芯片载体制造技术

本公开的实施例涉及芯片载体。集成电路芯片载体包括围绕腔体的壁。该壁包括一个或多个层级，每个层级由块体周围的树脂层形成。该块体由与树脂不同的材料制成。该块体被去除以打开腔体。开腔体。开腔体。

【技术实现步骤摘要】
芯片载体
[0001]优先权声明
[0002]本申请要求于2022年1月11日提交的法国专利申请号2200190的优先权，在法律允许的最大范围内将其内容以其整体通过引用并入本文。


[0003]本公开总体上涉及电子设备，并且，更具体地涉及电子芯片载体。

技术介绍

[0004]电子集成电路芯片存在于许多电子设备中。在一个或多个制造步骤期间或在其操作期间，这种芯片经常被放置在包括腔体的载体结构中，芯片位于腔体中。
[0005]本领域需要克服已知芯片载体的全部或部分缺点。

技术实现思路

[0006]一个实施例提供一种制造包括腔体的载体的方法，包括：形成围绕腔体的壁，该壁包括至少一个第一层级，其中形成每个第一层级包括在第一块体周围形成第一树脂层，该第一块体由与第一树脂不同的材料制成，并且去除第一块体。
[0007]根据一个实施例，该方法包括：形成载体的基底，壁被搁置在该基底上，其中形成基底包括形成至少一个第二层级，其中形成每个第二层级包括形成在腔体的位置的前面延伸的第一树脂层。
[0008]根据一个实施例，形成基底包括形成在腔体的前面穿过基底的金属通孔。
[0009]根据一个实施例，形成至少某些层级包括生长金属轨和金属通孔。
[0010]根据一个实施例，(一个或多个)第一块体由与轨和通孔相同的材料制成。
[0011]根据一个实施例，层级被形成在至少部分金属的板体上。
[0012]根据一个实施例，第二层级在形成第一层级之前被形成在至少部分金属的板体上。
[0013]根据一个实施例，至少部分金属的板体形成载体的基底。
[0014]根据一个实施例，第一层级在形成第二层集之前被形成在至少部分金属的板体上。
[0015]根据一个实施例，(一个或多个)第一块体由至少部分金属的板体的一部分形成。
[0016]根据一个实施例，壁包括多个层级，并且所有第一块体具有相同的水平尺寸。
[0017]根据一个实施例，至少一个第一块体的至少一个侧壁相对于腔体的后部的平面倾斜。
[0018]根据一个实施例，最靠近腔体的后部的第一层级的第一块体具有至少一个水平尺寸，其小于其他第一层级中的第一块体的水平尺寸。
[0019]根据一个实施例，该方法包括用与第一树脂不同的第二树脂来填充腔体。
[0020]另一个实施例提供一种通过如前所述的方法而获得的设备，腔体具有大于30μm的
高度。
附图说明
[0021]上述特征和优点以及其他特征和优点将在下面参考附图以例示而非限制性的方式给出的具体实施例的说明中进行详细描述，其中：
[0022]图1示出了电子芯片载体的一个实施例；
[0023]图2示出了图1的实施例的应用的示例；
[0024]图3示出了图1的实施例的另一个示例；
[0025]图4A至图4D示出了图1的实施例的制造方法的实现模式的步骤；
[0026]图5A至图5C示出了图1的实施例的制造方法的另一实现模式的步骤。
[0027]图6示出了电子芯片载体的另一个实施例；
[0028]图7示出了电子芯片载体的另一个实施例；
[0029]图8示出了电子芯片载体的另一个实施例；
[0030]图9示出了电子芯片载体的另一个实施例；
[0031]图10示出了电子芯片载体的另一个实施例；以及
[0032]图11示出了电子芯片载体的另一个实施例。
具体实施方式
[0033]在各个图中，相似的特征由相似的附图标记标示。具体地，在各种实施例之中共同的结构和/或功能特征可以具有相同的附图标记并且可以设置有相同的结构、尺寸和材料属性。
[0034]为了清楚起见，仅详细例示和描述了有助于理解本文所描述的实施例的步骤和元件。
[0035]除非另外指出，否则当对连接在一起的两个元件进行引用时，这表示除了导体之外没有任何中间元件的直接连接，并且当提及耦合在一起的两个元件时，这表示这两个元件可以被连接，或者它们可以经由一个或多个其他元件来耦合。
[0036]在以下公开中，除非另有说明，当提及绝对位置限定词(诸如术语“前”、“后”、“上”、“下”、“左”、“右”等)或者相对位置限定词(诸如术语“上方”、“下方”、“上部”、“下部”等)或者方向限定词(诸如“水平”、“垂直”等)时，除非另有说明，参考图中所示的方向。
[0037]除非另有说明，否则表述“约”、“大概”、“大体上”和“大约”表示10％以内，并且优选为5％以内。
[0038]图1示出了电子集成电路芯片载体10的一个实施例。
[0039]载体10包括下部或基底12。基底12包括一个或多个树脂层。
[0040]在图1的实施例中，基底12仅由所述树脂形成。因此，基底12仅包括完全由所述树脂制成的一层或多层。
