一种便调式引线框架的加工工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种便调式引线框架的加工工艺，包括步骤S1

【技术实现步骤摘要】
一种便调式引线框架的加工工艺


[0001]本专利技术涉及引线框架
，具体为一种便调式引线框架的加工工艺。

技术介绍

[0002]引线框架引线框架作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合材料（金丝、铝丝、铜丝）实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，它起到了和外部导线连接的桥梁作用，绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架，是电子信息产业中重要的基础材料。
[0003]经检索，申请号为201711462894.6的专利公开了一种小塑封体集成电路的高可靠性引线框架加工工艺，属于集成电路封装
该专利技术高可靠性引线框架加工工艺为，先将引线框架进行常规的脱脂、活化、中和、镀铜、预镀银、镀银和退银工序处理，然后将退银后的引线框架依次进行微蚀、再次活化、铜面处理、阳极清洗、银面处理、银保护工序处理后即得。该专利技术加工工艺通过对引线框架上铜面和和银面的处理，增大了封装过程中塑封料和底材的结合力，集成电路封装后不易分层，从而提高了封装后集成电路的可靠性；经过多次的生产线验证，封装后集成电路可以100%通过一级可靠性测试，能够满足高可靠性集成电路的生产要求。
[0004]上述方案通过对引线框架的微蚀和电镀，实现了集成电路封装后不易分层，提高了封装后集成电路的可靠性，但是上述方案缺少对引线框架基材的加工，只有加工出用于制备引线框架的高质量料带，才能生产出好的引线框架，进而会进一步提高封装后集成电路的可靠性，因此我们需要提出一种便调式引线框架的加工工艺。

