制造半导体器件的方法，相应半导体器件和用于其中的带技术

本公开的实施例涉及制造半导体器件的方法，相应半导体器件和用于其中的带。半导体管芯和导电带设置在衬底上。导电带包括粗糙表面。将绝缘封装模制到半导体管芯和导电带上。导电带的粗糙表面为绝缘封装提供粗糙的耦合界面。界面。界面。

【技术实现步骤摘要】
制造半导体器件的方法，相应半导体器件和用于其中的带
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2021年10月7日提交的意大利专利申请号.102021000025523的优先权，该申请的内容在法律允许的最大程度上通过引用整体并入本文。


[0003]本说明书涉及半导体器件。
[0004]一个或多个实施例可有利地应用于例如汽车领域中使用的功率半导体器件。
[0005]满足汽车行业中的环境工作温度范围的(低)级规格的功率四方扁平无引线(QFN)半导体器件是可有利地应用实施例的器件的示例。

技术介绍

[0006]分层(delamination)是在期望满足汽车等级规格的半导体器件(诸如功率半导体器件)中保持受控的效果。
[0007]这种器件目前包括“带”，即被焊接(例如，经由超声波接合)的金属窄条带，并且旨在为可能在功率器件中出现的(高)电流提供流动路径。因此，在用于互连目的的半导体器件的后段制程(back end of line，BEOL)制造中，带状接合是众所周知的技术。
[0008]传统的带(例如由Al或Cu制成)通过层压制造。这导致相当平滑(有光泽)的外部带表面，这有助于带与管芯焊盘或引线框引线之间的良好楔形接合。
[0009]在使用预模制引线框和楔形条带接合的功率器件(例如，功率QFN器件)中，在封装的模制材料与模制材料打算封包的器件结构之间可能发生不合需要的分层。
[0010]在本领域中需要有助于充分抵抗不期望的分层。
专利技术内容
[0011]一个或多个实施例涉及一种方法。
[0012]一个或多个实施例涉及相应的半导体器件。用于汽车领域的功率四方扁平无引线(QFN)半导体器件可以是这种器件的示例。
[0013]一个或多个实施例涉及用于制造半导体器件的带状材料。这种带状材料可以由半导体器件制造商的供应商作为中间产品提供。
[0014]一个或多个实施例涉及在(例如，超声)接合步骤之前或之后的带表面粗糙化。
[0015]在某些实施例中，条带粗糙化可在单个条带侧上实施。
[0016]在某些实施例中，可在带两侧上实施带粗糙化。
[0017]各种实施例可以采用不同的技术(例如激光雕刻或化学蚀刻)用于带粗糙化。
[0018]在某些实施方案中，粗糙化可以在带的整个长度之上。
[0019]在某些实施例中，粗糙化可以仅在带的(可能小的)部分之上，例如，作为仅粗糙化该部分的结果，例如，通过激光加工，可选地在接合之后。
[0020]一个或多个实施例可以包括在楔形接合之前提供粗糙的(roughened)带或在带的
至少一个表面上形成粗糙度。
[0021]一个或多个实施例可包括形成带接合连接，然后粗糙化带的(上)表面的一部分。
[0022]一个或多个实施例提供以下优点中的一个或多个：以获得无分层封装为目标的封装分层的总体减少；在现有的接线(带)焊接机上的使用方便性；提供即插即用过程(在粗糙的带直接在其卷轴上可用的情况下，不引入额外的组装步骤)；广泛适用于几种类型的引线框架封装；低成本(例如，如果激光雕刻用于粗糙化)；和选择性，就带粗糙度图案而言，可以基于设想的应用定制。
[0023]与常规解决方案相比，根据实施例的带表面将比不像通常那样光滑和有光泽。经由粗糙化(例如，经由激光雕刻工艺)而增加的带粘合表面将导致带与模制化合物之间的更强粘合，而不会不利地影响带在管芯接合垫或引线框引线上的接合。
[0024]注意，在引线框修整中应用粗糙化。同样，已知在减少分层方面的尝试是使用与模制化合物或诸如胶或带(导电或绝缘)或管芯钝化材料的经修改管芯附着材料的性质相关的化学反应。
[0025]一个或多个实施例增加(多个)带的可用表面以增加与模制化合物的界面处的粘合面积。
[0026]在一个或多个实施例中，可以使用例如激光雕刻来增加条带表面积：这产生与模制化合物的增加的粘合面积(其抵消分层)，同时产生根据选定雕刻图案粗糙的带表面(其不削弱将带楔形接合到管芯接合垫或引线框引线上)。
[0027]在某些实施例中，带粗糙化处理可以在带接合处理步骤之前执行。
[0028]在某些实施例中，带粗糙化处理可以在带接合处理步骤之后执行。
[0029]在某些实施例中，取决于应用，可以(仅)在选定的带部分处产生粗糙度。
[0030]各种实施例可考虑在带的单侧上执行带粗糙化处理。
