芯片背面金属化方法技术

本发明专利技术公开了一种芯片背面金属化方法，包括提供初始复合支撑层；初始复合支撑层包括防护层和单面胶膜；对初始复合支撑层中的防护层进行开窗，形成具有芯片放置区的目标复合支撑层；提供待金属化芯片，将待金属化芯片贴合在芯片放置区上，得到第一芯片复合结构；分别提供双面胶膜和硅载体；利用双面胶膜，对硅载体和第一芯片复合结构进行粘接，并撕离第一芯片复合结构中的单面胶膜，得到第二芯片复合结构；对第二芯片复合结构进行背面金属化处理，得到金属化芯片。本发明专利技术能将需要背面金属化的芯片单独挑出并进行背面金属化来满足实际封装要求，无需整个晶圆直接进行背面金属化，不会造成材料的浪费，成本低，能适应不同芯片封装要求的集成电路。装要求的集成电路。装要求的集成电路。

【技术实现步骤摘要】
芯片背面金属化方法


[0001]本专利技术涉及集成电路封装
，具体涉及一种芯片背面金属化方法。

技术介绍

[0002]随着集成电路的发展，对芯片封装的要求也越来越高，要求芯片经过封装后得到的封装件能承受更大的电压和电流密度，同时还需要具有更小的功耗损失。背面金属化可以降低器件的热阻，提高器件的散热性能，使得封装的芯片具有良好的欧姆接触特性、可焊性和可靠性。因此在高封装要求的芯片封装过程中，通常采用背面金属化的方式先对芯片进行处理，再进行封装，以适应更大的电压密度和电流密度以及更小的功耗损失等要求。
[0003]目前，传统的背面金属化方式是整张晶圆减薄后直接装入行星盘，再放入金属化设备中，采用蒸镀或溅射的方式对整张晶圆进行背面金属化。在这种方式中，整张晶圆上的芯片均进行了背面金属化。然而，在实际设计中，只有部分芯片进行背面金属化后再进行封装，而另一部分芯片不需要背面金属化，可以直接封装使用。因此，传统的背面金属化方式无法对需要背面金属化的芯片单独挑出并进行背面金属化作业来满足实际封装要求，会造成材料的浪费，成本较高。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术提供了一种芯片背面金属化方法，以解决现有技术中无法对需要背面金属化的芯片单独挑出并进行背面金属化作业来满足实际封装要求，导致成本高的问题。
[0005]本专利技术提供了一种芯片背面金属化方法，包括：提供初始复合支撑层；所述初始复合支撑层包括防护层和单面胶膜；对所述初始复合支撑层中的所述防护层进行开窗，形成具有芯片放置区的目标复合支撑层；提供待金属化芯片，将所述待金属化芯片贴合在所述目标复合支撑层的所述芯片放置区上，得到第一芯片复合结构；分别提供双面胶膜和硅载体；利用所述双面胶膜，对所述硅载体和所述第一芯片复合结构进行粘接，并撕离所述第一芯片复合结构中的所述单面胶膜，得到第二芯片复合结构；对所述第二芯片复合结构进行背面金属化处理，得到金属化芯片。
[0006]可选地，所述提供初始复合支撑层，包括：分别提供所述防护层和所述单面胶膜；利用贴膜设备，将所述防护层贴合在所述单面胶膜具有粘性的一侧，得到所述初始复合支撑层。
[0007]可选地，所述对所述初始复合支撑层中的所述防护层进行开窗，形成具有芯片放置区的目标复合支撑层，包括：
预先确定所述芯片放置区的定位；基于所述芯片放置区的定位，按照预设开窗尺寸，对所述初始复合支撑层中的所述防护层进行开窗，形成贯穿于所述防护层的所述芯片放置区，得到所述目标复合支撑层；其中，所述芯片放置区中的所述单面胶膜的两侧均裸露在外。
[0008]可选地，所述预设开窗尺寸大于所述待金属化芯片的尺寸。
[0009]可选地，所述将所述待金属化芯片贴合在所述目标复合支撑层的所述芯片放置区上，得到第一芯片复合结构，包括：利用所述目标复合支撑层的所述芯片放置区上裸露在外的所述单面胶膜，将所述待金属化芯片贴合在所述芯片放置区上，得到所述第一芯片复合结构。
[0010]可选地，所述双面胶膜包括具有粘性的第一胶面和第二胶面；所述利用所述双面胶膜，对所述硅载体和所述第一芯片复合结构进行粘接，包括：采用贴膜设备，将所述硅载体贴合在所述双面胶膜的所述第一胶面上，得到复合载体；采用所述贴膜设备，将所述第一芯片复合结构贴合有所述待金属化芯片的一侧贴合在所述复合载体中所述双面胶膜的所述第二胶面上。
[0011]可选地，所述撕离所述第一芯片复合结构中的所述单面胶膜，得到第二芯片复合结构，包括：将贴合在所述双面胶膜的所述第二胶面上的所述第一芯片复合结构中的所述单面胶膜进行撕离，使得撕离所述单面胶膜后的所述待金属化芯片的一侧和所述防护层的一侧均裸露在外，得到所述第二芯片复合结构。
[0012]可选地，所述对所述第二芯片复合结构进行背面金属化处理，得到金属化芯片，包括：将所述第二芯片复合结构装入行星盘后，采用蒸镀或溅射的方法，对所述第二芯片复合结构进行背面金属化处理，在所述第二芯片复合结构中裸露在外的所述待金属化芯片的一侧和所述防护层的一侧上均形成金属层，得到所述金属化芯片。
