘴从所述吸附条的中间向两侧逐渐打开，在校正状态下，若干所述吸嘴为打开状
态。
[0009]进一步的，所述晶圆承载器还包括第二吸附源，所述吸附条的长度小于所述晶圆的直径，将所述承载板上所述吸附条移动轨迹的投影之外的区域设置为固定吸附区，所述固定吸附区连接至所述第二吸附源。
[0010]进一步的，所述固定吸附区与所述承载板上所述吸附条移动轨迹的投影之内的区域互不连通。
[0011]进一步的，所述固定吸附区包括第一固定吸附区与第二固定吸附区，所述第一固定吸附区与所述第二固定吸附区关于所述承载板垂直于所述吸附条的中心线对称。
[0012]进一步的，所述晶圆承载器还包括第一升降组件及第二升降组件，所述第一升降组件安装于所述第一固定吸附区下方，所述第二升降组件安装于所述第二固定吸附区下方。
[0013]进一步的，所述晶圆承载器还包括第一压力传感器、第二压力传感器及控制器，所述第一压力传感器与所述第一固定吸附区连接，所述第二压力传感器与所述第二固定吸附区连接；所述控制器根据所述第一压力传感器的感测压力，控制所述第一升降组件的开启或关闭，使得所述第一固定吸附区实现升降；所述控制器根据所述第二压力传感器的感测压力，控制所述第二升降组件的开启或关闭，使得所述第二固定吸附区实现升降。
[0014]进一步的，所述第一固定吸附区的宽度L小于所述晶圆直径的八分之一。
[0015]进一步的，所述吸附校正组件还包括环形支架，所述平行轨道的两端与所述环形支架连接；所述平行轨道绕所述环形支架相对旋转，带动所述吸附条旋转，或所述环形支架绕其圆心旋转，带动所述平行轨道及所述吸附条相对所述承载板旋转。
[0016]进一步的，所述吸附条在所述平行轨道上的移动速度小于1cm/s。
[0017]进一步的，所述承载板的材料为陶瓷板。
[0018]本专利技术实施例至少具有以下技术效果：本专利技术实施例提供的一种带翘曲校正功能的晶圆承载器，在承载板的下方设置两个吸附条、以及更下方的第一中心吸附源，两个吸附条各自的两侧都分别搭接在平行轨道上，两个吸附条能够沿着平行轨道滑动。由于承载板是多孔结构，其内部的孔是基本连通的状态，因此，当位于承载板下方的吸附条在进行吸附时，整个承载板也会产生吸附力，能够对未产生翘曲的晶圆部分起到一定的吸附固定作用，但同时，吸附条所在的位置吸附力必然是更大的。在晶圆翘曲校正的过程中，通过将两个吸附条沿平行轨道从承载板下方的中间向两侧移动，从而使得晶圆能够从中间向两侧逐渐被展平。当两个吸附条的部分移动到密封盖板下方时，密封盖板能密闭住除位于承载板下方之外的吸附条的其他部分，保证吸附条的正常吸附效果。本专利技术通过从中间向两侧逐渐吸附的方式，先将晶圆的未翘曲部分吸附到正常平面位置的，而随着近的部分被校正到正常的位置，其可以带动其他翘曲部分向承载板靠近，就可以实现对晶圆翘曲部分的校正。
附图说明
[0019]为了更清楚地说明本专利技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前
提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0020]图1为本专利技术实施例提供的一种带翘曲校正功能的晶圆承载器的截面示意图；图2为本专利技术实施例提供的一种带翘曲校正功能的晶圆承载器的俯视结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的吸附条示意图；图4为本专利技术实施例提供的第二例晶圆承载器的俯视结构示意图；图5为本专利技术实施例提供的第二例晶圆承载器的截面示意图；图6为本专利技术实施例提供的第三例晶圆承载器的俯视结构示意图。
[0021]图标：1
‑
承载板；2
‑
密封盖板； 4
‑
第一中心吸附源；5
‑
第二吸附源；6
‑
晶圆；10
‑
固定吸附区；30
‑
吸附条；31
‑
平行轨道；32
‑
环形支架；101
‑
第一固定吸附区；102
‑
第二固定吸附区；301
‑
吸嘴。
具体实施方式
[0022]下面将结合实施例对本专利技术的技术方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种带翘曲校正功能的晶圆承载器，其特征在于，包括：承载板，所述承载板为多孔结构，所述多孔结构的孔内部连通；密封盖板，所述密封盖板设置于所述承载板周围；吸附校正组件，所述吸附校正组件包括两条吸附条、平行轨道，所述两条吸附条完全相同，所述两条吸附条各自的两端分别接触所述平行轨道；初始位置，所述两条吸附条位于所述承载板的中心下方；在校正状态下，所述两条吸附条沿所述平行轨道在所述承载板下方的中间朝相反方向移动；第一中心吸附源，所述第一中心吸附源连接至所述承载板下方，所述第一中心吸附源用于在完成校正后使得晶圆被吸附于所述承载板上。2.根据权利要求1所述的带翘曲校正功能的晶圆承载器，其特征在于，所述吸附条包括在其长度方向上间隔设置的若干吸嘴，在启动阶段，若干所述吸嘴从所述吸附条的中间向两侧逐渐打开，在校正状态下，若干所述吸嘴为打开状态。3.根据权利要求1所述的带翘曲校正功能的晶圆承载器，其特征在于，还包括第二吸附源，所述吸附条的长度小于所述晶圆的直径，将所述承载板上所述吸附条移动轨迹的投影之外的区域设置为固定吸附区，所述固定吸附区连接至所述第二吸附源。4.根据权利要求3所述的带翘曲校正功能的晶圆承载器，其特征在于，所述固定吸附区与所述承载板上所述吸附条移动轨迹的投影之内的区域互不连通。5.根据权利要求4所述的带翘曲校正功能的晶圆承载器，其特征在于，所述固定吸附区包括第一固定吸附区与第二固定吸附区，所述第一固定吸附区与所述第二固定吸附区关于所...

【专利技术属性】
技术研发人员：龚昱，朱飞，余君山，
申请(专利权)人：上海新创达半导体设备技术有限公司，
类型：发明
国别省市：