基于量子点的MicroLED结构及其制备方法技术

技术编号:38320831 阅读:19 留言:0更新日期:2023-07-29 09:02
本公开涉及一种基于量子点的Micro LED结构及其制备方法,属于Micro LED显示技术领域,该结构包括阵列排布的像素,且每个像素包括:发光元件、第一光调制层以及阳极反射层;发光元件包括相对的第一表面和第二表面,以及衔接第一表面和第二表面的衔接面;发光元件的第一表面对应Micro LED结构的出光面;第一光调制层位于发光元件的至少部分第二表面和/或至少部分衔接面;第二颜色的光的波长大于第一颜色的光的波长;阳极反射层位于第一光调制层背离发光元件的一侧。如此,通过利用阳极反射层对第一光调制层发出的光进行反射,使发光元件的第二表面和/或衔接面的光能够进一步被反射至出光面,提高了Micro LED结构的光利用率并降低了整体能耗。低了整体能耗。低了整体能耗。

【技术实现步骤摘要】
基于量子点的Micro LED结构及其制备方法


[0001]本公开涉及Micro LED显示
,尤其涉及一种基于量子点的Micro LED结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]目前,现有Micro LED(微型发光二极管)显示技术中,LED发光为全方位角发光,即包括正面发光、侧面发光以及背面发光,通常都在LED正面的发光面制备相关结构提高光的利用率,而针对LED侧面发光以及背面发光的研究还较少,未有效实现对LED侧面和背面的光的利用,例如在相关的Micro LED显示技术中,LED背面的阳极金属和氧化硅(SiOx)工艺制备的绝缘层仅实现了电性连接,使LED背面和侧面发光时存在漏光,从而使光利用率降低且能耗增加。

技术实现思路

[0003]为了解决上述技术问题或者至少部分地解决上述技术问题,本公开提供了一种基于量子点的Micro LED结构及其制备方法。
[0004]本公开提供了一种基于量子点的Micro LED结构,包括阵列排布的像素,且每个所述像素包括:发光元件、第一光调制层以及阳极反射层;所述发光元件包括相本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1. 一种基于量子点的Micro LED结构,其特征在于,包括阵列排布的像素,且每个所述像素包括:发光元件、第一光调制层以及阳极反射层;所述发光元件包括相对的第一表面和第二表面,以及衔接所述第一表面和所述第二表面的衔接面;所述发光元件的第一表面对应所述Micro LED结构的出光面;所述发光元件用于发出第一颜色的光;所述第一光调制层位于所述发光元件的至少部分所述第二表面和/或至少部分所述衔接面;所述第一光调制层用于基于所述发光元件的所述第二表面和/或所述衔接面出光发出第二颜色的光,或者用于传输所述第一颜色的光;所述第二颜色的光的波长大于所述第一颜色的光的波长;所述阳极反射层位于所述第一光调制层背离所述发光元件的一侧;所述阳极反射层至少用于反射所述第二颜色的光或经所述第一光调制层之后的所述第一颜色的光至所述Micro LED结构的出光面。2. 根据权利要求1所述的Micro LED结构,其特征在于,所述第一光调制层位于所述发光元件的至少部分所述第二表面和/或至少部分所述衔接面,包括:所述第一光调制层包覆所述发光元件的所述衔接面和部分所述第二表面。3. 根据权利要求1所述的Micro LED结构,其特征在于,所述第一光调制层包括第一量子点层或者第一透明传输层;所述第一量子点层用于基于所述发光元件的所述第二表面和/或所述衔接面出光发出所述第二颜色的光;所述第一透明传输层用于传输所述第一颜色的光。4. 根据权利要求1所述的Micro LED结构,其特征在于,还包括第一阴极层和第二光调制层,所述第二光调制层与所述第一光调制层发出相同颜色的光;所述第一阴极层设置于所述发光元件的第一表面;所述第二光调制层位于所述第一阴极层背离所述发光元件的一侧;所述第二光调制层用于基于所述发光元件的第一表面出光发出所述第二颜色的光,或者用于传输所述第一颜色的光;其中,所述第一阴...

【专利技术属性】
技术研发人员:谢峰张羽岳大川蔡世星李小磊伍德民
申请(专利权)人:深圳市奥视微科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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