[0013]可选地，所述利用所述双面胶膜，对所述硅载体和所述第一芯片复合结构进行粘接之前，还包括：对所述第一芯片复合结构中的所述待金属化芯片进行减薄处理。
[0014]可选地，所述待金属化芯片为一个或多个。
[0015]本专利技术的有益效果：将提供的初始复合支撑层进行开窗，形成的具有芯片放置区的目标复合支撑层，能便于对单独挑出的需要背面金属化的芯片（即待金属化芯片）进行支撑，提供待金属化芯片的放置区域，无需整个晶圆进行背面金属化，同时还便于后续与硅载体进行结合，以便实现背面金属化；当待金属化芯片贴合到芯片放置区，形成第一芯片复合结构后，利用双面胶膜将硅载体与第一芯片复合结构进行粘接，并在粘接之后将单面胶膜撕离，能便于基于硅载体对待金属化芯片的支撑作用，将整个形成的第二芯片复合结构放入背面金属化的设备中，实现其中的待金属化芯片的背面金属化，进而降低芯片的热阻，提高散热性能，使得最终形成的金属化芯片能适用高封装要求的使用环境；本专利技术的芯片背面金属化方法，能将需要背面金属化的芯片单独挑出并进行背面金属化作业来满足实际封装要求，无需整个晶圆直接进行背面金属化，不会造成材料的浪
费，成本低，能适应不同芯片封装要求的集成电路。
附图说明
[0016]通过参考附图会更加清楚的理解本专利技术的特征和优点，附图是示意性的而不应理解为对本专利技术进行任何限制，在附图中：图1示出了本专利技术实施例中一种芯片背面金属化方法的流程图；图2示出了本专利技术实施例中初始复合支撑层的剖视面结构图；图3A示出了本专利技术实施例中目标复合支撑层的剖视面结构图；图3B示出了本专利技术实施例中目标复合支撑层的俯视面结构图；图4A示出了本专利技术实施例中第一芯片复合结构的剖视面结构图；图4B示出了本专利技术实施例中第一芯片复合结构的俯视面结构图图5示出了本专利技术实施例中将硅载体和第一芯片复合结构进行粘接后得到复合结构的剖视面结构图；图6示出了本专利技术实施例中第二芯片复合结构的剖视面结构图；图7示出了本专利技术实施例中金属化芯片的剖视面结构图。
[0017]附图标记说明：1、硅载体，2、双面胶膜，3、待金属化芯片，4、防护层，5、单面胶膜，6、芯片放置区，7、切割槽，8、金属层。
具体实施方式
[0018]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0019]一种芯片背面金属化方法，如图1所示，包括以下步骤：S1：提供初始复合支撑层；所述初始复合支撑层包括防护层和单面胶膜；S2：对所述初始复合支撑层中的所述防护层进行开窗，形成具有芯片放置区的目标复合支撑层；S3：提供待金属化芯片，将所述待金属化芯片贴本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片背面金属化方法，其特征在于，包括：提供初始复合支撑层；所述初始复合支撑层包括防护层和单面胶膜；对所述初始复合支撑层中的所述防护层进行开窗，形成具有芯片放置区的目标复合支撑层；提供待金属化芯片，将所述待金属化芯片贴合在所述目标复合支撑层的所述芯片放置区上，得到第一芯片复合结构；分别提供双面胶膜和硅载体；利用所述双面胶膜，对所述硅载体和所述第一芯片复合结构进行粘接，并撕离所述第一芯片复合结构中的所述单面胶膜，得到第二芯片复合结构；对所述第二芯片复合结构进行背面金属化处理，得到金属化芯片。2.根据权利要求1所述的芯片背面金属化方法，其特征在于，所述提供初始复合支撑层，包括：分别提供所述防护层和所述单面胶膜；利用贴膜设备，将所述防护层贴合在所述单面胶膜具有粘性的一侧，得到所述初始复合支撑层。3.根据权利要求1所述的芯片背面金属化方法，其特征在于，所述对所述初始复合支撑层中的所述防护层进行开窗，形成具有芯片放置区的目标复合支撑层，包括：预先确定所述芯片放置区的定位；基于所述芯片放置区的定位，按照预设开窗尺寸，对所述初始复合支撑层中的所述防护层进行开窗，形成贯穿于所述防护层的所述芯片放置区，得到所述目标复合支撑层；其中，所述芯片放置区中的所述单面胶膜的两侧均裸露在外。4.根据权利要求3所述的芯片背面金属化方法，其特征在于，所述预设开窗尺寸大于所述待金属化芯片的尺寸。5.根据权利要求3所述的芯片背面金属化方法，其特征在于，所述将所述待金属化芯片贴合在所述目标复合支撑层的所述芯片放置区上，得到第一芯片复合结构，包括：利用所述目标复合支撑层的所述芯片放置区上裸露在外的所述单面胶膜，将所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢旭岩，李耀，
申请(专利权)人：南京睿芯峰电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：