技术实现思路
<br/>[0005]本专利技术的目的在于提供一种便调式引线框架的加工工艺，通过对用于生产引线框架的料带的前期细致加工，先对金属基材进行热轧，使显微裂纹愈合，减少铸造缺陷，并通过固溶处理，形成过饱和固溶体，保证基材的高温抗蠕变性能，在进行冷轧，消除参与应力，减轻料带出现浪皱情况，使料带保持平直和良好的板形，然后再对料带进行蚀刻和电镀处理，增加镀层的结合强度，获得结晶细致的银电镀层，并改善铜的防变色能力，从基材着手，先加工高质量的料带后，可生产出高质量的引线框架，进而会进一步提高封装后集成电路的可靠性，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0006]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种便调式引线框架的加工工艺，包括如下步骤：S1、料带准备：对金属基材进行热轧，将铸造状态的粗大晶粒破碎，显微裂纹愈合，减少铸造缺陷；S2、固溶处理：将热轧后的基材通过高温将溶解度随温度降低而明显减少的合金元素溶入到基材中，然后快速水淬冷却，形成过饱和固溶体；S3、料带冷轧：将基材在结晶温度以下进行轧制，增强基材的强度和变形抗力，并
轧制出符合厚度要求的料带；S4、料带剪切：将料带裁剪为片状，裁剪后的料带的长度可加工一个或多个引线框架；S5、料带冲模：引线框架基板冲压成型；S6、蚀刻处理：分别进行清洗、贴膜、曝光、显影、蚀刻、去膜和清洗处理；S7、电镀处理：包括电解除油、酸洗、预镀铜、预镀银、局部镀银、退银和防铜变色工序；S8、检查包装出库。
[0007]优选的，在S1中，将金属基材放置在箱式电阻炉中加热至850℃，并保温1h，再将温度加热至900℃，也保温1h，然后采用轧机分多次将基材的厚度轧至2.2
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4.5mm。
[0008]优选的，在S2中，固溶处理时的加热温度在980℃
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1250℃，固溶的时间维持在30
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90min，便于析出颗粒细小且分布均匀的碳化物，同时消除由于冷热加工时产生的应力，且可获得适宜的晶粒度，保证基材的高温抗蠕变性能。
[0009]优选的，在S3中，采用多辊冷轧机对料带进行轧制，在冷轧的过程中，为克服料带的剧烈变形热和摩擦热，需采用冷却机构对料带进行降温处理；且冷轧过程中采用张力轧制的方式促进延伸的均匀化，消除参与应力，减轻料带出现浪皱情况，使料带保持平直和良好的板形。
[0010]优选的，在S4中，料带剪切成片状后，需对片状料带的边部进行修剪，取出毛刺，减小宽度公差，保证片状料带不产生剪切应力、擦划伤、扭曲以及色差，即剪切的过程中要正确配置剪刃、橡胶环和隔离环，保证合理的剪刃间隙和重叠量。
[0011]优选的，在S5中，采用冲压机对料带进行冲压处理，在料带上冲出识别孔，并对外引线、定位孔和隔墙进行预冲，在根据定位孔的定位，冲出冲胶孔，再冲出内引线一、内引线二和内引线三，同时对定位孔和隔墙进行精冲。
[0012]优选的，在S6中，先使用清洗液去除料带表面的异物，保证料带的光洁度，再在料带表面涂覆一层影像转移膜，并在紫外光下的照射下聚合，受光部分成膜硬化，变成耐腐蚀的保护层，然后通过显影处理除去未感光的非图形部分的膜，留下已感光硬化的图形部分，并清除感光胶使料带表面清洁，再使用蚀刻液对料带进行腐蚀，将未覆膜保护的部分去除，蚀刻完毕后，最后采用碱液剥离去除影像转移膜，并将去膜后的料带在清洗剂中浸泡5
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10min，再放到清水中清洗，保证料带表面洁净。
[0013]优选的，在S6中，蚀刻处理采用的蚀刻液为氟化钠、过硫化钠和硫酸氢钠的混合水溶液，浓度为15
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25g/L，溶液的温度为35
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45℃。
[0014]优选的，在S7中，电解除油：去除料带表面的油污，可采用提高电流密度的方式，提高除油效率，除油完成后，使用清水进行清洗；酸洗：去除料带表面的金属氧化膜，增加料带表面的活性，酸洗过程采用10%的硫酸，酸洗后，使用清水进行清洗；预镀铜：在料带的表面镀上铜铜，增加镀层的结合强度，并为下一道镀银工序提供一个干净且活性强的铜表面，预镀铜完成后，使用清水进行清洗；预镀银：采用银盐为主要成分的银置换防止剂，通过防置换液在铜层上生成一层致密的、与铜层结合良好的银保护层，防止镀银液体在接触到铜层未通电时发生置换反应，
预镀银完成后，使用清水进行清洗；局部镀银：采用高速低氰镀，利用氰化钾良好的络合极化作用在高电流密度下获得结晶细致的银电镀层；退银：退掉泄漏到镀银区域外的薄银层，同时不引起镀银层产生粗糙和变色现象，退银完成后，使用清水进行清洗；防铜变色：在铜表面形成一层薄的化学吸附膜，改善铜的防变色能力，防铜变色工序完成后，使用清水进行清洗，并在清洗后即时进行烘干处理。
[0015]优选的，在S8中，将电镀后且烘干后的引线框架进行检验，挑出不合格的产品，并将合格的产品放入相应的包装箱内，登记明细。
[0016]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：本专利技术通过对用于生产引线框架的料带的前期细致加工，先对金属基材进行热轧，使显微裂纹愈合，减少铸造缺陷，并通过固溶处理，形成过饱和固溶体，保证基材的高温抗蠕变性能，在进行冷轧，消除参与应力，减轻料带出现浪皱情况，使料带保持平直和良好的板形，然后再对料带进行蚀刻和电镀处理，增加镀层的结合强度，获得结晶细致的银电镀层，并改善铜的防变色能力，从基材着手，先加工高质量的料带后，可生产出高质量的引线框架，进而会进一步提高封装后集成电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种便调式引线框架的加工工艺，其特征在于：包括如下步骤：S1、料带准备：对金属基材进行热轧，将铸造状态的粗大晶粒破碎，显微裂纹愈合，减少铸造缺陷；S2、固溶处理：将热轧后的基材通过高温将溶解度随温度降低而明显减少的合金元素溶入到基材中，然后快速水淬冷却，形成过饱和固溶体；S3、料带冷轧：将基材在结晶温度以下进行轧制，增强基材的强度和变形抗力，并轧制出符合厚度要求的料带；S4、料带剪切：将料带裁剪为片状，裁剪后的料带的长度可加工一个或多个引线框架；S5、料带冲模：引线框架基板冲压成型；S6、蚀刻处理：分别进行清洗、贴膜、曝光、显影、蚀刻、去膜和清洗处理；S7、电镀处理：包括电解除油、酸洗、预镀铜、预镀银、局部镀银、退银和防铜变色工序；S8、检查包装出库。2.根据权利要求1所述的一种便调式引线框架的加工工艺，其特征在于：在S1中，将金属基材放置在箱式电阻炉中加热至850℃，并保温1h，再将温度加热至900℃，也保温1h，然后采用轧机分多次将基材的厚度轧至2.2
‑
4.5mm。3.根据权利要求1所述的一种便调式引线框架的加工工艺，其特征在于：在S2中，固溶处理时的加热温度在980℃
‑
1250℃，固溶的时间维持在30
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90min，便于析出颗粒细小且分布均匀的碳化物，同时消除由于冷热加工时产生的应力，且可获得适宜的晶粒度，保证基材的高温抗蠕变性能。4.根据权利要求1所述的一种便调式引线框架的加工工艺，其特征在于：在S3中，采用多辊冷轧机对料带进行轧制，在冷轧的过程中，为克服料带的剧烈变形热和摩擦热，需采用冷却机构对料带进行降温处理；且冷轧过程中采用张力轧制的方式促进延伸的均匀化，消除参与应力，减轻料带出现浪皱情况，使料带保持平直和良好的板形。5.根据权利要求1所述的一种便调式引线框架的加工工艺，其特征在于：在S4中，料带剪切成片状后，需对片状料带的边部进行修剪，取出毛刺，减小宽度公差，保证片状料带不产生剪切应力、擦划伤、扭曲以及色差，即剪切的过程中要正确配置剪刃、橡胶环和隔离环，保证合理的剪刃间隙和重叠量。6.根据权利要求1所述的一种便调式引线框架的加工工艺，其特征在于：在S5中，采用冲压机对料带进行冲压处理，在料带上冲出识别孔，并对外引线、定位孔和隔墙进行预冲，在根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：张轩，
申请(专利权)人：泰州友润电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：