[0031]各种实施例可考虑在带的两侧上执行带粗糙化处理。
[0032]单侧方案在防止分层和提供足够的楔形接触区域之间提供了有利的折衷，其中带的(背面或底部)表面与管芯/引线框的金属紧密接触，产生所谓的“楔形”。
[0033]考虑到模塑化合物和带之间的粘合面积最大化，双侧方案在分层性能方面是有利的。
附图说明
[0034]现在将参考附图仅以举例的方式描述一个或多个实施例，其中：
[0035]图1是包括提供电源连接通道或路径的带的半导体器件的平面图；
[0036]图2是应用本说明书的实施例的如图1所示的半导体器件的一部分的平面图；
[0037]图3是应用本说明书的实施例的如图1所示的半导体器件的一部分的平面图；
[0038]图4和图5是根据本说明书的实施例的带的相对侧的视图；
[0039]图6A、图6B、图6C、图6D示出了可以在本说明书的实施例中使用的可能的粗糙化图案；以及
[0040]图7和图8是本说明书的实施例中的步骤的可能序列的示例性流程图。
具体实施方式
[0041]除非另外指明，否则不同附图中的对应数字和符号通常指代对应部分。
[0042]附图是为了清楚地说明实施例的相关方面而绘制的，并且不必按比例绘制。
[0043]在附图中画出的特征的边缘不一定表示特征范围的终止。
[0044]在随后的描述中，示出了各种具体细节，以便提供对根据该描述的实施例的各种示例的深入理解。可以在没有一个或多个具体细节的情况下，或者利用其他方法、组件、材料等来获得实施例。在其他情况下，没有详细示出或描述已知的结构、材料或操作，从而不会模糊实施例的各个方面。
[0045]在本说明书的框架中对“实施例”或“一个实施例”的引用旨在指示关于该实施例描述的特定配置，结构或特性被包括在至少一个实施例中。因此，可以出现在本说明书的各个点中的诸如“在实施例中”，“在一个实施例中”等的短语不一定确切地指代同一实施例。此外，特定的配置、结构或特性可以在一个或多个实施例中以任何适当的方式组合。
[0046]这里使用的标题/参考仅仅是为了方便而提供的，因此不限定保护范围或实施例的范围。
[0047]诸如图1至图3所示的功率四方扁平无引线(QFN)器件(QFN)器件)可包括一个或一个以上半导体集成电路芯片(或管芯(dice)——本文中使用术语作为同义词)C1、C2，无论其数目和功本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种方法，包括：将至少一个半导体管芯和至少一个导电带布置在衬底上，所述至少一个导电带被楔形接合到所述至少一个半导体管芯，并且为所述至少一个半导体管芯提供电流流动路径；其中所述至少一个导电带包括粗糙表面；以及将绝缘包封模制到所述至少一个半导体管芯和所述至少一个导电带上，其中所述绝缘包封将所述至少一个半导体管芯和所述至少一个导电带包封，并且其中所述粗糙表面向所述绝缘包封提供粗糙化耦合界面。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一个导电带还包括相对的第一表面和第二表面，其中所述第一表面是所述粗糙表面，并且所述第二表面是平滑表面，并且其中所述第二表面经布置以面向所述至少一个半导体管芯。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一个导电带包括相对的第一表面和第二表面，其中所述第一表面是所述粗糙表面，并且所述第二表面也是面向所述至少一个半导体管芯而被布置的粗糙表面。4.根据权利要求1所述的方法，其中还包括通过激光雕刻、滚压和化学蚀刻中的一种提供所述粗糙表面。5.根据权利要求1所述的方法，其中还包括在将所述至少一个导电带布置到所述衬底上之前，在所述至少一个导电带中提供所述粗糙表面。6.根据权利要求1所述的方法，其中还包括在将所述至少一个导电带布置到所述衬底上之后，在所述至少一个导电带中提供所述粗糙表面。7.根据权利要求1所述的方法，其中还包括仅在所述至少一个导电带的一部分之上提供所述粗糙表面。8.根据权利要求1所述的方法，其中还包括提供具有波状起伏表面的所述至少一个导电带，以促进所述楔形接合。9.一种器件，包括：衬底；至少一个半导体管芯和至少一个导电带，被布置在所述衬底上，所述至少一个导电带被楔形接合到所述至少一个半导体管芯，并且为所述至少一个半导体管芯提供电流流动路径；其中所述至少一个导电带包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：M，
申请(专利权)人：意法半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：