[0041]形成基底的树脂例如是环氧树脂，例如，热固性模塑树脂。例如，所述树脂是黑色树脂。例如，所述树脂是至少对于某些波长(例如，可见波长，即，例如380nm至780nm范围内的波长)不透明的树脂。
[0042]载体10还包括侧面壁14或上部部分。壁14被搁置在基底12上，更准确地，被搁置在
基底12的上部表面上。壁14在基底12的外围上延伸。优选地，基底12的上部表面被分为中央部分和围绕该中央部分的外围部分，其中侧壁14被搁置在外围部分上，优选为被搁置在整个外围部分上。
[0043]因此，壁14形成(或界定)腔体16。例如，腔体16旨在收纳集成电路芯片(未示出)。腔体16位于基底12的上部表面的中央部分的前面。换句话说，基底12的上部表面(特别是中央部分)形成腔体16的底部(后部)。壁14(并且更确切地，壁14的内表面)形成腔体16的侧壁。此外，腔体16是开口的。
[0044]壁14由一个或多个树脂层形成，优选为与形成基底12的层的树脂相同的树脂。因此，壁14包括一个或多个树脂层，例如，由环氧树脂(例如黑色树脂，例如热固性模塑树脂)制成。
[0045]壁14的每一层可以包括金属轨18和金属通孔20，例如，铜轨和通孔。例如，导电轨22搁置在壁14的上部表面上。例如，每个轨22与通孔18的一端接触，与壁14的上表面齐平。轨18、22和通孔20形成互联网络。
[0046]作为变形，轨22可以位于树脂层中，并且可以与壁14的上部表面齐平。
[0047]优选地，壁14的高度(即，基底12的上部表面与壁14的上部表面之间的距离)大于旨在被放置在腔体中的集成电路芯片的高度。
[0048]壁14的高度(即，腔体16的高度)例如大于30μm，例如大于700μm，例如大于1mm。壁14的高度例如小于2mm。
[0049]作为变形，除了(一个或多个)树脂层之外，基底12还可以包括金属轨和金属通孔(未示出)，诸如轨18和通孔20。
[0050]例如，形成基底12和/或壁14的不同树本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制造集成电路芯片载体的方法，包括：通过以下操作来形成围绕腔体的壁，其中所述壁包括一个或多个第一层级：在每个第一层级处，在块体周围形成第一树脂层，其中所述块体由与所述第一树脂不同的材料制成；以及去除每个块体以打开所述腔体。2.根据权利要求1所述的方法，包括：形成所述集成电路芯片载体的基底，所述基底上搁置有所述壁；其中形成所述基底包括通过以下操作形成一个或多个第二层级：在每个第二层级处，形成在所述腔体的位置的前面延伸的所述第一树脂层。3.根据权利要求2所述的方法，其中所述基底的形成还包括在所述腔体的前面形成穿过所述基底的金属通孔。4.根据权利要求2所述的方法，其中形成每个第一层级包括生长金属轨和金属通孔。5.根据权利要求4所述的方法，其中所述块体由与所述金属轨和金属通孔相同的材料制成。6.根据权利要求2所述的方法，其中所述一个或多个第一层级被形成在板体上。7.根据权利要求6所述的方法，其中所述一个或多个第二层级在所述一个或多个第一层级之前被形成在所述板体上。8.根据权利要求6所述的方法，其中所述板体形成所述载体的所述基底。9.根据权利要求6所述的方法，其中所述一个或多个第一层级在所述一个或多个第二层级之前被形成在所述板体上。10.根据权利要求9所述的方法，其中所述块体由所述板体的一部分形成。11.根据权利要求1所述的方法，其中所述壁包括多个第一层级，并且针对每个第一层级的所述块体具有相同的水平尺寸。12.根据权利要求1所述的方法，其中所述块体的至少一个侧壁相对于所述腔体的后部的平面而倾斜。13.根据权利要求1所述的方法，其中针对最靠近所述腔体的后部的所述第一层级中的一个第一层级的所述块体具有至少一个水平尺寸，所述水平尺寸小于针对离所述腔体的后部更远的所述第一层中的另一个第一层的所述块体，以在所述腔体内定义阶梯。14.根据权利要求1所述的方法，还包括用与所述第一树脂不同的第二树脂来填充所述腔体。15.一种通过根据权利要求1所述的方法获得的设备，其中所述腔体具有大于30μm的高度。16.一种制造集成电路芯片载体的方法，包括：在板体的表面处提供第一块体；在与所述第一块体隔开的所述板体的所述表面上形成第一金属轨和第一金属通孔；在所述第一块体和第一金属轨和第一金属通孔周围形成第一树脂层；将第二块体安装到所述第一块体的表面；在与所述第二块体隔开的所述第一树脂层的表面上形成第二金属轨和第二金属通孔；在所述第二块体和第二金属轨和第二金属通孔周围形成第二树脂层；
形成覆盖所述第二树脂层与所述第二块体的基底层；以及去除所述板体、所述第一块体和所述第二块体以打开...

【专利技术属性】
技术研发人员：F，
申请(专利权)人：意法半导体格勒诺布尔二公司，
类型：发明
国别省市：